基于无线传输的内燃机活塞组-缸套摩擦力测量方法

探讨了平均指示有效压力法测量活塞组-缸套摩擦力的原理,给出了活塞组及连杆的惯性力计算方法,利用无线传输方法实现了连杆应力信号的可靠传输,并通过倒拖试验得到了不同转速条件下柴油机活塞组-缸套系统的摩擦力.     

复杂地质条件下炮采工作面超前支承压力的研究

文中以刘河矿13031炮采工作面为实验工作面,采用现场实测和数值模拟的方法研究了复杂地质条件下炮采工作面的超前支承压力影响范围以及强度,为该条件下工作面的超前支护范围和强度提供依据。研究表明:超前支承压力峰值位置为工作面前方10 m,峰值强度为20MPa,超前支承压力影响范围为工作面前方0~50 m,其中剧烈影响区域为工作面前方0~23 m.     

低温等离子体改善义齿基托表面润湿性的研究

使用直流电激发4种工作气体(Ar, Ar/O₂, Ar/O₂/N₂和He/O₂)来产生等离子体, 分别处理热凝树脂样本1, 2, 4, 6, 8, 10分钟, 每组9个样本。使用接触角测量仪测量处理前后各样本的接触角; 利用发射光谱(OES)对等离子体的活性成分进行分析; 采用X射线光电子能谱(XPS)分析其表面的元素价键改变。经过Ar, Ar/O₂, Ar/O₂/N₂和He/O₂等离子体处理后, 热凝树脂表面的润湿性均显著增加, 处理 1 分钟时, 样本表面的接触角与原始值相比, 显著减小(p<0.001), 随着时间的延长, 减小趋势变缓。OES结果显示等离子体的活性成分中包含有大量的?OH; XPS分析表明: 经过等离子体处理后, 热凝树脂表面的C元素与O元素的比例减小, 有新的亲水性基团C?OH产生。大气压低温等离子体处理热凝树脂表面后, 产生新的亲水性基团C?OH, 从而增加表面亲水性。研究结果提示低温等离子体可能为临床上处理义齿基托树脂提供新方法。     

多股电缆线电场的边界元方法

用边界元方法．研究了多股电缆线电场问题．在控制方程的基础上,利用其基本解,通过加权余量法建立内点和边界的积分方程．对边界剖分进行二次元处理．得到离散化的计算格式．给出了多股并行电缆线不同轴心距下所形成的电场特性．     

区域耕地-人口-粮食系统动态分析与耕地压力预测——以河北省邢台市为例

在分析河北省邢台市1990—2004年耕地、人口、粮食动态变化的基础上,分析了耕地压力指数的变化特点,并对未来15年耕地、人口、粮食进行了预测,进而预测了耕地压力指数的变化。结果显示:1990年以来,虽然邢台市耕地数量持续减少,人口不断增加,但由于耕地生产率不断提高,粮食产量和人均占有量却在增加,耕地压力指数呈现降低的趋势。未来15年耕地压力指数将进一步降低。可见,依靠增加投入和科技进步从而不断提高耕地生产率,是减轻耕地压力、保证粮食安全生产的根本途径。     

ZrC／ZrB2纳米多层膜的结构和机械性能研究

选择ZrC和ZrB2作为个体层材料．利用超高真空射频磁控溅射系统,在室温条件下制备了ZrC,ZrB2及一系列具有纳米尺寸的ZrC／ZrB2多层薄膜．通过XRD,SEM和表面轮廓仪以及纳米力学测试系统,分析了调制周期和工作气压对多层膜生长结构和力学性能的影响．结果表明：多层膜的界面清晰,调制周期性较好,大部分多层膜的纳米硬度和弹性模量值都高于两种个体材料混合相的值,在调制周期为27．5nm,气压为0．8Pa时,多层膜体系的硬度、应力以及弹性模量值均达到最佳,多层膜机械性能改善明显与其调制层结构和工作气压相关．     

介观耗散互感耦合电路的库仑阻塞效应

给出了介观耗散互感耦合电路的量子化方法,并在介观电路中电荷量子化的基础上给出了介观耗散互感耦合电路的库仑阻塞条件.     

基体温度和氩气压强对射频磁控溅射制备GZO薄膜性能的影响

采用射频磁控溅射方法,用Ga2O3含量为1%的ZnO做靶材,在不同基体温度和不同溅射压强的条件下制备了高质量的GZO透明导电薄膜.结果表明:基体温度和氩气压强对GZO薄膜的晶体结构、光电性能有较大影响.当温度为500℃,溅射气压为0.2Pa时制备的GZO薄膜光电性能较优,方块电阻为7.8Ω/□,电阻率为8.58×10-4Ω.cm,可见光的平均透过率为89.1%.     

井身结构设计必封点综合确定方法研究

在对库车地区深井超深井井下复杂情况分析的基础上，综合考虑地层岩性和地层压力等影响因素，根据已有资料，用随机理论方法确定发生井下复杂情况的概率密度函数，得出井下复杂情况发生的位置及可能性，提出新的井身结构必封点确定方法。应用实例表明，用随机理论方法确定井下复杂情况是可行和有效的，井身结构设计中必封点的确定原则并不惟一，设计者应根据经验和实际情况加以取舍。     

GaAlN/GaN量子阱中电子的激发态极化

考虑了纤锌矿结构材料的各向异性造成的内建电场的作用，计算了GaN／GaAlN量子阱内电子的激发态极化．结果表明．电子偶极矩改变随Al浓度的增加非线性减小．一般情况下激发态极化产生的电场强度远小于内建电场．可忽略不记，但当n取较大值(10^19／cm^3以上)时，即材料被重掺杂时，激发态极化产生的电场强度对内建电场的影响不能忽略．