齐分子噻吩乙炔的几何结构特性

采用半经验的Austin Model 1(AM1)方法,计算了齐分子Poly(Thienylene Vinylene)(PTV)的中性态和掺杂态的几何结构特性.与中性态相比,带电态下齐分子PTV的几何结构表现在C-C键键长发生显著的变化,单电荷掺杂导致极化子元激发;双电荷掺杂产生双极化子元激发,即使增加链长,仍在链中产生双极化子而不是两个分立的单极化子;掺杂4个电荷时,在齐分子PTV链中产生两个分立的双极化子.     

睡眠剥夺影响大脑功能区状态的非线性评价

采用近似熵研究睡眠剥夺（sleep deprivation，SD）对脑认知功能的影响，评价SD引起的大脑功能区状态的非线性变化．12名受试者在正常睡眠和一夜SD之后分别接受视觉注意力测试，记录自发脑电和诱发脑电，采用二维插值构建19导脑电近似熵脑信息图（brain information map，BIM）．结果表明，在SD状态下，自发脑电的近似熵在全脑范围内有不同程度的下降，额叶处大脑偏侧性发生变化，复杂度的中心从左脑转移到右脑；前额叶处诱发脑电近似熵值降低，而顶叶和颞叶处则升高．脑电近似熵可以作为指标来评价SD对脑认知功能的负向影响，BIM的变化趋势与从生理学及影像学角度的分析相吻合，与线性方法的研究结论一致，在一定程度上可以反映大脑功能状态，提供一条评价脑功能区状态变化趋势的思路．     

T_3晶格中无质量Dirac粒子的磁电约束和波导

从理论上研究了T3晶格中的载流子在非均匀磁场和电场构成的磁电势阱中的约束.利用磁电组合势阱中电势可调的特点,靠增加电势阱深度从而增加粒子的束缚态数,或者增加势阱区域的宽度来改变束缚态数.利用磁电势阱构成电子波导或者量子线,计算了波导的本征模和概率流密度,指出了T3晶格的磁电波导可成为有希望的纳米电子器件.     

高效实现针对光子丢失问题的容错量子计算

基于两个基本操作——控制路径操作和纠缠子,首先给出非破坏性多光子奇偶校验的实现.随后,将这些操作用于光学量子计算中光子丢失问题的处理.可以实现奇偶量子态的制备,以及单体操作与两体控制非操作,由此可以实现普适容错量子计算.不管是态制备还是门操作都是确定性的,同时方案的实现复杂度也要远低于此前的方案,对于辅助单光子资源的需求也降到很低的程度.并且实现过程中除奇偶校验外,不需要进行任何单光子探测,因此不会造成任何单光子的损失,最大限度地利用了光子资源.比之此前的线性光学方案,我们方案的确定性、高效性、简单性以及资源的高利用率等特点,使得方案更具可行性和更加适用于大规模量子计算.     

广东韶关“战国属楚”论质疑

传统史观认为韶关地区战国时期已属楚地，但从韶关地区考古文化所表现出来的特点及其与其相连的湘南地区同期考古文化的比较来看，当时韶关地区并不“属楚”。     

一维准晶体的电子性质

本文对一维准晶体的on-site模型做了更接近实际的修正,把电子的hoppingmatrix elements的差异考虑在内,建立一个混合模型。用负本征值理论计算能谱,用EDWW方法计算本征态,得到一系列新结果。在T_2/T_2<1时能带为二主带结构。在1≤T_2/T_1<2.6时为四主带结构,与on-site模型所得的结果相同。在2.63以后则是一种新的四主带结构。T_2/T_1=τ时,B带中全部的态都是延展态。态的局域性质与此值T_2/T_1有关,同一个编号的激发态,T_2/T_1不同时,局域性质会不同。     

半无限一维光子晶体在满足平均折射率等于零时的表面态

运用传输矩阵方法和Bloch定理，研究了以色散介质为背景，半无限一维光子晶体在满足平均折射率等于零条件下的表面波特性，发现在一定的堆积次序下存在群速度为负的表面态，此时表面波的波矢和能流方向相反，并讨论了该情况下表面态的模式简并情况。     

超增感过程中的能量传递

利用单光子计数技术,在纳秒级时间分辨荧光光谱仪上,通过真空升华超增感染料对薄膜的荧光寿命测试,并比较在溴化银单晶上形成的超增感体系的荧光寿命,研究了超增感过程中的能量传递,提出超增感剂的激子能带模型,并以此探讨了超增感机理。同时,对增感染料的固态薄膜的荧光光谱进行了讨论。     

钢筋砼结构可靠度分析

本文概述了钢筋砼结构计算理论的发展和安全度的演变,着重讨论安全度的概率分析,概括介绍新规范的计算原理。