光纤光谱仪在LED光通量测量中的应用

由于LED的光谱功率分布较窄,而光度测量中采用的光度探头的响应和标准光谱光视效率函数V(λ)很难做到完全匹配,因此在LED光通量测试中极易引入光谱失配误差.现提出了在LED光通量测试仪中引入光纤光谱仪对光通量测试结果进行光谱失配校正.在验证实验中对不同光谱功率分布的LED样品进行了测量,并且与中国计量科学研究院测试的标准光通量进行了比较,实验数据表明,在LED光通量测试中引入光纤光谱仪进行光谱失配校正能够提高测试精度,其中对单色光LED提高最为显著.     

OLED电极引线的腐蚀机理分析

有机电致发光器件(OLED)电极引线发生腐蚀是OLED失效的重要原因.用XRD,XPS,SEM和EDX等方法对镀Cr的ITO电极引线样品的腐蚀产物成分、结构和形貌进行了分析,XRD和XPS结果表明镀层Cr反应生成Cr(OH)3和CrO3,SEM和EDX结果表明Cr先腐蚀,ITO随后发生腐蚀.然后通过对引线样品在不同溶液中的极化曲线分析,得知Cr腐蚀产物的价态与其所处的电位有关,且氯离子对ITO腐蚀具有促进作用.最后根据实验结果对电极引线腐蚀的全过程提出一简化模型进行解释.     

二极管电容检测用于微加速度计的误差分析

方波激励下的环形二极管电容检测电路应用于微机械加速度计是一种新的尝试.根据实践,该方案可以很好地在闭环系统中工作.该文建立了这种解调电路的数学模型,进行了误差分析,给出了其参数对闭环系统的影响.该方案在将检测电容变化转换为电压变化的过程中会引入非线性因素,该文证明了这种影响在闭环后可以忽略.计算结果表明,较解调电容的变化,敏感结构电容的变化将对输出电压的变化起主要的影响作用.此外,推导出的静电力公式说明,较大的激励电压会减小系统的稳定裕量.     

基于脉冲注入调制的LD光功率-电流-电压特性测试系统

为精确测试半导体激光器(LD)的光功率-电流-电压(LIV)特性,提出一种基于脉冲注入调制的方法,并据此研制新型的LD脉冲测试系统.系统通过给被测LD注入脉冲宽度、周期及幅度连续可调的脉冲电流,采集恒功或恒流工作LD的工作电流、两端电压、背光电流和输出光功率等信息,绘制LD的LIV特性曲线,并以此推断LD的性能.采取低占空比的脉冲注入,有效抑制了LD有源区温度升高,保证了测试的可靠性和准确性.实验结果表明,脉冲电流的稳定度达到10-4,系统满足设计要求,其性能优于连续测试系统.     

可调谐半导体激光光谱技术在工业控制监测氧气浓度中的应用

采用分布反馈式（Distributed feedback,DFB）半导体激光器作为光源,通过检测760nm附近氧气的一条转动吸收线对排放的气体中氧气的浓度进行实时监测．采用开放式双光程设计,并通过背景信号拟合的方法消除消光系数对检测的影响．实验结果证明,该方法是可以对氧气的实时在线浓度进行检测的一种比较简单的方法．     

WLED用铕激活正硅酸锶荧光体的光谱性质与晶相的关系

采用喷雾热解两步法、高温固相法分别制备了纯相的α’-Sr2SiO4:Eu2 和β-Sr2SiO4:Eu2 荧光体.利用高斯函数拟合,首次确定了每个物相荧光发射谱的具体峰位,即α’-Sr2SiO4:Eu2 的发射峰为489.1 nm/555.1 nm,β-Sr2SiO4:Eu2 的发射峰位为468.8 nm/539.7 nm/593.2 nm.发现β-Sr2SiO4:Eu2 中存在两个反常的发射峰,一个峰位随激发波长的变化而在局部出现振荡,另一个对于β-Sr2SiO4:Eu2 晶格而言是一个额外的发射峰.对于前者我们提出了一个简化的能级图来说明,后者我们确定其为磷光.解析物相与荧光光谱的对应关系,对于荧光体的改进和发光学理论研究都具有重要意义.     

多电平逆变器技术及其原理综述

对多电平逆变器的基本原理和多电平逆变器的各种拓扑进行了分析,同时指出了各类拓扑的优缺点。分析了已有多电平逆变器不同的载波PWM控制方法,重点研究了多载波PWM控制方法,并以二极管钳位式五电平逆变器为例进行了仿真研究。同时采用了三次谐波注入法,对输出波形的谐波进行改善。     

寄生参数对半导体激光器直接调制特性的影响

通过理论推导和模拟计算,给出激光器调制带宽和其它参数之间的关系。分析了不同张驰振荡频率、衰减系数和寄生参数下的调制特性。结果表明当寄生参数过大时,激光器的3 dB调制带宽主要受寄生参数限制,因而只能在解决了寄生参数限制的前提下,通过对器件的有源区和结构进行优化才能获取高的3 dB调制带宽。对于制作的聚酰亚胺埋沟掩埋激光器和AlGaInAs脊型波导激光器其最大3 dB调制带宽分别为5 GHz和8.5 GHz,定性地解释了两类半导体激光器调制特性的测试结果。     

阵列半导体激光器的单元均匀性与器件的质量关系

本文通过电导数和光导数技术对阵列半导体激光器及单管并联模拟阵列进行了测试,通过对表征半导体激光器质量的h和Q参数的测试,研究了各单元器件均匀性与其组成的阵列器件的质量的关系。导数测试的h和Q参数可以给出阵列器件的均匀性,导数技术可以用来评价阵列半导体激光器的质量。     

Automatic Measurement of LED Colorimetric Parameters Based on LabVIEW

In order to accurately and automatically measure the light emitting diode ( LED ) colorimetric parameters,the design of a measurement system by adopting a high-performance spectrometer and looking-up t...