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141.
硅基半导体光电子材料的第一性原理设计 总被引:1,自引:0,他引:1
黄美纯 《厦门大学学报(自然科学版)》2005,44(6):874-883
具有特定功能的半导体材料的计算设计,是计算材料科学的一个重要研究领域.由于半导体的诸多性质取决于价带顶和导带底的电子态及其中的载流子分布,因此带隙的大小和能带极值的对称性便成为半导体材料设计最受关注的问题.为了进一步解决硅基光电子集成(OEIC)技术发展的瓶颈.设计具有直接带隙特性的硅基新材料并使其成为有效的光发射体,是一项富有挑战性的工作.本文在分析大量半导体能带结构的基础上,给出类sp系列半导体由间接带隙过渡到直接带隙的主要物理机制,并以对称性概念、芯态效应和电负性差效应为基础,提出一种新的直接带隙半导体材料设计方案.根据这个方案所表达的设计思想,我们对当前十分受关注的硅基光发射材料进行了计算设计.结果发现,用VI族元素在硅生长时进行周期性插层的、具有正交和四角点群对称性的人工微结构材料VIA/Sim/VIB/Sim/VIA具有直接带隙特性.其中当m=5或奇数时,材料有四角结构对称性,而m=6或偶数时是正交结构对称性.VI“。。是在〈001〉生长方向生长的单层VI族元素.这类材料的优点在于可自然地与硅实现晶格匹配,与微电子技术相兼容,并可较容易的用现行的MBE、MOCVD或UHV-CVD生长方法实现.预期这类新材料及其相应器件的研制开发.将大大开拓全硅OEIC和硅光子集成(PIC)技术的进一步发展. 相似文献
142.
143.
为正确评价断层对于岩石高边坡安全稳定性的影响,采用接触力学的求解方法——直接约束法模拟断层的滑移和脱开等不连续行为。重点分析了岩体中断层不同的接触性状(如考虑断层与岩体的滑移脱开)。应用弹塑性有限元方法对彭水水电站船闸高边坡分步开挖过程进行了数值仿真分析。通过不模拟滑移脱开与模拟滑移脱开的对比研究,模拟滑移脱开后断层的变形和塑性区显著增大,在断层处变形较大以致于有滑坡的可能。该项研究在岩石高边坡稳定分析中具有重要的意义。 相似文献
144.
基于标记树的WEB页面净化技术研究 总被引:2,自引:0,他引:2
根据Web页面标记建立标记树,通过分析,保留有用信息的标记子树,达到获取页面主要内容,净化页面的效果. 相似文献
145.
在单电子紧束缚无序模型基础上,建立一维无序材料电子跳跃输运直流电导率计算模型,并推导其直流电导率计算公式;通过计算材料的直流电导率,分析不同无序形式下无序度对材料直流电导率的影响,探讨无序在材料电子输运中的本质作用。计算结果表明,在对角无序情况下,无序材料的直流电导率随着无序度的增加而减小;当无序度较小时,电导率随材料无序度的变化有振荡行为;非对角无序材料的电导率小于对角无序材料的电导率,同时,在无序度较小的区域,材料的电导率呈现先增大后减小的特性;完全无序材料的电导率大于非对角无序材料的电导率而小于对角无序材料的电导率,且在完全无序情况下材料的电导率随无序度的变化关系与非对角无序情况下电导率随无序度的变化关系很相似;在无序度较大时,无论是对角无序、非对角无序还是完全无序情况下,无序度对电导率的影响均不明显。 相似文献
146.
用氯磺酸作磺化剂,在四(1,4-二噻英)四氮杂卟啉铁配合物外围功能基对-二噻英环上发生直接取代反应,合成了水溶性良好的多取代磺化(1,4-二噻英)四氮杂卟啉铁配合物(简写为FeSPz(dtn)4).并对磺化产物进行UV-Vis,IR,1HNMR和XPS等结构表征. 相似文献
147.
催化精馏合成碳酸二甲酯神经网络建模与操作条件的遗传算法优化 总被引:1,自引:0,他引:1
催化精馏合成碳酸二甲酯能够显著提高反应物碳酸丙烯酯的转化率。这里采用径向基神经网络建立某些操作条件与碳酸丙烯酯的转化率之间的模型,并采用遗传算法优化操作条件。优化结果得到试验验证。 相似文献
148.
通过动态控制与实际六自由度Stewart仿真平台结构相同的虚拟平台的关节变量,实时得到了实际平台在采样点时刻的位置和姿态。首先将虚拟平台速度传递方程化为一阶动态系统,然后设计闭环反馈控制器,最后用Shampine数值迭代算法求解虚拟平台在每个采样周期内的响应过程。所提出的位置正解算法收敛,求解过程中最大的迭代运算次数固定,并且采样频率足够大的情况下,虚拟平台输出的位置姿态与实际平台位置姿态是相同的。仿真算例表明所提正解算法精度高,计算效率满足实时性要求。 相似文献
149.
介绍了直接数字波形合成(direct digital waveform synthesizer,DDWS)的误差来源,分析了DDWS结构中其数模转换器(DAC)信号重构机理,比较研究了DAC信号重构误差对输出信号脉冲压缩结果的影响。提出了一种针对DAC带来的信号辛格函数调制误差的数字化补偿算法,对中频30 MHz,带宽分别为40 MHz和20 MHz的超宽带低中频线性调频信号进行了实际补偿。实验结果表明该算法简单方便,能有效补偿DAC带来的波形调制误差。 相似文献
150.
超宽带TH-PPM 调制技术抗干扰性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
针对超宽带TH-PPM调制技术在多个频带干扰条件下的抗干扰性能进行了分析研究。基于超宽带TH-PPM调制所使用脉冲波形的不同,推导得出了在多个频带干扰条件下,超宽带TH-PPM调制技术的抗干扰能力指标的通用数学表达式。该结果对单频带干扰也同样适用。此外,在多个频带干扰条件下,对超宽带TH-PPM调制技术、直接序列扩频调制技术和跳频调制技术的抗干扰性能进行了比较分析研究,并分别对其进行了数值仿真。仿真结果表明,在多数情况下,超宽带TH-PPM调制技术抑制多个频带干扰的能力,明显优于直接序列扩频调制技术和跳频调制技术。 相似文献