浅谈歧化反应及其方程式的简捷配平方法

本文总结了歧化反应的有关内容，并对其中的某些问题作了较好的解释。最后，西文给出了歧化反应方程式的简捷配平方法。     

高压CMOS管工艺的设计、模拟和验证

模拟和验证了一种低成本的，以标准CMOS工艺为基础，无需对原工艺流程进行改动的高压工艺技术。讨论了低压器件中的各种击穿机理，相应提出了高压器件中所做出的改进，列举了该工艺技术中所用的特殊版图；对此工艺的应用性进行了二维的工艺和器件模拟；将模拟结果与实际测试结果进行了比较，验证了这种高压工艺技术的实用性。     

耗散准模腔场与激子相互作用的量子统计性质

研究了耗散准模腔场与激子相互作用的量子统计特性 ,给出了当腔场初始处于真空态而激子处于真空态与粒子数态大于 2的叠加态时的腔场与激子能量交换的表达式。研究结果表明 ,激子和腔场可以呈现亚泊松分布状态 ,激子与腔场之间的关联是经典的 ,不存在Cauchy Schwartz不等式的偏离现象。     

霍耳效应实验分析

对霍耳效应测量磁感应强度的实验原理作了分析,讨论了外界定向干扰磁场对实验的影响、指出在实验教学中,相邻霍耳效应测量仪摆放距离宜大于等于2.5m才能忽略相互干扰.     

卷积型积分微分方程解的渐近稳定性

研究了一类卷积型积分微分方程，利用李雅普诺夫方法，给出了判定n维系统中卷积型积分微分方程的零解一致渐近稳定性的定理以及其Volterra方程的零解渐近稳定性的定理，推广了已有的结果。     

互补问题中Gauss-Newton方法全局收敛性的推广(英文)

研究了由Subramamian为求解互补问题提出的阻尼Gauss-Newton方法的收敛性质，在较弱的条件下，给出了一个全局收敛效果，这个结果是Subramanian PK (1993)和（1997）中相应结果的一个推广。     

轴拉杆随机分析的域外奇点法

采用随机域外奇点法对轴拉杆件进行了分析．考虑杨氏模量的不确定性，得到了不同相关类型、不同相关长度下的解析解，并分析了相关类型、相关长度以及随机场中点离散法对位移方差的影响．     

常系数线性中立型微分方程周期解存在唯一的充要条件

本文利用Fourier级数讨论具有常系数的任意阶中立型泛函微分方程的周期解，除一种特殊情况外，我们得到了用有限代数方程组描述的周期解存在唯一性的充要条件，对这种特例，我们也得到了若干实用结果．     

用CCD测量单缝宽度的一种实验室方法

根据单缝夫琅和费衍射原理 ,介绍利用CCD测单缝宽度的一种实验室方法 ,并对测量误差等问题进行了讨论