III族氮化物量子点中类氢施主杂质位置对束缚激子结合能的影响

在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应的情况下,研究了类氢施主杂质在量子点中的位置对III族氮化物量子点中束缚激子结合能的影响。结果表明:当类氢施主杂质位于量子点中心时,对于InxGa1-xN/GaN量子点,量子点高度和In含量存在临界值,当参数大于临界值时,约束在QD中束缚激子的结合能升高,激子态的稳定性增强,提高了激子的离解温度,使人们能在较高的温度条件下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰。而类氢施主杂质总是使束缚在GaN/A lxGa1-xN量子点中激子的结合能升高,载流子被更强的约束在量子点中。说明对GaN/A lxGa1-xN量子点,杂质使人们能在更高温度下观察到量子点中的激子。类氢施主杂质位于量子点上界面时,束缚激子的结合能最大,系统最稳定;随着施主杂质下移,激子结合能减小,激子的离解温度下降。     

半导体碳纳米管中的高能激子

利用单激发组态相互作用（ＳＣＩ）方法,对半导体性单壁碳纳米管的电子结构和光学吸收谱进行理论计算．结果表明,激发碳纳米管得到了由电子空穴对相互束缚而成的激子,除了实验上常观测到的低能激子态之外,在高能处,甚至在连续能带中还出现了激子．部分高能激子来源于类似表面态的激发．     

Exciton Seebeck in Molecular Systems

Various applications relevant to the exciton dynamics,such as the organic solar cell,the large-area organic light-emitting diodes and the thermoelectricity,are operating under temperature gradient.The potential abnormal behavior of the exicton dynamics driven by the temperature difference may affect the efficiency and performance of the corresponding devices.In the above situations,the exciton dynamics under temperature difference is mixed with     

激子动力学方法模拟GaAs(110)面恒高模式STM图像

应用激子动力学方法通过计算机模拟了GaAs(110)面扫描隧道显微镜（STM）恒高式图谱，并研究了在不同隧道偏压下图谱的变化状况，模拟结果表明，隧道偏压在0．01－0．09V范围，恒高模式STM图像分辨率随隧道偏压的增加而提高，但它们之间的函数关系较为复杂。     

表面吸附STM图象的激子动力学方法研究

本文借助於激子动力学方法，推证了单吸附ＳＴＭ系统隧道电流和探针位置的直接关系式．该方法比现有的常规方法有更多的优越性．     

量子阱的二维等效势模型的研究

量子阱的二维等效势模型是研究量子阱中少体问题行之有效的方法，本文对二维等效势模型进行了详细的数值计算和讨论，并指出了这种等效模型的可行性。     

聚乙炔中双激子和两个单激子的稳态性质

在Su-Schrieffer-Heeger (SSH)模型基础上,计入长程电子关联的影响,研究聚乙炔分子链中双激子态与2个单激子态的稳态性质,比较不同关联强度下激子的晶格位形、能级、电荷密度波、自旋密度波以及吸收谱线.结果表明:零电子关联下分子链中的2个单激子不能稳定存在；激子半径均随着关联强度的增加而减小；与双激子的...     

RGS中a－STE及原子解吸的机理研究

在单电子Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｆｏｃｋ近似的基础上采用扩展离子方法研究ＲＧＳ中原子型的激子驰豫及所导致的激发态原子解吸机理．研究表明激子──晶格相互作用在解吸过任中起着重要作用．研究结果是位于表面的及表现下一层的原子型激子，可通过空腔解吸机理导致激发态Ｎｅ原子的解吸，却不可能导致激发态Ｋｒ原子的解吸，这与它们的体内ａ－ＳＴＥ周围能否形成空腔有关．此外，对解吸原子的发光研究结果与实验符合得较好．