大功率LD泵浦全固态激光器综述

本文概述了大功率LD泵浦全固态激光器的基本原理和基本结构，介绍了大功率LD泵浦全固态激光器的应用领域及目前的应用水平，分析了我国发展LD泵浦全固态激光器的重要意义。     

高功率激光二极管线性阵列光束特性的研究

该文对激光二极管线性阵列的光束特性进行了研究．基于二阶矩定义，对激光二极管线性阵列光束的光束质量(M＾2因子)、束宽、远场发散角和内禀像散不变量等光束特征参数作了理论推导和分析．对激光二极管线性阵列光束的近场光强分布的理论模拟与实验结果相符．     

基于LED的透射型傅里叶变换光谱仪的研究

采用发光二极管(LED)作为光源,借助时间分辨精度为亚飞秒的迈克耳逊干涉仪对Nd2O3硝酸溶液的吸收干涉图进行测量,并通过傅里叶变化得到其吸收谱,从而证实了用LED作为透射型傅里叶变换光谱仪光源的可行性.     

GaAsMMIC压控带通有源滤波器的一个实现

采用负阻电路以及由作者自行构造的模型设计的集成化平面肖特基变容管,应用ＧａＡｓＭＭＩＣ技术实现了Ｌ波段大调频范围压控带通滤波器．该滤波器具有２００ＭＨｚ的３ｄＢ带宽,其中心频率调频范围约６００ＭＨｚ,从１．０～１．６４ＧＨｚ,并具有足够的带外抑制比．全部偏置电路均在芯片上,芯片占用面积１．６ｍｍ×１．８ｍｍ．     

影响InGaP／InP半导体激光器阈值电流密度若干问题的研究

本文对影响ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器阈值电流密度的晶格失配，掩埋异质结构和掺杂控制等问题进行了分析和讨论．从Ｋｕｐｈａｌ和Ａｒａｉ模型着手计算了与ＩｎＰ晶格匹配ＩｎＧａＡｓＰ的熔体组成．并从实验上进行了仔细调整．获得了激射波长为１．３μｍ．失配量≤１．４×１０－３的ＤＨ结构ＬＰＥ工艺条件．探讨了新的腐蚀工艺和二次外延工艺参数对掩埋异质结构形成的影响；提出采用二次外延过程中Ｚｎ扩散来控制限制层（３）掺杂的新方法，避免了纵向ｐ－ｎ结偏位现象的出现．获得了室温下阈值电流最低小于２５ｍＡ、在６０ｍＡ直流驱动下单面光输出功率高达１２．５ｍＷ、激射波长为１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＤＣ－ＰＢＨ激光器．     

PIN二极管失真量的Volterra级数分析法

本文在叙述PIN二极管导电机理的基础上,采用Volterra级数方法对PIN二极管的失真进行了定量的分析。     

激光二极管准直光源光学机械系统设计与调试

在数字音频唱机(CD)的开发方面,激光二极管(LD)由于具有一系列独特的优点,在科学与工程应用领域获得越来越广泛的应用.值得指出的是,LD激光器其光学和电气特性方面存在一些特别的问题,LD输出光束是:a.发散的;b.椭圆的;C.存在固有像散.环境温度的变化不仅影响其使用寿命,还会影响到其波长漂移和量子效率的变化.因此在实用时,必须对LD光束进行高质量准直,同时还应考虑系统的光能利用效率问题.为此,在研制高性能LD准直光源时,必须解决好以下四个问题:a.设计好准直物镜使其与激光二极管特性相匹配;b.设计合适的机械机构使LD与准直物镜集于一体,同时能够方便地进行精密光学对准,而且要具有一定的机械强度,使其能够承受一定的振动与冲击;C.研制有效的质量测试系统,以确保获得高质量的准直光束;d.研制安全可靠的LD驱动电源,以确保使用安全,延长寿命.     

激光二极管到阵泵浦的钕玻璃激光器

用激光二级管列阵泵浦钕玻璃，得到ＴＥＭ００模最大输出功率为５００ｍＷ，斜效率３８％。     

InGaAsP多量子阱结构激光器阱数设计与制备

针对目前多量子阱激光器结构设计中，忽略了载流子在每个阱内的注入不均匀性的问题，从油松方程和电流连续方程出发，提出每个阱单独考虑的计算方法，从而比较精确地计算出多量子阱激光器的净增益，给出多量子阱激光器的最佳阱数选择，根据设计结果，生长了ＩｎＧａＡｓＰ分别限制量子阱结构．利用质子轰击制得条形量子阱激光器，实现室温连续工作．阈值电流为６０ｍＡ，激射波长为１．５２μｍ，单面输出外微分量子效率为３６％．     

LED环氧树脂封装的光学设计与模拟

环氧树脂封装结构的光学系统设计是提高该类LED光学性能、降低试验成本的必经之路.文章基于照明光学系统的非成像特点,利用光学建模和非序列光线追迹方法,对LED封装进行设计与模拟;通过改变光学封装的形状和材料参数,对封装后的LED发光亮度特性进行探讨,并对设计进行了原理性验证;得到了影响LED光学性能的主要封装参数与照明特性的相关变化规律,对LED封装的参数设计具有参考和指导作用.