PTPD/Alq3异质结电致发光二极管及其稳定性

采用新型的空穴传输材料三苯基二胺衍生物聚合物（PTPD）制成了ITO（氧化铟锡）／PTPD／Alq3（8-羟基喹啉铝）／Mg：Ag异质结电致发光器件，考察了其电致发光特性．结果表明，当Alq3厚度很薄（小于或等于10nm）时，器件仅为PTPD层特征发光；当Alq3厚度达到50nm时，器件仅为Alq3层特征发光．将所制得的器件与典型的ITO／TPD／Alq3／Mg：Ag器件进行了比较，发现稳定性明显提高，其原因是盯PD的热稳定性高、成膜质量好．     

用数学软件分析二极管电路的混沌

用Mathematica软件对二极管电路进行相图分析，清楚地展现了通过改变信号源电压通向电路混沌的过程；说明了二极管对信号源频率变化的响应情况；探讨了电路中电阻元件对进入混沌的影响。     

箍缩反射离子二极管的研制

采用箍缩反射离子二极管,使阴极发射的电子多次穿过阳极膜并向轴线箍缩,增加了它在二极管中的平均渡越时间,从而提高了离子流产生效率。根据顺位流模型。设计了２００ｋＶ强流脉冲离子束加速器的箍缩反射离子二极管,得到了峰值为１．６ｋＡ,脉宽约２０ｎｓ的离子束流。     

用Simulink软件模拟分析量子阱半导体激光器

分析了单量子阱激光器（ＳＱＷ－ＬＤ）工作原理,阐述了载流子和光子在器件内部运动过程中,分别限制异质结构和量子阱之间引入过渡态（准二维态）的作用及必要性,在此基础上,给出了完的速率方程。使用Ｓｉｍｕｌｉｎｋ软件建立了ＳＱＷ－ＬＤ的数值分析模型。     

DFB阵列LD与波导器件集成耦合微透镜设计

就DWDM系统的DFB阵列LD与波导器件的模式匹配问题提出了双微透镜阵列的耦合方案 ;采用微透镜对微高斯光束的变换理论对耦合微透镜进行了设计 ,并得出了各设计参数的计算公式 .     

电磷光材料掺杂稀土配合物的有机发光二极管

以有机配合物（PPQ）₂Ir（acac）为发光掺杂剂,稀土配合物Tb（eb-PMIP）₃（TPPO）为主体材料,用铟锡氧化物(ITO)和铝分别作正负电极,采用真空蒸镀制备电磷光有机发光二极管.该器件发射红色光,主峰位于615nm,是磷光分子（PPQ）₂Ir（acac）的特征发射通过器件结构和浓度优化,器件的最大发光效率达3.14cd/A,在较高的电流密度下,该器件的电致发光效率无明显衰减.实验结果表明,带有相对较宽能隙配体的稀土配合物可能是制备高电流密度且稳定的电磷光有机发光二极管较好的主体材料.     

非线性器件的时域有限差分法分析

用时域有限差分法(FDTD)分析了两种非线性集总元件.提出了一种改进的非线性集总网络算法(INL²N),解决了肖特基二极管在FDTD法中轴向占多个网格情况的处理方法;同时给出了分析耿氏二极管的一组实用的FDTD迭代公式;这两种方法的计算结果与文献及SPICE结果吻合较好.     

具有图形化Al背面反射镜的GaN基LED芯片

图形化反射镜能提高LED芯片的光提取效率.在蓝宝石衬底背面制备三角周期排列的微米尺寸Si O2圆台形结构,再沉积金属Al,构成图形化反射镜.基于Monte Carlo光线追迹方法的三维光学仿真表明,相比平面反射镜,图形化Al反射镜可使芯片光提取效率提升7.5%.实验测试结果表明,输入电流为20m A时,相比平面反射镜,图形化Al反射镜可提升芯片输出光功率8.4%,而芯片的电学性能无恶化.基于有限元方法的二维热力学仿真讨论表明,图形化反射镜有利于芯片获得更低的温度和热应力,且微结构附近的应力集中对芯片性能的影响可忽略.     

改性双基推进剂药柱表面静动态应变测量方法

针对推进剂药柱材料线胀系数大、应变大,传统的电测技术测量其表面应变时死片率高的问题,该文采用近似将应变片植入推进剂装药的粘贴技术,建立了一种改进的测量改性双基推进剂药柱表面应变的电测法。应用该法测量了单孔推进剂药柱在静载荷和冲击载荷作用下的应变响应过程,分析了推进剂材料的延滞回复现象。结果表明:该方法可以准确地测量药柱的的静态、准静态及动态应变等粘弹性力学特征,适于固体火箭发动机推进剂药柱的结构完整性研究。