对十二烷氧基苯甲酸铕四元配合物的合成及其光致发光

合成了对十二烷氧基苯甲酸-二苯甲酰甲烷(DBM)-邻菲罗啉(phen)-铕四元配合物,用元素分析(EA)、红外光谱(FT-IR)、氢谱(1HNMR)和紫外光谱(UV)对所合成的铕配合物进行了表征;由于长链的引入,配合物在氯仿等挥发性有机溶剂中具有好的溶解性,为以后与高分子基体复合创造了条件;配合物在波长342 nm激发下,发出以铕的特征发谢谱线615 nm左右为主的强荧光.     

反兴奋剂——奥林匹克永恒的课题

世界体坛兴奋剂泛滥成灾,玷污圣洁的奥林匹克运动。新的兴奋剂不断涌现,今IOC防不胜防。随着人类基因组计划的完成,人类遗传密码的破译,基因兴奋剂将很快产生,奥林匹克将面临极为棘手的课题,反兴奋剂斗争似乎永远无法停息。应当加大力度呼吁全世界人民提高对兴奋剂危害性的认识,杜绝研究、制造和使用兴奋剂。同时应当鼓励运动员人人从自我做起,拒绝使用兴奋剂,奥林匹克的圣火才能永放圣洁的光芒。     

有机萃取相中Eu(Ⅲ)的配位层结构

本文利用Ｅｕ（Ⅲ）在有机萃取相中，５Ｄ０→７Ｆ２５Ｄ０→７Ｆ１两个跃迁的荧光峰高及比值作为研究Ｅｕ（Ⅲ）配位层组成和结构的探针。研究了ＴＢＰ，ＤＢＰ，Ｐ２０４与Ｐ５０７等４种有机磷萃取剂和Ｅｕ（ＣｌＯ４）３，Ｅｕ（ＮＯ３）３两种铕盐水溶液的萃取物的荧光光谱。发现萃取剂直接取代内配位层中水的能力不强，在萃取物中很可能形成外配位层，表现为荧光受到内层水分子的强烈猝灭。利用阴离子对Ｅｕ（Ⅲ）亲和力的差别，用ＮＯ３－先行取代或从有机萃取物中取代内层的水分子，可观测到荧光的明显增强，表明内配位层［组成与结构的变化。这一现象有可能用作改进萃取剂设计和萃取工艺时的参考。     

单一白色发光层的OLED制备与发光性能研究

研制了两种类型单一白色发光层的有机电致发光器件(OLED),即小分子Zn(BTZ)2的掺杂型器件：ITO／PVK：TPD／Zn(BTZ)2：Rubrene／Al和聚合物LPPP的混合型器件：ITO／混合型发光层／Al,获得了较高的器件亮度和发光效率,且色坐标均非常接近于白色等能点,进而对上述器件的发光和电学性能进行了初步研究。     

高通量技术研制开发甲醇制丙烯催化剂

采用高通量催化剂评价技术,筛选开发了具有高活性高选择性的甲醇制丙烯反应（MTP催化剂．分别以商品和自制ZSM-5沸石为对象,详细研究了沸石硅铝比,晶粒大小对丙烯收率和选择性的影响,并对ZSM-5沸石进行了酸改性和孔道结构改性等优化处理,得到了性能优异的MTP催化剂．研究表明,复合改性后催化剂的甲醇转化率为100％,丙烯收率最高可以达到42％以上;在470℃,WHSV=2h,甲醇浓度为60％时,催化剂寿命超过700h．     

Crystal Structure and Dielectric Properites of Bao.6Sr0.4TiO3/MgO Ceramics Doped with ZrO2 and MnO2

通过固相反应法制备Mn、Zr共掺杂钛酸锶钡／氧化镁陶瓷粉体,经干压成型后在空气气氛中于l450℃烧结4h,通过扫描电子显微镜和X射线衍射研究了ZrO2和MnO2共掺杂的Bao6Sro4TiO3／MgO复合陶瓷材料的微结构和介电性能。结果表明：Zr02可以显著降低材料的介电常数和介电损耗,有效提高了陶瓷材料的温度稳定性;随ZrO2添加量的增加,体系的晶胞参数略有增加,MgO在钛酸锶钡中以独立相的形式存在：制备出的BST铁电陶瓷材料的25℃相对介电常数较低（＆〈110）,介质损耗小于1．0×10^-3（在频率为10kHz时）,温度系数小于6．012×10^-3,可调性大于20％（8．0kV／mm）,适用于制作移相器。     

非铁电性巨介电材料CaCu3Ti4O12的研究进展

目的综述介电材料CaCu3Ti4O12(CCTO)研究的新进展,提出本研究领域需要进一步深入的方面,并在此基础上分析其发展前景。方法在介绍CCTO相结构的基础上,对其巨介电机制模型、制备方法、掺杂改性及其复合材料的研究进展进行总结。结果根据CCTO巨介电机制模型,设计新的巨介电材料或者复合材料,进一步降低其介电损耗,开发该类巨介电材料的应用新领域。结论 CCTO陶瓷具有巨介电常数及优异的温度稳定性,进一步降低其介电损耗将有很好的应用前景。     

Bi,Se和Te吸附n/p型石墨烯电子结构研究

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Bi,Se,Te在缺陷(单空位,B掺杂和N掺杂)石墨烯上的吸附结构及电子和磁性质.研究表明:在能量稳定的Bi(Se)/石墨烯吸附体系中,Bi吸附诱导产生磁性;在空位缺陷石墨烯上的吸附会改变费米能级处态密度分布,影响体系的导电性质;在B(N)掺杂吸附体系中,B比N对吸附原子的影响大;除Se在B掺杂石墨烯上吸附外,Bi,Se,Te在其它n/p型掺杂吸附体系中均显示磁性.缺陷增强了Bi,Se,Te与石墨烯之间的相互作用,对吸附体系的电子结构和电荷分布有较大的影响.     

Ca0.85Bi0.10Cu3Ti4O12陶瓷的介电性能研究

利用固相反应法制备了Ca0.85Bi0.10Cu3Ti4O12 （BCCTO）高介电陶瓷材料.通过X射线衍射、介电频谱、阻抗谱和I-V特性曲线等测试,研究了不同烧结时间对BCCTO陶瓷结构和介电性能的影响.研究发现不同烧结温度的BCCTO陶瓷均为立方相钙钛矿结构,随烧结时间的延长其介电常数和非线性特性均有明显提高,样品表现出明显的Maxwell-Wagner （M-W）弛豫特征,表明样品中包含半导型的晶粒和绝缘层,这种IBLC结构对其介电和I-V特性都有重要贡献,延长烧结时间可以显著增强M-W弛豫特性.     

高温超导体YBaCuO光掺杂效应的正电子寿命谱研究

报道了YBaCuO高温超导体进行光掺杂的基本情况,提供了正电子寿命与光掺杂量之间的变化关系,讨论了光掺杂机理,并将实验结果与理论模型进行了对比.