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11.
在有效质量近似下,用变分法研究了受限于闪锌矿InGaN耦合量子点中的激子态.数值结果显示了量子点的结构参数和铟含量对闪锌矿InGaN耦合量子点中的激子态有明显的影响.激子结合能随着垒层厚度的增加有个最小值,而随着点高和半径的增加单调地降低.  相似文献   
12.
在考虑像势影响的情况下,利用变分的方法计算了垂直电场下无限深介电势阱中激子的结合能,得到了像势对激子结合能的修正随阱宽、电场强度以及阱垒介电函数之比的变化曲线,我们发现:考虑像势影响对激子结合能及其Stark效应的修正是很有意义的,而且自像势和互像势对Stark效应的影响是相反的。  相似文献   
13.
在有效质量近似框架内,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含类氢杂质的G aN/A lxG a1-xN量子点中的激子态.结果表明:量子点中心的类氢杂质使激子的基态能降低,结合能升高,Q D系统的稳定性增强,光跃迁能减小;杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定;随着杂质从量子点的上界面沿着z轴移至下界面,激子基态能和光跃迁能增大,结合能减小.  相似文献   
14.
在存在着随机粗糙和空间色散时,利用了一个数字模型研究表面激子极化激元的定域化.发现定域化出现在表面激子极化激元的最大频率附近,在广延态上的衰减长度大于定域态上的衰减长度,表面激子极化激元的定域化是受到粗糙表面散射波的毁灭性干涉所引起的.  相似文献   
15.
在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应的情况下,研究了类氢施主杂质在量子点中的位置对Ⅲ族氮化物量子点中束缚激子结合能的影响。结果表明:当类氢施主杂质位于量子点中心时,对于InxGa1-xN/GaN量子点,量子点高度和In含量存在临界值,当参数大于临界值时,约束在QD中束缚激子的结合能升高,激子态的稳定性增强,提高了激子的离解温度,使人们能在较高的温度条件下观察到半导体量子点吸收谱中的激子峰。而类氢施主杂质总是使束缚在GaN/AlxGa1-xN量子点中激子的结合能升高,载流子被更强的约束在量子点中。说明对GaN/AlxGa1-xN量子点,杂质使人们能在更高温度下观察到量子点中的激子。类氢施主杂质位于量子点上界面时,束缚激子的结合能最大,系统最稳定;随着施主杂质下移,激子结合能减小,激子的离解温度下降。  相似文献   
16.
本文从晶格模型出发,同时考虑周期场和电子-声子相互作用对激子能态的影响。夫伦克耳激子在晶格中运动有两种不同方式:在低温区,是能带传递;在高温区,是跳跃过程。  相似文献   
17.
用无限深势阱和有限深势阱2种模型,计算了激子束缚能与球形量子点半径的关系.计算结果表明:对于无限深势阱模型,量子点中激子束缚能随着量子点的半径增加而减小;对于有限深势阱模型,当量子点半径较小时,束缚能随着量子点的半径增加而增加;当量子点半径增加到一定值时,它的束缚能达到最大值,继续增加量子点半径,束缚能反而减少.这些计算结果对深入理解半导体量子点中激子的物理本质具有一定学术意义.  相似文献   
18.
探讨了磁场B和杂质对二维激子低态能谱的效应.杂质被固定在z轴上且与激子所在的平面的距离为d.用直接对角化方法获得了激子低态能量E随B和d的演化.当d一定时,对于中性杂质(或者无杂质) 和带正电杂质,E随B的增加而增加.而对于带负电杂质,激子的角动量L等于0时,能量E曲线上升;L等于1、2、3时,能量E曲线先下降后上升.当B一定时,对于带电杂质,E先随d增加而急剧增加,后随d增加而几乎不变.  相似文献   
19.
强受限半导体量子点的形状对受限激子的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
在有效质量近似下,采用无限深势阱模型研究了强受限范围内球形、圆柱形、立方形半导体量子点的形状对受限激子的影响。结果表明对于采用体激子的等效Rydberg能量R^*比较大的材料制备的量子点,其形状带来的影响是显著的。  相似文献   
20.
考虑到晶体结构与电子能带结构,在 Hubbard 单带模型中引入电子与激子的互作用项,对有些氧化物超导体的反铁磁绝缘体—金属(超导)转变现象(M—I 转变),氧化物超导体的高 Tc 原因及二维特性进行了解释.  相似文献   
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