功能薄膜材料的环境协调性制备技术研究进展

在对环境协调性制备技术进行了概述的基础上,对目前最有希望的几种功能薄膜材料环境协调性制备技术分别进行了介绍,特别重点介绍了软溶液工艺技术的优势和发展趋势。针对上述功能薄膜材料的环境协调性制备技术的不足之处,对今后的发展方向提出了展望。     

Electrical and band-gap properties of amorphous zinc-indium-tin oxide thin films

Zinc-indium-tin oxide (ZITO) films were grown by pulsed-laser deposition.Three different material compositions were investigated:ZITO-30,ZITO-50 and ZITO-70 in which 30％,50％ and 70％,respectively,of the...     

瑞光工程低压系统电气调试问题解析

列举了瑞光工程低压厂用系统电气调试过程中出现的典型问题,并对问题产生的原因进行了分析。     

溴化锂溶液降膜吸收过程实验研究

：对溴化锂溶液竖板降膜吸收器进行了传热传质实验研究,实验内容包括不同吸收压力、不同溶液流量、不同溶液进口温度及不同冷却条件对吸收过程传热传质的影响,这种响应关系反映了吸收器与这些关键因变因素之间的应变规律,     

极低逾渗阈值的导电聚苯胺纳米复合膜

直接将改进的微乳液聚合法合成的纳米聚苯胺分别与聚乙烯醇和聚丙烯酰胺进行溶液共混复合,浇铸成纳米聚苯胺复合膜,研究了聚苯胺的加入量对复合膜的电导率的影响.所得复合膜的电导率符合逾渗规律,且导电膜的逾渗阈值极低,为0.04%左右,其中PVA纳米复合膜出现了双逾渗行为.加入极少量的聚苯胺即可使膜的导电率发生突跃,使其从绝缘体转变成半导体或导体.逾渗阈值下的复合膜不仅力学性能良好,而且透明性接近于纯基体膜,当膜中的聚苯胺质量分数为0.1%时,PVA复合膜对300～700 nm波长的可见光的透过率为70%～84%.     

制备工艺条件对纳米Ti_(1-x)S_xO_2薄膜光催化活性的影响

以硫脲为S的源物质,以钛酸丁酯为TiO2的前驱体,以蜂窝陶瓷为载体,采用改进的溶胶-凝胶-浸渍提拉法制备Ti1-xSxO2薄膜,探讨热处理温度、S掺杂量及涂膜等工艺条件对Ti1-xSxO2薄膜的光催化活性的影响。研究结果表明：掺硫TiO2光催化剂在可见光区的吸收强度增大;采用溶胶-凝胶-浸渍提拉法制备Ti1-xSxO2光催化剂的最佳工艺条件是：硫脲与Ti（OBu）4摩尔比为3：1,煅烧温度为600℃,涂膜层数为6。在最佳工艺条件下制备的Ti1-xSxO2纳米薄膜对亚甲基蓝的降解率可达100％。     

均匀带异号电荷的两圆盘之间中心轴线上电势及电场强度的解析表示

表示出了均匀带异号电荷的两圆盘之间中心轴线上电势及电场强度的解析公式。     

直流磁控溅射氧化铟锡薄膜的低温等离子退火研究

提出了一种可显著改善室温下直流磁控溅射氧化铟锡(ITO)薄膜晶体结构、光学和电学性能的后处理方法,将ITO薄膜分别置于氩气、氨气和氧气中进行低温等离子体退火处理.同单纯的退火处理相比,在3种气氛下,低温等离子退火均可使室温溅射沉积的ITO薄膜在相对低的温度(150℃)时,由非晶态转变为晶态,其相应的电学和光学性能都有较大的提高.实验证明:氨气气氛下退火温度为350℃时,玻璃衬底上ITO薄膜在波长为600 nm的可见光区内的透光率可达88.5%;薄膜表面的针刺很少,表面平整度小于2.08 nm;方块电阻由348.7Ω降到66.8Ω,相应的电阻率由4.1×10-3Ω.cm降到7.9×10-4Ω.cm.该方法更能满足柔性有机聚合衬底的ITO薄膜对低温退火的要求.     

双定子永磁同步电机齿槽转矩削弱方法

为了有效降低双定子永磁同步电机的齿槽转矩,用改变内外定子相对位置的方法使内外定子齿槽转矩形成一定的相位差.针对双定子永磁同步电机,推导了内外定子及其合成齿槽转矩的解析表达式,分析了内外定子相对位置变化对合成齿槽转矩的影响规律,着重研究了合成齿槽转矩幅值与内外定子相对位置的关系,最后用有限元方法进行了仿真验证.研究表明,双定子永磁同步电机的合成齿槽转矩幅值随内外定子相对位置呈余弦变化,周期与电机极数和定子槽数的最小公倍数有关.选择合适的内外定子相对位置,可有效地削弱齿槽转矩.     

多层交替沉积后退火处理MgB2超导薄膜上约瑟夫森结的制备

在多层交替(SiC/[Mg/B]5)沉积后退火处理的MgB2薄膜上用紫外光刻和Ar离子刻蚀制作出SQUID环路膜条,然后用聚焦离子束(FIB)刻蚀方法在SQUID的环路上制作了150～300nm之间不同尺寸的纳米微桥结构,并测量了其电阻温度(R-T)曲线和电流电压(I-V)曲线.膜条的R-T曲线与薄膜基本相同,表明薄膜没有受到膜条制备过程中潮湿的影响.对SQUID的R-T关系测量发现电阻有较大升高,并看到由纳米微桥的存在而具有的结构.SQUID的I-V曲线表明,纳米微桥形成了弱连接,超流主要体现为约瑟夫森耦合电流.其中一个150nm宽纳米微桥的SQUID,其回滞消失的温度约为10K,在此温度下,得到临界电流Ic约为4.5mA,IcRN～2.25mV,单个纳米微桥结的临界电流密度约为1.5×107A/cm2.临界电流Ic随温度以幂指数关系变化,也验证了纳米微桥的弱连接特性.我们的实验对基于MgB2薄膜的约瑟夫森器件制备具有参考价值.