基于△DOR信号的高精度VLBI技术

在嫦娥二号（CE-2）工程中,我国首次开展了X波段ADOR测量实验,获取了ADOR信号的VLBI时延数据,并用于精密定轨．本文给出了CE-2中ADOR信号的VLBI测量与数据处理方法,结合我国VLBI测量系统对时延数据进行了误差分析及精密定轨分析．结果表明：ADOR信号的VLBI时延精度优于0．5ns,比利用S波段信标的测量精度提高约一个数量级．本研究成果为后续的月球及深空探测高精度测定轨提供了重要的技术手段．     

Beating the VAR: Improving Swedish GDP Forecasts Using Error and Intercept Corrections

This paper examines the forecast accuracy of an unrestricted vector autoregressive (VAR) model for GDP, relative to a comparable vector error correction model (VECM) that recognizes that the data are characterized by co‐integration. In addition, an alternative forecast method, intercept correction, is considered for further comparison. Recursive out‐of‐sample forecasts are generated for both models and forecast techniques. The generated forecasts for each model are objectively evaluated by a selection of evaluation measures and equal accuracy tests. The result shows that the VECM consistently outperforms the VAR models. Further, intercept correction enhances the forecast accuracy when applied to the VECM, whereas there is no such indication when applied to the VAR model. For certain forecast horizons there is a significant difference in forecast ability between the intercept corrected VECM compared to the VAR model. Copyright © 2015 John Wiley & Sons, Ltd.     

企业员工E-Learning接受意向影响因素研究

企业员工对E-Learning的接受意向影响着E-Learning培训的有效性。本文在技术接受模型(TAM)的基础上结合E-Learning的特点,建立了企业员工E-Learning接受意向影响因素理论模型并提出相应假设。通过对采用E-Learning培训方式的企业员工进行问卷调查获取数据后,利用结构方程模型对研究假设进行检验并对理论模型予以修正。结果表明,技术特性、个体特性和组织支持都能通过个体感知因素间接影响行为意向,感知易用性对行为意向既能产生值接作用,又能通过感知有用性产生间接影响,是行为意向最重要的影响因素。最终根据研究结论对企业有效引入和实施E-Learning提出了建议。     

高k栅MOSFET栅–源/漏寄生电容的半解析模型

文章针对高k栅MOSFET的栅介质层及其侧壁掩蔽层提出了一个二维定解问题,求出了二维电势和电荷分布.文章根据栅极电荷与栅源及栅漏电压关系,提出了MOSFET的栅极和源极/漏极之间的寄生电容的模型,用半解析法计算了这些寄生电容,得到了寄生电容与几何尺寸之间的关系.文章的计算结果表明改变栅极电介质常数可以得到一个寄生电容的最小值,计算结果与CST仿真结果能够很好地符合.     

摩擦化学反应活化能对CMP的影响

根据质量作用定律,测定了铜膜在静态腐蚀和化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing,CMP）两种反应条件下的化学反应速率常数;通过Arrhenius方程,测定了铜膜在两种反应条件下的化学反应活化能.结果表明：当抛光液温度为298.15 K,工作压力为13 780 Pa时,静态腐蚀条件下体系化学反应速率常数是114.80 s^-1,而CMP条件下体系的化学反应速率常数是412.11 s^-1,同时,CMP条件下的反应活化能为4 849.80 J,静态腐蚀条件下的反应活化能为31 870.30 J,由此得出,反应活化能的降低是CMP过程中的机械摩擦作用所致.因此,根据CMP过程中铜膜和抛光垫各自克服滑动摩擦力所作的系统功,推导出CMP过程中活化能降低值的系统功表达式,并通过改变工作压力和转速来验证该表达式的适用性.     

一类二阶微分方程概周期解的存在性

讨论一类二阶微分方程周期解和概周期解的存在性. 在g为连续同胚的假设下, 通过应用两次不动点定理证明了当e(t)为T周期函数时, 该方程存在惟一T周期解; 并利用逼近方法证明了当e(t)为概周期函数时, 该方程存在概周期解.     

Wick类型随机广义Kdv-MKdv方程的精确解

通过埃尔米特变换将Wick类型的随机广义Kdv MKdv方程变成广义系数Kdv MKdv方程, 利用截断展开法求出广义系数Kdv MKdv方程的精确解, 并通过埃尔米特逆变换得到了随机广义Kdv MKdv方程的精确解.     

四阶Duffing方程周期解的存在性

利用拓扑度理论, 证明了四阶Duffing方程 x⁽⁴⁾+x′+g(x)=e(t)周期解的存在性.     

交替变化利率下的风险模型

研究了利率交替变化的风险模型的生存概率.首先建立生存概率应该满足的微分-积分方程,然后得到生存概率的Laplace变换满足的方程并对该方程的解法进行了讨论,最后在索赔额为指数分布时得到了生存概率的微分方程.     

微分方程的反序上下解方法

利用反序上下解组合单调迭代技术,讨论了一类带积分边界条件的微分方程解的存在性问题,得到了几个新的存在性定理.