掺氧多晶硅薄膜退火特性的研究

掺氧多晶硅薄膜作为钝化膜已成功地应用于半导体器件.为了适应器件制造过程中的高温热处理,有必要探讨膜的高温热退火物理效应.本文从薄膜的腐蚀速率、膜的厚度以及膜的折射率随不同退火温度的变化,显示了掺氧多晶硅薄膜经高温退火的致密效应.而从膜的红外吸收谱测量表明膜中含氧量基本不变,但Si-O键吸收峰随着退火温度的升高向高频方向移动,并且愈益接近SiO_2的红外吸收谱.由此说明高温热退火使无定形的生长层薄膜再结构为Si多晶颗粒和SiO_2.使膜中SiO_2成份随着退火温度升高也跟着增加.     

凝胶浇注法制备Ni/TiO2-Ce0.8Sm0.2O1.9多孔阳极材料的研究

以硝酸盐和氧化物为原料,通过凝胶浇注法制得了摩尔分数为10%TiO2-Ce0.8Sm0.2O1.9(TiO2-SDC)粉体,采用X射线衍射、透射电镜对粉体的相组成和颗粒形貌进行了分析。结果表明,干凝胶在600℃下煅烧后,TiO2和Sm2O3能完全固溶进CeO2晶格中,形成具有单一立方相结构和纳米粒度的TiO2-SDC粉体;凝胶浇注法和机械混合法制备的成形坯在1 300℃下烧结所得NiO/TiO2-SDC烧结体的孔隙率分别为31.0%和19.0%,还原后Ni/TiO2-SDC材料的孔隙率分别为36.4%和23.0%。SEM观察表明,凝胶浇注法制备的NiO/TiO2-SDC烧结体和Ni/TiO2-SDC金属陶瓷的微结构更加疏松,两相颗粒分布更为均匀;在测试温度范围内,凝胶浇注法制备的Ni/TiO2-SDC阳极材料的电导率明显高于由机械混合法制备的Ni/TiO2-SDC材料,773 K下两者的电导率分别为648 S/cm和430 S/cm。     

掺钛GZO透明半导体薄膜的光学性质研究

以钛掺杂氧化锌镓(GZO)陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了掺钛GZO(GZO:Ti)透明半导体薄膜,利用光谱拟合方法计算了GZO:Ti薄膜的折射度、消光系数和厚度等光学参数,研究了氩气压强对GZO:Ti薄膜光学性质的影响.结果表明:拟合光谱曲线与实验测量光谱曲线一致,薄膜的光学性质与氩气压强密切相关,GZO:Ti薄膜折射率随波长增大而逐渐减小,表现出正常的色散性质.另外还采用包络法计算了GZO:Ti薄膜的折射率和厚度,两种方法所获得的结果是基本相符的.     

掺镧纳米TiO2的制备及其对光催化性能的研究

采用特殊液相沉淀法制备了掺杂纳米TiO2粉体,用XRD和TEM对其进行表征.用它做催化剂在日光作用下对亚甲基蓝进行了光催化实验,研究了掺杂量、焙烧温度及焙烧时间对光催化性能的影响,结果表明,掺镧纳米TiO2比纯TiO2光催化效果好.在同等条件下,掺镧纳米TiO2对亚甲苯蓝的降解率最多要比纯TiO2提高30%左右.其中掺镧2%的纳米TiO2在焙烧温度600℃,焙烧时间30min时,效果最佳.     

氧化锌陶瓷低温导电特性研究

研究了Nb2O5掺杂的ZnO陶瓷在低温下导电特性,结果表明,低温状态下,随着Nb2O5掺杂量的增加,ZnO电阻率降低,不同温度下烧结的ZnO样品,烧结温度越高,电阻率愈小,同一烧结温度下,不同烧结时间的ZnO样品,随着烧结时间的增加,电阻率愈小.     

WDM系统中光谱可分割光纤光源的实验研究

利用光学滤波器将宽带光源的光谱进行分析，并将分割后的窄带光谱调制，从而用来传输数据的光谱分割技术对于波分复用（WDM）系统是一种低成本的解决方案，在分析掺饵光纤放大器（EDFA）自发辐射（ASE）光谱特性的基础上，研制了一种基于EDFA-ASF可用于WDM系统的宽带光谱可分割非相干扰光源，并给出了在2.048Mb/s的调制速率下，10km WDM传输系统中两个信道的测试结果。     

掺铒光纤放大器的均衡光滤波器设计

应用改进的遗传算法（GA）设计掺铒光纤放大器（EDFA）的均衡光滤波器,这种方法计算简单,快速,避免了用经验方法设计均衡光滤波器时的主观性,对一个典型EDFA的数值计算结果表明,通过改进的GA算法设计所得的均衡光滤波器可以有效地展宽EDFA的带宽,使加入均锋措施后的EDFA更加适合应用于WDM系统。     

硬脂酸/钛酸四丁酯复合改性剂处理掺锑二氧化锡纳米粉体

用硬脂酸／钛酸四丁酯复合改性剂对掺锑二氧化锡（ATO）纳米粉体进行表面有机化改性处理。通过润湿性、分散稳定性测试研究处理温度、分散介质以及钛酸四丁酯与硬脂酸的量比对改性效果的影响。采用热重分析、透射电镜分析、红外光谱分析、X射线光电子能谱等测试方法对改怀后粉体的表面包覆率、形貌、分散状态以及改性机理进行研究。研究结果表明，提高处理温度、适当增加复合改性剂中硬脂酸的量并选用极性弱的有机溶剂可达到比较理想的改性效果；钛酸四丁酯的作用是与粉体粒子表面的羟基以及吸附水反应产生偶联点，如M-O-Ti-OH，这些偶联点易于与羧酸反应；在低温时RCOO^-与偶联点的Ti（Ⅳ）之间以配合物的形式发生作用，在回流温度下处理时，主要发生酯化反应，使硬脂酸更牢固地嫁接到粉体粒子表面，改性效果更好。     

过渡金属掺杂的立方型ZrO_2催化剂处理含酚废水

采用共沉淀法制备了一系列过渡金属(Cu,Mn,Co,Fe,Ni,Cr)掺杂的ZrO2催化剂,XRD表征.表明属于立方型ZrO2结构.在250 mL间歇式反应釜中,反应温度150℃,初始压力为3.5 MPa,反应时间90 min的条件下,对苯酚(2.1 g/L,COD质量浓度为5 000 mg/L)的催化湿式氧化结果为:COD去除率为12.6%~83.1%.其催化活性顺序为:Cu-ZrO2>Mn-ZrO2>Co-ZrO2>Ni-ZrO2>Cr-ZrO2>Fe-ZrO2.研究了催化剂Cu-ZrO2在不同反应条件下对COD去除率的影响.     

基于CBP掺杂DPIHQZn的有机电致黄光器件

采用锌金属配合物DPIHQZn((E)-2-(4-(4,5-diphenyl-1H-imidazol-2-yl)styryl)quinolin-Zinc),将其掺杂到CBP中作为黄光发射层,制备了黄色有机电致发光器件(OLED),器件结构:ITO/2T-NATA(20 nm)/CBP:x wt.%DPIHQZn(30 nm)/Alq3(40 nm)/LiF(0.5 nm)/Al,研究了4种不同掺杂浓度(x=5,10,15,20)对黄光器件性能的影响,利用黄光发射层中主体材料与客体材料之间能量转移特性,得到了性能较好的有机电致黄光器件.在相同条件下,当掺杂浓度为15%时,其性能在4组器件中达到最佳,在驱动电压为14 V时呈黄光发射,器件最大亮度达到4 261 cd/m2,最大电流效率为0.84 cd/A,器件的色坐标稳定.