数据库的通用输出接口

对BASIC语言和关系数据库dBASEⅢ的优点进行了综合,从理论上阐述了在BASIC状态下直接读取关系数据库dBASEⅢ的数据以及数据处理—图形输出的可行性与算法分析;并给出了程行的流程图和一个图形输出实例。     

用白光快速烧结制作离子注入层欧姆接触

研究了用白光快速烧结法制作的n型高浓度离子注入层欧姆接触的特性.选用硅和硫离子,获10~(18)cm~(-3)以上的高浓度.白光快速烧结温度为400～460℃.实测的比接触电阻的最好值达到10~(-6)·Ω·cm~2.该法已用于全离子注入平面型场效应晶体管和GaAs/GaAlAs异质结HOT晶体管,性能良好.     

锡薄膜的非金属导电特性

采用真空蒸发技术制备锡薄膜。随着薄膜生长速率的降低,锡膜由金属转变为半导体,呈现出非金属导电特性。     

用陷阱参数作为聚合物电老化特性参数的试验研究

本文以高分子聚丙烯薄膜材料为试样,在真空与均匀电场中进行加速电老化试验。试验结果表明,试样的老化场强与老化时间呈指数关系。在电老化过程中,用红外光谱分析了试样的内在化学结构变化,用电子顺磁共振测量了老化生成的自由基,用光电导谱和表面电位的测量技术测量了陷阱深度与陷阱密度的变化。试样在电老化过程中,短分子链随时间而增加,陷阱的深度与密度也随时间而增长,都与电老化寿命的经验公式有类似的形式。通过讨论电老化的化学过程,提出陷阱参数可以作为表征材料电老化特性的新参数。本文的结论将为建立新的电老化理论提供了试验依据,并为非损伤性电老化试验创造了前景。     

多重网格法求解线接触弹流问题

详细介绍了利用多重网格法求解弹性流体动压润滑的线接触问题的方法；提出了选择载荷迭代松弛因子和确定不同迭代区域划分的改进方法。通过与其它解法和经验公式结果的对比表明：多重网格法不仅是可行的而且具有计算速度快、收敛稳定性好等优点。     

V_2O_5和SiO_2-V_2O_5导电膜的制备及性质

离子交换法制得V_2O_5凝胶和SiO_2含量低于50％(mol)的SiO_2-V_2O_5凝胶。借助透射电镜和电子衍射仪,研究了凝胶的结构,并用DTA-EGA和XRD分析了热处理过程中凝胶的物理化学变化。浸涂法制得V_2O_5和SiO_2-V_2O_3导电膜。凝胶具纤维状结构并含有V_2O_5·H_2O晶子。热处理温度影响膜的状态和电导率。电导率随温度升高,在305～315℃达最大值0.3 Ω~(-1)cm~(-1),温度进一步提高时将导致V_2O_5晶化和电导率下降。SiO_2的掺入提高膜的抗划伤强度并阻缓V_2O_5晶化,但是降低了电导率。     

变分不等式在弹塑性接触问题中的应用

针对弹塑性接触问题，构造了等价的变分不等式模型，此模式解除了弹塑性本构状态方程及接触状态方程的约束，有效地解决了弹塑性接触问题的变分问题，本采用二次规划法求筲，克服了传统迭代法求解此问题的繁琐过程，具有计算量小，收敛快等优点。     

锥面二次包络环面蜗杆传动齿面接触及运动精度的研究

对存在加工及装配误差的锥面二次包络环面蜗杆传动进行了接触分析，探讨了各种制造误差对齿面接触质量和运动精度的影响规律和影响程度，提出了矫正由加工误差引起的齿面接触偏倚，减小运动误差的装配调整作业法。