不含3正则子图的图的最大可能边数的下界

１９７４年，Ｅｒｄｏｓ和Ｓａｕｃｅｒ提出如下问题：设ｆ（ｐ）是ｐ个顶点的不含３正则子图的图的最大可能边数，确定ｆ（ｐ）。本文给出：（１）ｆ（ｐ）≥３ｐ－９，ｐ≥４；（２）ｆ（ｐ）≥３ｐ－５，ｐ≥３４。     

用等效膜理论分析一维光子晶体的禁带特征

论述了等效膜理论和等效折射率概念，并通过数值计算得出了有限周期一维光子晶体的等效折射率随频率的变化。结果表明：在光子禁带等效折射率不存在，在光子禁带两边等效折射率分别趋于无穷大或零；在光子透射带，等效折射率是有限值。此外，还用等效折射率的不连续特点，讨论了在不同结构的一维光子晶体中禁带发生位置的变化。     

奇数度循环图的性质

本文得到了奇数度循环图是连通图的充要条件及C_n×k_2(krn/2)为循环图的充要条件,证明了三度连通循环图C_n同构于C_n<1,n/2>或C_n<2,n/2>。这一结果颇有意义。     

近双三图的两个定理

本文考虑一类有向图(一近双三图)的性质,用归纳法证明一些近双三图中存在一些特别的子图—可调形。     

半导体材料禁带宽度测试装置的研制

根据光电导方法，研制了 ＤＢ－１型半导体材料禁带宽度测试装置。该装置经测 试验证及用户使用表明：整个测试系统具有测量数值精确、测试速度快、样品安装方 便、装置的稳定性和重复性好等优点，实现了对半导体材料禁带宽度的测定，可为进 一步研究半导体材料的能带模型提供实验数据。     

279.5-287.0nm溴原子共振增强多光子电离的实验研究

实验测定了溴甲烷分子在激发波长为282nm处多光子电离解离-飞行时间质谱,并测得了在279.5-287.0nm范围内的Br 的分质量激发谱.从Br 的分质量激发谱首次发现了Br的两条(2 1)REMPI谱线,归属为5P4P3/2←4P2P1/2和5P4P5/2←4P2P1/2自旋禁戒跃迁.     

利用光子晶体的禁带特性实现无源电磁屏蔽

为了实现一维二元光子晶体的全方位禁带,利用传输矩阵法,对于不发生Brewester效应的一维光子晶体的禁带结构特点进行了研究,获得了TE波和TM波的反射率随频率和入射角的变化关系图,分析了TE波和TM波光子禁带特征.根据全方位禁带特性,提出了一种新的光子晶体的无源电磁屏蔽设计,并指出了在给定屏蔽频段范围内,两种介质光学厚度的选取范围.数值计算表明了只要TM波满足屏蔽条件就能实现电磁屏蔽.     

基于gSpan算法的未知化合物毒性预测

gSpan算法是一种基于频繁图的挖掘算法。该算法基于无候选人产生的频繁子图,在图中建立字典序标号,将每个图映射为最小DFS code,再采用深度优先搜索策略挖掘频繁连接子图。与前人算法相比,该算法在生成候选子图时,冗余子图的产生量大大减少;在计算候选子图支持度时避免了大量重复扫描数据库,性能卓越。该文的贡献是将gSpan算法应用在挖掘与已知毒性化合物具有相同子结构的化合物研究工作中,进行未知化合物的毒性预测,对相关领域应用发展具有重要意义。     

低成本逻辑网络设计的探讨

针对多输出逻辑网络设计的经济性,探讨如何利用有效的等值变换来获得成本较低的设计方案。供从事有关专业的同志参考。     

tame根的存在性及其刻画

给出了tame向量、tame根与极小tame子图的定义,以及tame根的一些刻画.证明了一个野图有tame根的充分必要条件是Q至多有一个An型子图且Q至少有一个极小tame子图.