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21.
陶瓷化学镀镍的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
柏冬 《陕西师范大学学报(自然科学版)》2004,(Z1)
研究了陶瓷化学镀镍的实验操作方法、工艺条件及各种因素对镀层的影响,确定了陶瓷镀镍的最佳工艺方法及控制条件. 相似文献
22.
本研究以廉价的高岭土、滑石粉、氧化铝为主要原料,水泥为固化剂,疏水型活性碳粉为泡沫稳定剂,采用直接起泡法制备了高开气孔率的多孔陶瓷,采用浸渍和反应法负载氢氧化高钯催化剂.利用次甲基蓝模拟污水,并作为钯基催化剂催化次氯酸钠分解的标识物.研究了催化剂负载量、温度、次氯酸钠用量对催化剂降解次甲基蓝的影响.结果显示,多孔陶瓷负载的钯催化剂能有效催化次氯酸钠分解,极大地提高了次甲基蓝氧化褪色的速率,随温度升高,最终褪色所需时间急剧减少.在温度为40℃,催化剂量为0.4g,NaClO量为5mL,pH值为7.88的条件下,50mL浓度为10mg/L的次甲基蓝仅需要58min就能褪至无色. 相似文献
23.
研究了主组成及少量外加物对Y_xBa_(1-x)CuO_3系超导陶瓷导电性与超导电性的影响.研究表明,当配料组成Y∶Ba≈1∶2时最容易制取稳定的、零电阻为88K以上的高临界温度T_c的超导材料;采用Bi、Pb、Na、Co等对阳离子进行部分替位更换,仍能获得超导特性,但对T_c值没有改进;少量外加物对YBa_2Cu_3O_(7-δ)系超导陶瓷的T_c值有明显的影响,微量钴离子的掺入可使T_c提高到110K,但掺入量较多时反使T_c降低. 相似文献
24.
采用传统压电陶瓷工艺制备了(1-x)B i0.5(Na0.8K0.2)0.5TiO3-xNaSbO3无铅压电陶瓷,利用XRD、SEM等测试技术表征了陶瓷的晶相结构和表面形貌,利用一些电学仪器测试了其介电和压电性能.结果表明,该体系陶瓷具有单相钙钛矿结构,适量的NaSbO3掺杂可以提高该陶瓷的致密性.在室温下,当掺杂量为0.5%时,该体系表现出较好的压电性能:压电常数d33和机电耦合系数kp分别达到107pC/N和0.209;当掺杂量为0.7%时,εr和tanδ分别为1 551和0.05. 相似文献
25.
长杆弹对陶瓷复合装甲斜侵彻的数值模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
该文结合某型陶瓷复合装甲的侵彻实验,利用三维非线性动力有限元程序LS—DYNA3D,建立高速钨质长杆弹对多层陶瓷复合装甲侵彻的有限元分析模型,描述了侵彻全过程的有关物理和力学现象,并与实验进行对比,数值结果与实验结果吻合,对进一步研究复合装甲防护及弹体侵彻性能具有一定的参考价值。 相似文献
26.
采用传统陶瓷制备技术制备了新型的0.95K0.47Na0.47Li0.06NbO3-0.05Ba(Zr1-xTix)O3体系无铅压电陶瓷,研究了该体系陶瓷的压电性能和微结构.研究结果表明,在1120℃、4h的烧结条件下,获得了致密性良好的陶瓷样品,并在x为0.95时性能达到最佳,其压电常数d33为133pC/N,机电耦合系数kp为0.34,机械品质因素Qm为148,介电常数εr为1138,介质损耗tanδ为0.017. 相似文献
27.
采用日本制造的闪光法TLP-18型仪器和线差法的TMA-30型仪器分别测试了PZT(51/49)铁电陶瓷的导温系数和热膨胀系数,并研究了温度,相变,极化处理和晶轴对其物理性能的影响,结果表明,在相变发生时,热物理性能产生了突变;导温系数随着温度而增大,而热膨胀系数却随着温度升高而减小,这为铁电陶瓷材料的相变研究提供了重要的理论依据。 相似文献
28.
《厦门大学学报(自然科学版)》2002,(Z1)
Silicon carbide (SiC) ceramics is a good structural ceramics material, which have a lot of excellent properties such as superior high-temperature strength up to a temperature of 1 350 ℃, chemical stability, good resistance to thermal shock and high abrasion resistance. The silicon carbide ceramics material has so far been used widely for manufacturing various components such as heat exchangers, rolls, rockets combustion chamber. Sintering of ceramics structural parts have many technological method, the reac... 相似文献
29.
激光陶瓷划片工艺研究 总被引:4,自引:0,他引:4
使用调Q YAG激光器对制作厚膜电路陶瓷基板的划片工艺进行了研究。通过对陶瓷的力学性质、划片机理和划片参数的理论推导,解决了该工艺的主要技术问题,实现了划线细、速度快、断面光滑和表面光洁的技术质量要求。 相似文献
30.
Ca^2+离子对Na扩散(Sr,Ca)TiO3系电容—压敏陶瓷结构与性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了Ca^2+离子(<50mol%)对Na扩散(Sr,Ca)TiO3系电容-压敏陶瓷结构与性能的影响。XRD及IR吸收谱的实验结果表明,Ca^2+离子的加入,使立方钙钛矿结构发生畸变。这些结构上的变化,使得当Ca^2+离子含量增加时,晶粒电阻率上升,晶粒尺寸减小;在Ca^2+离子的含量约小于30mol%时,随Ca^2+离子含量的增加,经Na扩散热处理后陶瓷的视在介电系数增加,压敏电压降低。尤其是 相似文献