镁碱沸石FER单晶弹塑性双线性本构关系的实验研究与有限元确定

为研究镁碱沸石大单晶FER的力学性能,采用纳米压痕技术,测得随载荷连续变化的位移,得到载荷-位移曲线图。根据W.C.Olive算法,利用接触刚度连续测量(CSM)技术,得到FER沸石分子筛硬度及弹性模量。基于弹塑性双线性本构关系假定,用ANSYS有限元程序模拟纳米压痕试验过程,利用搜索法得到沸石大单晶FER的双线性本构关系。本文还讨论了摩擦、温度及压头尖端曲率半径对纳米压痕计算结果的影响。     

基于Lemaitre模型的辊式冲裁工艺断面质量分析

为了准确表征材料变形中逐渐劣化的过程,引入考虑损伤与裂纹萌发的弹塑性本构模型.基于Abaqus/Explicit的二次开发接口,编写耦合Lemaitre损伤模型的用户子程序,根据算例验证其可靠性.通过反复加载-卸载拉伸试验并利用弹性模量变化法来获得损伤参数值.建立辊式冲裁工艺有限元模型,应用Lemaitre损伤模型来预测断面质量,并进行试验验证.分析冲裁间隙、模具磨损与板厚等工艺参数对断面质量、冲裁力及扭矩的影响.结果表明:前刃口断面质量总体上要好于后刃口,但光亮带具有一定的倾角;塌角区会随冲裁间隙增加而增大;模具磨损程度增加会导致毛刺急剧增大;最大冲裁力与扭矩会随着板厚的增大而增大.     

激光熔覆报废航空发动机叶片模具生成高硬度涂层的机理

为了研究激光熔覆高硬度涂层生成机理,采用自配的合金粉末,利用宽带熔覆技术,对4Cr5W2SiV报废模具进行了成功修复。利用OM、XRD、显微硬度计对熔覆层的组织结构及硬度进行了研究,并且对硬度的生成机理进行了分析。结果表明,模具修复效果良好,熔覆层较基材有较高的硬度。细晶强化、固溶强化、第二相强化与激光技术的快冷快热特点是生成高硬度涂层的本质原因。     

压铸机合模机构的三维有限元分析

介绍了对压铸机合模机构进行结构三维有限元分析的过程。在探讨分析对象三维实体模型如何构造以及三维复杂结构的有限元模型如何建立的基础上,结合大型结构有限元分析软件ＣＯＳＭＯＳ／Ｍ的使用,对Ｊ１１６３Ｃ型压铸机的合模机构进行分析计算。给出压铸机合模机构静模板、导柱和合模机座之间的结构、应力与变形关系。为压铸机的改进设计提供了重要的依据。     

时效处理对17-7PH不锈钢微观组织和维氏硬度的影响

采用JSM-6480扫描电子显微镜（scanning electron microscope,SEM）、Wilson Tukon 1102维氏硬度计研究了时效处理对17-7PH不锈钢微观组织和维氏硬度的影响。结果表明：17-7PH不锈钢经过0 ℃/30 min深冷处理后,在560 ℃进行时效处理,随着时效时间的延长,维氏硬度逐渐降低,未进行时效处理时的维氏硬度最高,为481;-73 ℃/8 h深冷处理后,再510 ℃/30 min时效处理,达到峰值时效硬度,维氏硬度为500,继续延长时效时间,维氏硬度逐渐降低。     

高硬度聚氨酯弹性体的研究

通过对低聚物多元醇和扩链剂的选择，研制出邵D硬度大于75、缺口冲击强度大于6kJ／m^2的高硬度聚氨酯弹性体，生产工艺完全适合工业化生产技术要求。     

模具计算机辅助工艺设计系统的研制与开发

论述了现代模具制造业开发计算机辅助工艺设计（CAPP）系统的必要性与可行性，分析讨论了自行开发研制的模具制造CAPP系统零件信息的描述、工艺设计层次和决策逻辑等关键技术，并给出了该CAPP系统的结构。系统已通过运行测试，取得了较满意的效果。     

LED用ADC12铝合金材料性能优化研究

研究了压铸工艺参数和铝合金成分对ADC12铝合金材料压铸件力学性能的影响,试验结果表明:改性的压铸件抗拉强度(δb)为309.6 MPa,延伸率(δ)为3.32%,优于国内普遍使用的压铸铝合金ADC12,优化的ADC12合金具有更好的压铸成形性、出型性及机械加工性能,能够满足LED灯壳应用要求。     

回火温度对新型冷作模具钢显微组织和性能的影响

由于莱氏体钢中含有大量的碳化物,常用的AISID2冷作磨具钢具有很高的耐磨性,但由此而易于崩裂且不易锻造及线切割加工。为此,调整其成分和热处理工艺而开发了一种新型模具钢(实验钢)。采用金相显微镜、硬度计及冲击实验机研究了回火温度对该新型钢显微组织硬度和冲击韧性的影响。结果表明,在1050℃淬火及500℃回火处理时,实验钢与D2钢相比所含碳化物较少且颗粒尺寸较小,而且在各种回火温度下其冲击韧性和硬度均高于D2钢。例如经500℃回火处理,其硬度与冲击韧性分别为HRC64和45J/cm2·由于排除了其中的粗大又不均匀的碳化物,实验钢组织大为改善,由此而消除了在使用中的崩裂失效现象并延长了使用寿命·     

Schottky结构半导体粒子探测器的辐射测试

提出一种金属－半导体－金属Ｓｃｈｏｔｔｋｙ结构的粒子探测器，它用高迁移率，半缘绝的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体ＧａＡｓ为材料制成大面积的粒子探测器。经过能量为１．５ＭｅＶ，剂量分别为５００ｋＧｙ和１ＭＧｙ的电子辐射和剂量分别为３００ｋＧｙ和５００ｋＧｙ的＾６０Ｃｏγ射线辐射，探测器能正常工作，是一种新型的经得起强辐射的粒子探测器。