多电平逆变器技术及其原理综述

对多电平逆变器的基本原理和多电平逆变器的各种拓扑进行了分析,同时指出了各类拓扑的优缺点。分析了已有多电平逆变器不同的载波PWM控制方法,重点研究了多载波PWM控制方法,并以二极管钳位式五电平逆变器为例进行了仿真研究。同时采用了三次谐波注入法,对输出波形的谐波进行改善。     

Poly-Si TFT有源驱动OLED单元像素电路的参数设计

根据有机电致发光显示器件(OLED)的发光特性及多晶硅 薄膜晶体管 (Poly-Si TFT)的工作特性, 对Poly-Si TFT有源驱动OLED的源极跟随型双管 单元像素驱动电路进行了理论计算和模拟仿真, 确定了单元像素中的各种器件参数; 通过AI M-Spice的模拟仿真了整个像素电路工作状态, 对器件参数进行了优化.     

混合主体材料分布对白色磷光有机发光二极管器件光谱性能的影响

在具有双发光层结构的二元白光器件中,研究了混合主体材料的位置和混合主体与客体材料的不同组合对白色有机发光二极管(WOLED)器件电光特性和光谱性能的影响。通过实验,在简单的器件结构中,同时获得了高效率和高颜色稳定性的器件,最优器件的最大亮度为29 630cd/m~2,最大功率效率和电流效率分别为20.84lm/W和33.87cd/A。当电压在5～9V之间变化时,色坐标(CIE1931)为(0.37±0.01,0.44±0.01)。     

利用CBP作为缓冲层增加有机发光器件的效率

制备一种利用4，4′-N，N′-dicarbazole—biphenyl（CBP）作为超薄空穴注入缓冲层．CBP作为一种较好的缓冲材料，改善了有机发光器件的性能．CBP阻挡部分从阳极ITO注入到有机层NPB的空穴，从而平衡了空穴和电子的注入．有缓冲层的有机发光器件比没有缓冲层有机发光器件的电流效率有了明显的提高．当缓冲层CBP为4nm时，最大电流效率在8V时达到5．66cd／A，这是没有缓冲层器件电流效率的近1．5倍．     

穿通型pn结二极管的击穿电压

提出了一种确定穿通型二极管轻掺杂区一系列参数的方法，在大量数值计算基础上，获得了有效率电离率系数随硅单边穿变结轻掺杂区材料导电类型和电阻率变化的经验公式，把这种解析方法与有效电离率参变量相结合所得结果大电压范围内与数值计算结果符合得相当好。     

基于二极管等效模型的2.45 GHz微波整流电路的设计

提出了一种提取二极管等效模型的方法,并基于该方法设计了微波整流电路.文中首先根据软件自带HSMS-282C肖特基二极管的电路模型,设计、加工并测试了一款工作于2.45GHz的微波整流电路;然后根据测试结果优化了二极管等效模型的相关参数;最后用得到的等效模型替代二极管重新设计了整流电路.其中,为了减少焊接产生的寄生参数对测试结果的影响,采用了阻抗阶跃微带线来设计低通滤波器.实验结果表明,基于本文得到的二极管等效模型设计的微波整流电路,其仿真结果和测试数据可以良好地吻合.在输入功率为20dBm、负载为500Ω时,整流电路实现了73.4%的转换效率.     

浅析广色域液晶显示器

本文介绍了液晶显示器广色域的发展脉络和实现广色域的解决方案,指出液晶显示器色域的物理极限主要由光源和彩色滤光片决定,色彩引擎技术仅能对色彩表现做局部增强;图像色彩还原程度取决于图像捕捉和处理过程、数据传输和显示设备的能力。     

共振隧穿二极管串联电阻测量方法的比较与分析

介绍了采用3种测量GaAs基RTD器件的串联电阻参数的方法：温度特性法、外加电阻法和电桥法．研究发现，不同的测试手段，得到的串联电阻值存在较大差异．对每种测量方法的原理进行了比较分析，由于3种方法分别针对RTD的不同电流区域进行测量，因而串联电阻会随着测量区域的改变而变化，导致测量结果不一致对于RTD的不同用途要采用对应的测试方法，这为RTD在电路方面的应用奠定了基础．     

沈阳居民光污染认知度的调查分析

以沈阳市居民对光污染的认知情况为实例，开展了问卷调查与分析，收回464份有效问卷.对有效问卷进行了统计分析.调查分析结果表明:有光污染意识的居民不到10%，从不知光污染概念的居民高达20%；虽然90%以上的居民认为夜间过亮的灯光严重影响睡眠，但当遇到光污染侵害时，大多数(639%)居民持忍受态度，并无意识采取法律手段来解决问题.可见，沈阳居民对光污染的认知度还很低.     

Improvement of extraction efficiency for GaN-based light emitting diodes

A simple, low cost method for mass production to enhance the light extraction efficiency of GaN-related LEDs was proposed. With appropriate process parameters, the nature lithography of nanosphere can be used to fabricate two- dimensional nanostructures, including the nanomesh ZnO layer, photonic crystal (PhC) patterned p-GaN, and patterned sapphire substrates. Based on preliminary results, the extraction efficiencies of LEDs with these nanostructures can thus be improved and the nature lithography is demon...