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41.
图的嵌入理论是拓扑图论中一个中心课题.图的最大亏格嵌入的刻画和研究已较完善.但对于强嵌入,这方面的讨论却很少.本文对于平面上的不含不交(指无公共节点)圈的图以及完全图K5,利用构造强最大亏格嵌入的方法,给出了强最大亏格.同时,也给出了完全二部图K3,k(k≥3)的不可定向强最大亏格的一个下界. 相似文献
42.
对铝电解中的阴极反应、阴极过电压、阴极表面的双电层结构等阴极过程进行了研究,发现在+005~-005V(相对于铝阴极)电位区有一个还原电流峰和一个氧化电流峰,它们是Al3++3e→Al和Al-3e→Al3+·与阳极相比,阴极过电压较小,在001~3A/cm2的Taffel区,约为01V·在阴极表面的双电层中,第一层为Ca2+,Mg2+,Li+和Al3+离子,没有Na+离子,这说明,阴极过电压是因为Mg2+,Ca2+等离子形成的电化学双电层阻力所引起,同时也说明别略耶夫猜想基本是正确的· 相似文献
43.
刘金凯 《山东师范大学学报(自然科学版)》2005,20(2):57-58
研究了诺氟沙星—铽(Tb^3 )络合物与核酸(DNA)的相互作用,据此建立了核酸的测定方法,讨论了诺氟沙星—铽与DNA分子之间的结合方式。 相似文献
44.
46.
C60偶联多孔硅系统的蓝光发射 总被引:1,自引:1,他引:0
用G60作为表面钝化剂,与多孔硅进行偶联.发现当C60偶联多孔硅系统在空气中存储一年后,能够发射460nm左右的强烈蓝光.经过系统的测量和分析,认为蓝光起源的发光中心与SiO2体材料中的“自捕获激子”模型类似.它是由一个氧空位和一个间隙氧组成的,间隙氧同时和相邻的晶格氧形成过氧连接.光激发载流子来自于Si纳米晶粒的核心,辐射复合过程则在多孔硅表面的发光中心进行.进一步的电子束辐照和臭氧辐照实验证明了这个发光中心的存在.从FTIR谱的分析,推测是样品表面Si=O双键的缓慢变化促使了蓝光中心的自发产生. 相似文献
47.
本文进一步分析了SW规约下的SW度结构的一些性质,得到了强可计算实数的两个性质.并且证明了给定可计算可枚举实数,可构造出sw归约下不小于该数的低的可计算可枚举实数. 相似文献
48.
利用微机软仿真实现模拟器就地系统中仪表的动态实时显示和开关的实时控制,可以节省的大量外部设备,提高系统可扩充性。本文介绍了该技术实现的方法,即服务器与客户机之间数据双向通讯的实现途径。经实践验证,本文的方法是正确、可行的。 相似文献
49.
50.
基于GM(1,1)模型的某高校招生人数预测 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了近年来我国高校招生人数的变化趋势,并利用GM(1,1)模型对某高校2008年的招生人数进行了预测.从而为高校招生人数决策提供了依据。 相似文献