丽江文化“走出去”的思考

丽江文化在19世纪中后期至20世纪初期就引起了海外学者与传教士的关注,20世纪晚期,伴随着旅游经济的发展,丽江成为一个重要的海外游客旅游目的地与文化输出窗口.其生产要素、需求状况、文化相关产业和支持产业表现及面向国际发展的战略与定位成为文化“走出去”的竞争优势,而服务水准与产业联动则是两个亟待加强的弱项.     

徐家围子断陷营四段深层砾岩储层成岩作用研究

通过钻井取芯分析测试、岩石薄片和扫描电镜观察手段,对徐家围子断陷营四段砾岩储层成岩作用特征进行研究。结果表明,徐家围子断陷营四段砾岩储层经历了强烈的压实压溶、胶结作用、复杂的交代作用和多期次的溶解作用。压实和胶结作用是降低储层物性的主要因素,溶解作用形成的次生孔隙是改善储层物性最重要的因素。根据砾岩中自生矿物的分布特征、黏土矿物的组合特征、镜质体反射率等资料分析,认为徐家围子断陷营四段砾岩成岩作用强烈,已经进入晚成岩作用阶段。     

直流辉光放电等离子体增强化学气相法制备金刚石及氮化碳薄膜

采用直流辉光放电等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术方法 ,在Si(100)衬底上制备了金刚石薄膜 ,并在此基础上合成了含有少量晶态颗粒的非晶氮化碳薄膜     

齿轮的精加工——金刚石电化学法

讨论了金刚石电化学精加工齿轮的原理、工艺参数及实验装置。分析了电解和机械磨削中用微磨削方法和电化学方法去除金属的速度,两者取速度比最大值时,则有利于达到很高的加工精度。提出了齿轮纵向误差产生的动力学方程,得出径向跳动、齿向误差与加工时间的关系。最后通过实验,证明了金刚石电化学加工时精度的提高是显著的,且金刚石阴极耐磨性高,能够根据工件形状尺寸及加工间隙的分布规律来设计。     

渗硼金刚石薄膜电极用于有机废水降解的实验

为了研究渗硼金刚石薄膜电极电化学性能以及用于含有机污染物的废水处理的可行性,采用循环电解的方法,对含苯酚的废水进行了电化学氧化实验,同时与活性涂层钛阳极进行了对比实验研究,考察了阴极的可替代性,最后用两种电极对含苯胺的工业废水进行了对比实验。实验结果表明,金刚石电极不仅具有优越的电化学性能和优异的电化学指标,而且可以用于电化学废水处理;同时,用钛电极代替金刚石作阴极经济可行。     

Analysis of the carbon source for diamond crystal growth

The lattice constants of diamond and graphite at high pressure and high temperature （HPHT） were calculated on the basis of linear expansion coefficient and elastic constant. According to the empirical electron theory of solids and molecules （EET）, the valence electron structures （VESs） of diamond, graphite crystal and their common planes were calculated. The relationship between diamond and graphite structure was analyzed based on the boundary condition of the improved Thomas-Fermi-Dirac theory by Cheng （TFDC）. It was found that the electron densities of common planes in graphite were not continuous with those of planes in diamond at the first order of approximation. The results show that during the course of diamond single crystal growth at HPHT with metal catalyst, the carbon sources forming diamond structure do not come from the graphite structure directly. The diamond growth mechanism was discussed from the viewpoint of valence electron structure.     

铁镍触媒合成金刚石内部包裹体的研究

分析铁镍触媒合成金刚石内部的包裹体成分及形成原因. 结果表明: 金刚石晶体中的包裹体主要以FeNi合金和Fe₃C形式存在; 随着生长速度加快, 金刚石内部包裹体的点状分布逐渐增多; 在不同温度下, 进入金刚石晶体内部包裹体的方式不同; 随着包裹体的增多, 合成的金刚石晶体硬度降低. 通过调整合成工艺, 合成了包裹体含量极少、 粒度约为0.6~0.7 mm的金刚石单晶.     

用热激发电流法研究金刚石薄膜中的陷阱

对微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）的硅衬底金刚石薄膜，做了在液氮温区注入载流子，升温测其电流－温度关系的实验，观察到ａｓ－ｇｒｏｗｎ样品有明显的热激发电流峰，重复实验时，峰基本消失，经氢等离子体在￣９００℃处理２．５ｈ后，再重复实验，该峰又出现，推断热激发电流峰是由硅衬底金刚石薄膜内氢致陷阱中的载流子撤空引起的，这些能级在金刚石禁带中的陷阱是可以通过热处理消除的。     

CVD金刚石膜中的缺陷

研究了利用直流电弧等离子体喷射(DC Arc Plasma Jet)制备的大面积金刚石膜中的缺陷问题.研究表明:金刚石膜中的缺陷包括表面缺陷、晶内缺陷和晶界缺陷,以及由于内应力产生的金刚石膜宏观和微观裂纹.金刚石膜中的缺陷与制备工艺参数有着密切关系.     

复合金刚石薄膜的介电特性

利用热丝大面积金刚石薄膜气相合成（CVD）装备制备了复合金刚石薄膜，并对其表面和断面分别进行了扫描电镜（SEM），原子力显微镜（AFM）和Raman光谱表征，研究了该复合结构的介电性能，利用共振电路测量了高频下薄膜的介质损耗与频率的关系，结果表明，复合结构由普通多晶金刚石薄膜和纳米金刚石薄膜组成，薄膜的表层结构体现了纳 米金刚石的特征，复合金刚石薄膜不仅具有表面光滑的优点，介电性能也接近于常规的多晶金刚石薄膜，是一种较好的电子材料，可应用于金刚石薄膜半导体器件的制备。