首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   625篇
  免费   42篇
  国内免费   19篇
系统科学   3篇
丛书文集   11篇
教育与普及   10篇
理论与方法论   2篇
综合类   660篇
  2024年   1篇
  2022年   6篇
  2021年   9篇
  2020年   10篇
  2019年   8篇
  2018年   8篇
  2017年   21篇
  2016年   9篇
  2015年   15篇
  2014年   17篇
  2013年   13篇
  2012年   21篇
  2011年   24篇
  2010年   28篇
  2009年   26篇
  2008年   26篇
  2007年   30篇
  2006年   36篇
  2005年   29篇
  2004年   32篇
  2003年   25篇
  2002年   36篇
  2001年   26篇
  2000年   20篇
  1999年   13篇
  1998年   22篇
  1997年   16篇
  1996年   20篇
  1995年   19篇
  1994年   22篇
  1993年   13篇
  1992年   14篇
  1991年   15篇
  1990年   8篇
  1989年   14篇
  1988年   11篇
  1987年   11篇
  1986年   10篇
  1985年   1篇
  1955年   1篇
排序方式: 共有686条查询结果,搜索用时 0 毫秒
681.
利用MoO3和NH3(CH4)的程序升温反应为合成高比表面积的氮(碳)化钼提供了新的方法,但是要作为工业催化剂批量生产仍存在许多困难。探索新的合成途径,研究其催化机理的工作仍有待深入。高比表面积氮化钼和碳化钼是一种新型催化材料,从催化剂的合成和表征、催化性能和助剂的研究等方面对高比表面积的氮(碳)化钼进行了系统的论述,并对研究中存在的问题进行了讨论。  相似文献   
682.
热压工艺对碳化硼显微结构和力学性能的影响   总被引:10,自引:0,他引:10  
讨论了不同热压工艺参数对碳化硼烧结体的硼碳原子比(B/C)、显微结构和力学性能的影响.实验结果表明:在烧结过程中,粉体中的游离碳通过与碳化硼晶体之间的扩散,使碳化硼的B/C发生下降;碳化硼烧结体的杨氏模量随其体积密度的增加而升高,抗弯强度与气孔率和晶粒尺寸有关,当热压温度和热压压力分别为2000~2100℃和30~35MPa时,碳化硼烧结体的晶粒尺寸均匀,为3~5μm;相对密度为92%~98%T.D.;抗弯强度为400~500MPa.  相似文献   
683.
铝硅合金表面激光Ni/WC梯度层组织结构   总被引:2,自引:1,他引:2  
利用5kWCO2激光器在铸造铝硅合金表面两次重熔预置合金粉末,制备出Ni/WC梯度层,并对它们的显微组织进行了分析,结果表明,在激光梯度层表面存在与单一激光合金化层不同的Al3Ni2区和未熔碳化钨,而在单一激光合金化层中所有的碳化钨颗粒全部溶解,在激光梯度层内自基体至表面铝,镍等元素的含量变化较单一激光合金化层缓和,显微硬度呈梯度变化,而单一的激光合金倾层显微硬度曲线存在一“平台”区,同基体组织之间硬度有较大差异。  相似文献   
684.
LM2000B型光速测量仪的初始状态调整   总被引:1,自引:0,他引:1  
主要阐述了如何对LM2000B型光速测量仪的初始状态进行调整,以保证实验测量数据的准确性。  相似文献   
685.
采用粉末冶金法制备了不同 B4C 含量(1wt%、6wt%、15wt% 和 30wt%)的碳化硼增强铝基复合材料(Al?B4C),并研究了 B4C 含量对其力学性能和摩擦学行为的影响。在7 N载荷下, Al?30B4C 复合材料的密度最高 (~2.54 g/cm3)、孔隙率最低 (4%)、维氏硬度最高 (HV ~75)、重量损失最低 (0.4 mg) 和比磨损率最低 (0.00042 mm3/ (N·m)),与纯铝相比,硬度提高167%,失重降低75.8%,比磨损率降低76.7%。此外,磨损表面的扫描电镜图像显示,Al?B4C复合材料在7 N载荷下的最窄磨损槽为0.85 mm,主要磨损机制为磨粒磨损机制。根据摩擦分析,表面之间的摩擦系数随着碳化硼含量的增加和外加载荷的减少而增加。总之,就 Al?B4C 复合材料的摩擦学和力学性能而言,B4C 是一种有效的增强材料。  相似文献   
686.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号