静电屏蔽物理原理

本文从电场强度、电势两方面探讨了静电屏蔽的物理原理以及静电屏蔽的实质。     

定量研究化学反应活性的的理论模型

应用杂化轨道和键轨道理论,以广义微扰理论为基础,建立了定量研究加成反应、取代反应、环合反应等的反应活性模型,并对氢键体系及Diels-Alder进行了讨论。     

像势对量子阱中类氢杂质结合能的影响

在有效质量近似下，利用变分方法研究了像势对量子阱中类氢杂质结合能的影响。计算中考虑到了阱和垒中电子有效质量的不同。数值计算结果表明：阱和垒中质量的不连续只对阱宽较窄的区域有影响，而像势则在整个区域都有影响．对于阱和垒中介电常数之比较大和阱宽较小的量子阱，考虑像势对阱中杂质结合能的修正是非常必要的     

工矿企业能量平衡通用模式的研究

提出了适用于工矿企业能量平衡的一种通用模式，将与ＧＢ３４８４－８３《企业能量平衡通则》再增加“一表两图”──“企业能量平衡表”、“企业能源网络图”和“企业能流图”的效果相一致，能更加科学、合理地反映企业能量平衡的结果。     

任意形状导体空腔内的电位及场强分析

由静态场的泊松方程求出任意形状导体空腔内的电位和场强分布，说明即使导体空腔表面的电荷分布不均匀，但空腔内部的电位仍然处处相等，整个导体是等位体，场强分布为零，与导体空腔形状无关．这一结论在分析静电屏蔽及TEM波在空芯金属波导管中的传播有一定的意义。     

NSRL-XAFS光束线弧矢聚焦双晶单色器设计

针对XAFS光束线能量动态扫描的实验特点，介绍了弧矢聚焦双晶单色器的物理设计：包括晶体光学结构、性能参数计算、晶体热载分析和弧矢弯曲原理．弧矢缩比选择为1：4．88，水平接收角由原来的1mrad拓宽到3mrad，在不改变基本配置的情况下，获得了样品上束癍缩小、光子通量高达半个量级以上的增益．     

Au吸附在GaAs（110表面的研究

研究了Au吸附在GaAs(110)表面的吸附构型,并计算了表面态密度和表面能带结构.计算结果表明,可以认定Au与Ga的悬挂键杂化成键,从而引起2条附加的能带,一条位于禁带之中,距价带顶为0.9ev;另一条与价带共振,离价带顶为0.7ev,所得结果与实验结果相一致.     

新电位溶出分析方法研究

本文对新电位溶出分析方法进行了综述和研究,并着重讨论了流动注射电位溶出分析和间断多次扫描流动注射电位溶出分析.     

采用自举技术的不完全绝热电路

为了大规模集成电路的低能耗应用,提出了一种不完全绝热电路——自举能量回收逻辑电路(bootstrapenergyrecoverylogic,BERL)。该电路采用二相无交叠功率时钟。由于采用自举技术,使负载的冲放电过程不会产生非绝热损失,并且输出开关的导通电阻变小,使绝热损失降低。为了比较BERL电路与静态CMOS电路及PAL-2n绝热电路的能耗,设计了反相器链电路。Hspice软件仿真结果表明,BERL电路的工作频率可以超过400MHz。在10～100MHz下,BERL能耗只有静态CMOS电路的25%～33%。相对于PAL-2n电路,BERL也有较低的能耗。在200MHz下,BERL能耗只有PAL-2n的50%。负载越重,BERL电路的低能耗优势越明显。     

YN相互作用和轻超核∧^5He结合能的计算

在手征SU(3)夸克模型基础上，用共振群方法，给出∧N相互作用的非定域位，并用于轻超核∧^5He的结合能的计算，得到了与实验和其他方法相近的结果．