PLZT铁电薄膜的制备及其性能

在温度为97℃,水浴回流10h的条件下,用旋涂法在Si（100）基底上,通过改变溶胶的滴加量、转速、升温速率、煅烧温度及保温时间,制备出性能良好的PLZT铁电薄膜,并用精密阻抗分析仪（PIA）对其介电性能进行测试,研究发现：PLZT铁电薄膜未被击穿时,随着测试频率厂的提高电容逐渐减小,而介电损耗会出现突变,在测试频率达到1MHz时,介电损耗一次突变;当PLZT铁电薄膜被击穿时,随着测试频率厂的升高,介电损耗会逐渐增大,在外场频率达到1MHz时开始减小,当膜被击穿后,电感将不可恢复,而材料的电容具有恢复特征,随着测试频率的升高,电容在逐渐减小．     

铁电埃里克森制冷机的优化性能

根据铁电晶体的热力学性能,应用有限时间热力学理论,探讨热阻及非理想回热对一类铁电埃里克森制冷机的影响,所得结论可为回热式铁电制冷机的研制和设计提供些新理论指导。     

蓝色Al/LiF双层电极有机电致发光器件

合成并采用ＤＰＶＢ作为发光层,Ａｌ／ＬｉＦ双层电极作用阴极,得到了高亮度（〉９８００ｃｄ／ｍ＾２）、高诳率（１．７ｌｍ／Ｗ）的蓝色有机电致发光器件。     

热处理温度对PST铁电薄膜微结构的影响

以Pb(OOCCH3)2·3H2O,Sc(OOCCH3)3·xH2O和Ta(OC2H5)5为原材料,用SolGel方法在Pt/Ti/SO2/Si(100)基片上成功地制备出厚度达1.5μm,无裂纹的PbSc0.5Ta0.5O3(PST)铁电薄膜.对(220)主晶向生长的PST薄膜分别在10～20min、650～800℃范围内进行热处理,结果表明:热处理温度在750℃时,PST薄膜转变为较为完整的ABO3型钙钛矿晶相结构,更高的温度将提高晶粒在(220)方向的取向度.实验发现,最佳热处理条件应为750℃×15min,该条件下制备的PST铁电薄膜呈蓝黑色,表面光亮.     

一种新居里常数计算方法

描述了一种根据热释电响应确定居里温度（Tc)以下铁电体居里常数（Cc)的方法,由Devonshire的铁电唯象理论证明表征热释电的响应的材料参数的p/ε＝ps/Cc,其中Ps是自发极化强度,对Sr0.5Ba0.5Nb2O6铁电体,详细研究了这种关系,对SBN和其它铁电体,观测到适用于Tc以上的居里－外斯定律ε＝Cc/(T-Tc)所得的Cc值与在Tc以下所得基本一致。     

体心立方双层铁磁性薄膜中的自旋波能谱分析

采用界面重参数化方法,研究了体心立方结构的铁磁性材料,在界面为铁磁性耦合情况下,两层薄膜中自旋波的本征模、能带结构、色散关系.同时,重点讨论横向(平行于界面方向)自旋波对纵向(垂直于界面方向)自旋波的影响,与简立方结构的结论作了比较,结果发现:结构的变化在很大程度上影响了各种模的性质.     

铁电多层膜中的退极化场

从最基本的电介质方程出发,给出了铁电双层膜、铁电三明治结构、铁电超晶格中退极化场的表示形式,并详细研究了退极化效应对反铁电耦合的铁电双层膜的极化以及电滞回线的影响.     

Co-NiO/FeNi双层膜的交换偏置效应

金属Co片和NiO靶材通过溅射得到Co-NiO薄膜, 当Co含量为25.2％时, Co-NiO/FeNi双层膜的偏置场H_E最大, 是未掺入Co时NiO/FeNi偏置场的3倍. 分析表明,金属Co的团簇镶嵌在NiO基质中, 该结构可提高铁磁/反铁磁双层膜的偏置效应.      

PLZT薄膜弛豫时间分布与极化特征研究

对溶胶-凝胶法制备的PLZT薄膜进行介电温度谱测试,根据不同温度ε′-ε″曲线的Cole-Cole经验公式进行拟合,并对PLZT薄膜的弛豫铁电体特性进行分析.实验结果表明:样品出现弥散相变,属于弛豫铁电体,且内部存在氧缺陷;样品的介电常数、最可几弛豫时间以及由经验公式拟合得到的温度函数在100～110℃温度范围内出现异常,结合材料介电响应理论说明材料晶体结构类型出现变化.     

脉冲准分子激光制备多层铁电薄膜的铁电性能研究

为ＦＲＡＭ、ＦＦＥＴ、ＦＤＭ的实际应用和研究提出了多层结构铁电薄膜的设计思想．采用脉冲准分子激光淀积方法实际制备了两种不同电极的ＢＩＴ／ＰＬＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ多层铁电薄膜．用Ｓａｗｙｅｒ－Ｔｏｗｅｒ电路测试了这两种薄膜的铁电性能．结果表明,多层结构铁电薄膜具有良好的铁电性能,并且以氧化物为电极的铁电薄膜的铁电性能优于用金属为电极的铁电薄膜