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181.
掺杂对纳米ZnO粉末晶粒度和结构的影响 总被引:8,自引:3,他引:5
研究了用化学共沉淀方法分别制备的掺杂Bi,Sb,Co,Cr,Mn和多元掺杂对纳米ZnO粉末晶粒度和相结构的影响,发现经500℃/h热处理后,掺Bi,Mn,Co和Cr的粉末晶粒度没有明显变化,而掺Sb的ZnO粉末晶粒度随Sb含量的增加而减小;掺Bi的粉末除主晶相ZnO外还有BiOCl相,掺Sb的粉末有主晶相和尖晶石相,所掺Mn,Co,Cr均固溶于主晶相ZnO;多元掺杂晶粒度均为30nm,相为主晶相和尖晶石相。 相似文献
182.
183.
金刚石薄膜电极处理含氯酚废水的实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以硼掺杂金刚石薄膜(BDD)为电极,采用电化学氧化的方法对含氯酚废水进行实验研究。采用循环流动的方式,结果表明:在给定不同恒电位的情况下,电流随时间变化的规律也不同;在高电位时电流密度比较大,使间接氧化增强,导致COD去除率和瞬时电流效率(ICE)增大;由于支持电解质N aC l在电解过程中产生的次氯酸盐氧化性强,因此N aC l比H2SO4对COD去除率和ICE增大更有利。采用钛基活性涂层(ACT)电极与金刚石电极的对比实验发现:由于BDD电极的弱吸附性,其处理效果明显优于ACT。 相似文献
184.
丁兰英 《佛山科学技术学院学报(自然科学版)》2008,26(4)
利用十四面体模型描述开孔金属结合剂金刚石砂轮胎体的胞体结构,并用有限元方法确定材料的弹性模量,进而将金刚石以增强颗粒的形式加入胎体材料中,形成开孔结构的金属结合剂金刚石砂轮节块的有限元模型。数值分析了以金刚石为增强颗粒的多孔金属结合剂复合材料在横向剪切载荷下的应力情况。结果表明,多孔金属结合剂金刚石砂轮节块在承受横向剪切载荷下,最大应力发生在胎体上,这与试验中节块断裂往往出现在胎体中孔的棱边上相一致。 相似文献
185.
运用波特的“钻石理论模型”对福建电子信息产业现状进行分析,发现其在企业战略、结构与竞争状态等方面还非常薄弱,亟需进行产业链和供应链的整合,以提高全球竞争力。提出福建电子信息产业可利用海西加快建设的良好契机,通过“走出去”和“请进来”的方式,吸纳台湾电子信息产业的创新技术和管理经验,以推动电子信息产业链和供应链的整合,实现产业战略转型升级的建议。 相似文献
186.
金刚石具有的一系列优良特性使其成电极材料的重要选择之一,采用P型掺杂金刚石薄膜电极可制备具有一定应用价值的双电层电容器.本文介绍了金刚石薄膜电极电化学双层电容器的基本原理、结构和主要参数.并通过对实验制备出的电容器进行相关参数的测定,证明了以P型掺杂金刚石为电极材料的双电层电容器具有优良的特性和良好的应用前景. 相似文献
187.
采用聚合物前驱体法,以硝酸盐为原料,乙二醇为溶剂,甘氨酸为螯合剂制备La0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3-δ前驱体溶胶及其纳米粉体,考察甘氨酸用量、溶胶蒸发温度及时间对溶胶稳定性的影响。结果表明:当甘氨酸和总金属离子物质的量之比为1∶1时,65℃蒸发48 h可得到均匀、稳定的前驱体溶胶;所得凝胶在700℃下烧结5 h可得到平均粒径为54.4 nm的纯钙钛矿型粉体。 相似文献
188.
渗硼预处理对硬质合金金刚石涂层刀具的影响研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了渗硼预处理对硬质合金YG6刀具上金刚石涂层形核、生长和切削性能的影响.采用扫描电镜观察分析表面形貌,X-射线衍射进行物相分析,切削实验来考察刀具的切削性能.研究结果表明,渗硼预处理使硬质合金表面形成了CoB和Co2B,较好地抑制了Co对沉积金刚石的不利影响,金刚石涂层形核致密,硬质合金金刚石涂层刀具经渗硼预处理后在切削性能上略好于酸浸预处理的. 相似文献
189.
用工业钛液制备纳米偏钛酸的影响因素 总被引:2,自引:0,他引:2
以廉价的工业TiOSO4溶液为原料,通过热水解法制备纳米二氧化钛的前驱体偏钛酸(H3TiO4)。研究钛液酸度、钛液浓度、水解时间和水解温度等主要因素对TiOSO4溶液水解率和偏钛酸粒径的影响。采用激光粒径分析仪对偏钛酸粉末粒径厦粒径分布进行检测;采用透射电镜观察偏钛酸的形貌和粒径。研究结果表明:水解条件直接影响偏钛酸的粒径及其分布,其中,钛液酸度的影响最大;水解条件时TiOSO4水解率和偏钛酸粒径的影响存在着最佳结合点,即当c(H^+)为2.6~2.8mol/L,p(TiOSO4)(接TiO2计)为25~28g/L,水解时间为60min,水解温度为125℃时,TiOSO4的水解率可达95%以上,得到的偏钛酸呈球形且粒径为40nm。 相似文献
190.
微波等离子体CVD金刚石薄膜的显微结构 总被引:3,自引:0,他引:3
用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对6种微波等离子体CVD金刚石薄膜的表面形貌和显微结构进行了研究,结果表明:在金刚石晶粒长大过程中,(111)面方向长大时产生密度很高的微挛晶缺陷,而(100)面方向长大时产生的晶体缺陷较少。 相似文献