传热单元操作的基本研究方法

本文通过介绍间壁式换热器中热传导、热对流和工艺计算中的几种基本研究方法,阐述了传热的基本研究方法也是动量和质量传递的基本研究方法,而讨论研究方法的共同性,是把握一个知识体系途径之一.     

SO2-4对电沉积法制备氢氧化镁的影响

以海绵钛副产品氯化镁为原料,采用水溶液电沉积法制备氢氧化镁时,氢氧化镁团聚严重,且在极板上脱落困难.通过向电解液中加入适量SO^2-₄来优化氢氧化镁分散性,可有效解决氢氧化镁团聚严重的问题.探究了SO^2-₄对氢氧化镁脱落性能、产物形貌及生长方式的影响.结果表明:SO^2-₄的质量浓度对氢氧化镁初始脱落时间影响较大,SO^2-₄的质量浓度为0.45g/L时,氢氧化镁性能最佳,初始脱落时间最短约 10min;氢氧化镁在极板上结晶长大时,生长方式为层岛复合生长模式,同时发现添加SO^2-₄后,能够诱导氢氧化镁以阶梯状的方式生长.     

不确定性环境下可再生能源系统新优化模型

为发挥可再生能源在能源-经济-环境可持续发展中的积极效应,本文研究了多态不确定性环境下跨地区、跨品种、跨部门的可再生能源动态规划问题。利用满意度方法处理太阳能和风能可利用量等随机变量,利用可能度方法处理能源供应成本、需求量等区间数,再结合0-1整数规划,得到使系统成本最小的新优化模型。最后的算例说明使用的综合方法是有效合理的。     

R/S-不对称硫取代铀酰-Salophen与手性吗啉醇的配位及对映选择性研究

采用密度泛函理论对R/S-不对称硫取代铀酰-salophen进行研究,发现其存在Λ/V-型两种非对映异构体。以Λ/V-型两种非对映异构体为受体探讨了它们与客体分子RRS/SSR-3,5-二甲基-2-(3-氟苯基)-2-吗啉醇的配位作用以及对映选择性识别性能。结果表明:由R/S-不对称硫取代铀酰-salophen的非对映异构体与客体分子所形成的配合物间的几何构型、Wiberg键序、红外光谱等参数差别不大,但在真空和水、丙酮、甲苯溶剂环境条件下,Λ/V-R型受体比Λ/V-S型受体对客体分子具有更好的对映选择性,且Λ-R型受体在真空和水、甲苯溶剂环境条件下,对客体分子具有良好的对映选择性识别性能。     

快中子增殖反应堆燃料元件包壳材料的晶界工程技术应用展望

针对钠冷快中子增殖反应堆(简称快堆) 燃料元件包壳材料316 以及15-15Ti 奥氏体不锈钢, 讨论了通过晶界工程(grain boundary engineering, GBE) 技术进一步提高材料抗辐照肿胀以及抗蠕变性能的可行性. 通过GBE 技术能够大幅增加材料中与孪晶相关的低 重合位置点阵(coincidence site lattice, CSL) 晶界比例. 快堆燃料元件包壳在固溶退火处理后还要经过20% 左右的冷加工变形, 目的是在显微组织中引入大量位错, 吸收由辐照产生的点缺陷, 并增加吸收裂变产物的陷阱. 如果在这样的冷加工变形前大幅提高材料的低∑CSL 晶界比例, 使冷加工变形时的位错滑移在具有特殊取向关系的晶粒间的传播以及位错在特殊结构晶界处的堆积排列发生变化, 那么就有可能使冷加工后位错的分布状态有利于吸收更多的由辐照产生的点缺陷, 提高材料抗辐照肿胀的能力.     

新显色剂HSNPT的合成及其与铜的光度性能研究

合成了新显色剂2-羟基-4-磺酰氨基苯-3-(4-硝基苯)-三氮烯(HSNPT),并对HSNPT与铜的显色反应进行了研究.结果表明:在表面活性剂TX-100存在下,在pH=11.0的Na2B4O7-NaOH缓冲溶液中,HSNPT与铜形成配合比为3:1型淡黄色配合物.配合物最大负吸收峰位于535nm处,表观摩尔吸光系数为1.60×105L·mol-1·cm-1.Cu2 的浓度在25mL中0～12μg范围内符合比尔定律.     

完善国有企业股份制和民营化改革

把国有企业建设成产权明晰、制度先进,自主经营、自负盈亏的经营Z体和市场主体是国企改革的主要目的。为了保障国企改革的顺利进行,防止出现不必要的震荡,如何防止国有资产流失;防止国企改革过程中的寻租现象;保障劳动者的合法权益不受侵害等关系国家和企业员工切身利益的重大问题必须引起高度关注。     

光码分多址系统及其多用户干扰

多用户干扰是影响OCDMA系统性能和用户数的主要原因,因此研究如何降低多用户干扰就显得尤其重要。文章在介绍了几种降低多用户干扰的常规方案及其性能的基础上,讨论了多用户检测技术OCDMA系统中的应用,并对泊松模型下利用干扰估计技术消除多用户干扰作了进一步的探索和分析。     

一种新型配体的合成光谱性质及量子化学计算

报导一种新型吡啶衍生物4-[反式-2-(噻吩)-2-乙烯基]吡啶的合成,用元素分析、电喷雾质谱、核磁共振谱、红外光谱、紫外光谱等方法对其进行了表征,在此基础上用量子化学方法进行了计算。将实验测得的紫外、红外光谱与理论计算结果相比较,所得到的理论值与实验结果一致,从微观上分析了该衍生物的光谱性质。     

SnO2纳米线阵列的制备及纳米器件的制作

采用简单的溶胶-凝胶方法在多孔阳极氧化铝模板(AAM)的微孔中制备了高度有序的SnO2纳米线阵列。XRD,SEM和TEM对样品进行了结构和形貌的表征,结果表明,高度有序的SnO2纳米线具有四方相的多晶结构,纳米线连续均匀;并对SnO2纳米线阵列的生长机理进行了探讨;最后用聚焦离子束沉积设备制作了单根SnO2纳米线器件。