蚀刻型高密度引线框架铜合金带材的研制进展

综述了蚀刻加工的工艺特点以及用于蚀刻型铜合金带材的特殊技术要求,分析了国内蚀刻型高密度引线框架铜带的研制进展及存在的问题。蚀刻型引线框架带材的产品质量与国外还存在一定差距,全蚀刻产品已实现国产化,产品质量有待提高;半蚀刻产品还处于研制阶段;板形控制、残余应力消减及均匀分布等核心技术有待突破;残余应力检测方法及检验标准有待建立。     

Si基片各向异性腐蚀特性研究

为了制备高性能铁电薄膜红外探测器 ,对Si微桥的湿化学腐蚀工艺进行了研究 .利用Si基片各向异性腐蚀特性 ,在四甲基氢氧化铵 (简称TMAH )水溶液中加入氢氧化钾 (KOH)作为各向异性腐蚀液 (简称KTMAH) ,研究了TMAH与KOH摩尔比、腐蚀浓度、腐蚀温度对Si基片腐蚀特性的影响 .结果表明 :Si(1 0 0 )面的腐蚀速度随着腐蚀液浓度和温度的升高而增大 ,随着TMAH与KOH摩尔比的降低 ,KTMAH腐蚀液对掩膜层的腐蚀程度加剧 .选用 5 g/L的过硫酸盐 (PDS)与TMAH质量分数为 2 5 %、TMAH与KOH摩尔比为2的KTMAH混合液作为腐蚀液 ,并在 80℃× 2 .5h的腐蚀条件下能得到平整的腐蚀面 ,可以制备质量较好的微桥结构     

浸泡法快速制备超疏水黄铜表面

采用化学蚀刻和溶液浸泡相结合的方法制备具有超疏水性的黄铜表面.按比例配置HCl、HNO3和HF的混合溶液蚀刻黄铜,蚀刻后用硬脂酸溶液进行修饰以获得接触角大于150°的表面.通过扫描电镜对表面结构的观察以及能谱分析,发现蚀刻后的表面具有片状和微小乳突组成的微/纳二级结构,修饰后的这些结构可以捕获大量空气.根据Cassie模式的计算方程,水滴与空气的接触面积约占总接触面积的94.11%.实验研究了不同蚀刻时间对试件表面润湿性的影响,理论分析微结构的形成机理.发现最佳制备条件为：蚀刻时间5 min,浸泡时间1 h,此条件下制备的试件的接触角达到164.5°.
     

选择性湿法刻蚀制备内嵌碳纳米管的沟槽结构

提出一种“自下而上”的纳米结构的制备方法。在生长有碳纳米管的氧化硅表面沉积数纳米的钯金属膜后, 用氢氟酸刻蚀, 得到完全由碳纳米管引导的沟槽结构, 并且碳纳米管沿沟槽分布在其底部。通过导电原子力显微镜对沟槽内的碳纳米管的表征, 发现其仍然具有良好的导电性。在碳纳米管和钯金属膜之间增加一层磁控溅射沉积的氧化硅, 可以增加沟槽的深宽比。通过降低钯金属膜的致密程度, 沟槽的开口宽度可降至100 nm左右。该方法制备的结构可以进一步用来构建基于碳纳米管的纳电子器件。     

高机械灵敏度悬空导电薄膜的制备方法研究

微机电系统中的悬空薄膜的制备技术是微结构制备的关键技术之一.研究了周边固支方形薄膜的机械灵敏度及通过浓硼扩散自停止腐蚀法制备高灵敏度悬空导电薄膜.实验结果表明,当扩散温度为1 175℃,扩散时间为3h,去除硼硅玻璃后四甲基氢氧化铵(TMAH)腐蚀液中腐蚀7.5h,可得到厚度为3μm,边长为5 mm,方块电阻为1.12 Ω/sq,致密均匀的悬空导电薄膜.给出了详细的制备工艺;针对扩散过程中出现的硼硅玻璃等问题,给出了切实可行的解决办法.     

Characterization and chemical surface texturization of bulk ZnTe crystals grown by temperature gradient solution growth

Using tellurium as a solvent, we grew ZnTe ingots of 30 mm in diameter and 70 mm in length by a temperature gradient solution growth method. Hall tests conducted at 300 K indicated that the as-grown ZnTe exhibits p-type conductivity, with a carrier concentration of approximately 1014 cm-3, a mobility of approximately 300 cm2·V-1·s-1, and a resistivity of approximately 102 Ω·cm. A simple and effective method was proposed for chemical surface texturization of ZnTe using an HF:H₂O₂:H₂O etchant. Textures with the sizes of approximately 1 μm were produced on {100}, {110}, and {111}_Zn surfaces after etching. The etchant is also very promising in crystal characterization because of its strong anisotropic character and Te-phase selectivity.     

用化学浸蚀形成光致发光多孔硅的研究

在ＨＦ－ＨＮＯ３水溶液中化学浸蚀单晶硅，得到了具有可见光致发光的多孔硅层（ＰＳＬ）。金相显微镜和扫描电镜（ＳＥＭ）观察表明，化学浸蚀后的表面呈绒面状，说明浸蚀具有各向异性。浸蚀过程中出现显色循环，当显色处于临界时间时，样品光致发光最强，与阳极氧化样品相比，化学浸蚀形成多孔硅的光致发光强度要弱近一个数量级，其峰值能量为１．９４－２．０４ｅＶ，半峰宽（ＦＷＨＭ）为０．３５－０．４１ｅＶ。还对比讨论了阳     

碳酸盐岩储层闭合酸化模拟研究

酸压裂缝生产一段时间后导流能力会逐渐降低,常采用闭合酸化来提高已酸压裂缝的导流能力,闭合酸化模拟对闭合酸化设计意义重大,因此,针对该问题进行闭合酸化建模及数值模拟。首先,基于达西定理、物质平衡原理、酸岩反应动力学建立闭合酸化数学模型;然后通过地质统计学中的序贯高斯模拟算法生成具有非均质性和空间关联性的初始裂缝宽度空间分布和裂缝表面基质渗透率分布;利用有限体积法对模型进行数值求解,用C++编制模拟计算程序;最后基于该模型进行广泛的数值模拟研究,分析酸液分布规律、裂缝表面溶蚀规律、酸液作用距离的影响因素及规律,并形成各种条件下的酸液作用距离图版。研究表明,初始裂缝宽度和裂缝表面粗糙度对裂缝表面溶蚀形态起主导作用,裂缝面溶蚀形态有均匀推进、指进溶蚀和沟槽溶蚀;裂缝宽度越小、粗糙度越大,裂缝表面溶蚀竞争越强烈,越容易形成沟槽,酸液作用距离越远;排量、注酸量正相关于活酸作用距离,酸液传质系数负相关于活酸作用距离;典型的施工排量、酸液用量、常用的酸液类型下,闭合酸化中酸液作用距离为20～60 m。此模型可以预测不同条件下酸液作用距离和酸蚀裂缝表面溶蚀形态,优化闭合酸化参数,为现场闭合酸化施工设计提...     

微齿轮加工工艺研究

微机械加工技术是在IC平面工艺结合牺牲层腐蚀工艺基础上发展和形成的.在八十年代中应用了这种准三维加工技术,出现了尺寸在几十到几百微米的微型传感器.从而,传感器的性能和成品率得到提高,而成本下降.同时,为微电子机械集成奠定了一定的基础.尤其是1988年美国加里弗尼亚大学采用这种工艺成功地制成了直径仅为头发丝粗细的硅静电马达,从此得到了世界各国科学家的高度重视和大力发展.