有关“二极管特性曲线测定”实验的讨论

普通物理实验教材中,对“二极管特性曲线测定”实验未加讨论直接采用了Id＝Ie（exp（eV/kT）-1）的解析公式,要求由实验结果求出指数e/kT,从而求出电子电荷e,或波尔兹曼常数k,并和理论值比较,考察实验误差．这种要求由于实际结果偏离解析公式较大,因而不尽合理．本文讨论了有关实验结果,并对上述结论作了必要的说明．最后建议对该实验的要求作合理的调整,即主要考察V—A的一般关系．     

黄色荧光粉Sr3SiO5:Eu2+相转变机理简

高温固相法合成Sr3 SiO5：Eu2＋过程中,杂质相Sr2 SiO4：Eu2＋的存在会不同程度影响Sr3 SiO5：Eu2＋的光致发光性能及余辉性能。本文通过压片烧结和燃烧法两种方法制备Sr3 SiO5：Eu2＋,结合热重-差热分析和X射线衍射分析,研究了Sr3 SiO5：Eu2＋在合成过程中的相变化规律以及动力学过程。研究表明：原料与坩埚的接触处形成的界面以及原料在升温过程经过Sr2 SiO4：Eu2＋的合成温度区间是导致杂质相产生的主要原因。在升温过程中,当温度经过1200℃左右的温度区间时,由于原料与坩埚接触处可以看作是两组不同物质的分界面,Sr2 SiO4：Eu2＋的合成首先在该分界面处合成,而更多的原料需要扩散通过生成物层才能进一步反应;但随着温度的升高,原料随后进入Sr3 SiO5：Eu2＋的合成过程,从而导致了Sr2 SiO4：Eu2＋杂质相的生成。     

基于C8051F020单片机的半导体激光器稳频系统

为推进半导体激光器稳频技术向数字化、 智能化发展, 提出一种基于C8051F020单片机的数字辅助稳频方法。该方法通过对饱和吸收信号进行检测, 得到半导体激光器频率变化的误差量, 再利用对误差信号的计算处理反馈给电流控制及温度控制, 从而对半导体激光器进行稳频, 并据此思路设计了稳频系统的硬件电路及软件辅助锁频程序。经实验验证, 该系统实现了开机自动稳频, 在失锁后能重新锁定, 得到秒稳8.39×10^-11, 千秒稳7.99×10^-12的稳定度指标。     

界面二氧化硅层对二极管辅助硅基磁电阻效应影响的研究

本文制备了二极管辅助的晶体硅磁阻(magnetoresistance,MR)器件,研究了界面二氧化硅层的磁阻放大作用及器件在硅基磁电子器件中的可能应用.通过有与无二氧化硅层的实验对比,发现引入二氧化硅层后器件的磁阻在室温和1.2T磁场下达到了527%,磁阻性能提升了76%以上.通过对无磁场作用下伏安特性的测量,证明了氧化硅层的引入增加了界面电阻,通过等效电路分析,对相关机理进行了讨论.这项工作将为硅基磁电子器件的可能应用提供一种新的方法.     

法布里-珀罗半导体激光器的波长连续可调光脉冲生成技术研究（英文）

文章论述了基于注入锁定增益开关调制法布里-珀罗半导体激光器(FP-LD)的波长连续可调脉冲生产技术.包括两方面的内容:1自激注入锁定FP-LD系统以获得波长连续可调脉冲输出,在48 nm波长范围获得37 dB以上的边模抑制比(SMSR),重复频率为2.5 GHz;2带有波长选择反馈环的外注入锁定FP-LD系统以获得波长连续可调脉冲输出.在20.4 nm的波长调节范围内获得31 dB以上的边模抑制比(SMSR).系统结构简单,可工作在任意重复频率上.     

利用双发光层结构提高N-BDAVBi掺杂器件的效率

制备了基于N-BDAVBi的高效率双发光层蓝色有机电致发光器件(OLED),器件中将蓝色荧光染料NBDAVBi作为客体发光材料分别掺入主体材料TCTA和TPBi中,器件结构为ITO/m-MTDATA(40 nm)/NPB(10nm)/TCTA:N-BDAVBi(15 nm)/TPBi:N-BDAVBi(15 nm)/TPBi(30 nm)/LiF(0.6 nm)/Al(150 nm),最大电流效率达到8.44 cd/A,CIE色坐标为(0.176,0.314),并且在12 V的电压下,亮度最大达到11 860 cd/m2,分别是单发光层结构器件的1.85倍和1.2倍.器件性能提高主要归因于双发光层扩大了载流子复合区域,主客体间的Forster能量转移.     

双包层光纤激光器泵浦源的光束整形及耦合系统

为了提高双包层光纤激光器泵浦光的耦合效率,对泵浦光采用直角棱镜组进行了光束整形、空间滤波、非球面镜聚焦。实验测得滤波小孔尺寸为2mm×0.8mm时,聚焦光斑为325μm×200μm,系统的耦合效率为38％。该系统适当改进后可用于实施百瓦级光纤激光器的泵浦实验。     

自聚焦透镜耦合激光二极管泵浦固体激光器

介绍了用于全息实百联想存储系统中的固体激光器,采用了自聚焦透镜耦合的激光二极管系统固体激光器,使光源的结构进一步简化,体积大大缩小,其稳定性得到了提高。     

阴极温度分布对发射本领测量的影响

对阴极电子学中测试用二极管的阴极丝进行了热特性分析.采用数值方法计算了常用基底W、Mo阴极金属丝在不同条件下的温度分布,同时首次给出了这两种材料在宽温区内导热系数、辐射系数的计算公式.对阴极温度的不均匀导致的发射电流偏差进行了计算分析,并首次得到了发射电流误差小于5%的阴极丝最小长度的计算公式.这些公式对圆筒形测试二极管几何参数的选取具有实际的意义.