Surfatron和Surfaguide对a-Si电池氢化的研究

本文利用表面波等离子体发生器对a-Si电池氢化并与射频等离子体氢化的结果进行比较。     

气-液两相流中液膜厚度的电阻抗法测量系统

在文中着重分析了传感器的工作机理,提出了传感器归一化和三电极传感器两种补偿措施,以克服流体电导率和介电常数变化引起的测量误差。本系统通过切换开关选择电导法或电容法测量导电和非导电流体,从而扩大了电阻抗法的适用范围。与测量系统适配的计算机对测量信号进行温度补偿和线性化处理,实时提供流体膜厚变化的情况。研制的电阻抗测量系统可连续检测两相流中液膜厚度。输出响应灵敏,测量范围可达0～4mm,抗干扰能力强,具有广泛的应用前景。     

迫弹一维弹道修正引信阻力器结构的空气阻力特性研究

为了研究不同阻力器结构的增阻特性,设计了多种结构10个方案的某型迫弹一维弹道修正引信阻力器,测量了配用这些一维弹道修正引信阻力器的某型迫弹在零攻角、低风速下的空气阻力,计算了一维弹道修正迫弹的空气阻力系数及其相对于制式迫弹的增阻倍数,探讨了不同阻力器结构的增阻特性.当引信结构允许设计较大的增阻面积时,选用简单的平面阻力器结构较为合理.     

Hydrogen Bonding in Hydrogenated Amorphous Germanium

Thin films of hydrogenated amorphous germanium (a-Ge:H) were prepared by radio frequency glow discharge deposition at various substrate temperatures. The hydrogen distribution and bonding structure in a-Ge:H were discussed based on infrared absorption data. The correlation between infrared absorption spectra and hydrogen effusion measurements was used to determine the proportionality constant for each vibration mode of the Ge-H bonds. The results reveal that the bending mode appearing at 835 cm^-1 is associated with the Ge-H2 (dihydride) groups on the internal surfaces of voids. While 1880 cm^-1 is assigned to vibrations of Ge-H (monohydride) groups in the bulk, the 2000 cm^-1 stretching mode is attributed to Ge-H and Ge-H2 bonds located on the surfaces of voids. For films associated with bending modes in the infrared spectra, the proportionality constant values of the stretching modes near 1880 and 2000 cm^-1 are found to be lower than those of films which had no correspondina bending modes.     

氧退火对Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜电荷存储特性的影响

采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺 ,在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡 (Ba1-xSrxTiO3)薄膜 ,再在氧气氛中进行不同条件的退火处理 ,然后蒸铝并利用光刻技术制作铝电极 ,从而形成金属 -绝缘体 -氧化物 -半导体 (MIOS)双介质电容器结构 .通过该薄膜电容器的充放电实验 ,研究薄膜的电荷存储特性 .结果表明 ,该薄膜在不超过 80 0 ℃下退火 ,其电荷存储能力主要与氧组分有关 ;氧空位越多 ,电荷存储能力越强 .     

真空退火处理CoFe对薄膜结构及磁电阻特性的影响

用粉末冶金方法制备了Co90Fe10,研究了不同退火温度对电子束蒸发方法制备的CoFe薄膜磁电阻特性和微结构的影响。CoFe薄膜在优于5 5×10-4Pa的本底真空度下室温沉积在热氧化Si基片上。随后,样品在3×10-5Pa真空度下分别进行了150℃,280℃,330℃,450℃的60分钟退火处理。靶材的扫描电镜图像显示粉末冶金方法制备的靶材比较疏松。电阻率和磁电阻测量表明450℃退火处理能够明显降低CoFe薄膜电阻率和提高磁电阻变化率。X射线衍射发现沉积在热氧化Si基片上的CoFe膜(111)晶面面间距明显小于靶材相应晶面面间距,退火处理使膜(111)晶面面间距明显减小,趋向靶材面间距。     

ZnO薄膜的射频磁控溅射法制备及特性

利用射频磁控溅射镀膜工艺，在石英玻璃衬底上成功制备了ZnO薄膜．采用原子力显微镜、X射线衍射、拉曼光谱、荧光分光光度计及椭偏等检测手段对其特性进行了测试、分析．研究结果表明：该薄膜具有良好的C轴取向结晶度；最佳激发波长为265．00nnl，光致发光峰分别位于362．00、421．06和486．06nm；437cm^-1是ZnO晶体的特征拉曼峰，该峰的出现与最强的X射线衍射(002)峰相对应；薄膜折射率为2．01．     

建筑排水设计中若干问题探讨

通过分析排水管排水过程的特点，比较了单立管系统和双立管系统。分析了UPVC管的排水特点和排水能力，对UPVC管在工程运用中存在的问题提出了相应对策。     

行间覆膜节水技术在黑龙江省西部半干旱区集雨作用的研究

考虑行间覆膜对降雨再分配的影响,以甘南县资料为例研究了行间覆膜节水技术的集雨效果,集雨作用的大小与覆膜宽度和自然降雨量有关,覆膜宽度为60cm~80cm情况下,自然降雨在5 mm~15 mm范围内,膜旁15cm宽的苗带上实际得到的雨量是原降雨量的2.1~3.2倍。在春季雨水偏少的年份或是有喷灌条件的地块上,行间覆膜能很好地发挥其集雨作用。表4,参3。     

半主动调谐减震体系模糊控制器的理论研究

根据模糊控制理论设计了模糊控制器，用以改变TMD子结构的阻尼和刚度，实现半主动调谐质量阻尼器(SATMD)模糊控制。通过数值仿真分析表明，该方法有效地改善了PTMD的控震性能。