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881.
用蒙特-卡罗方法对Co-C和CoPt-C纳米颗粒膜的磁特性进行模拟研究。模拟中,假设磁性颗粒为球形、单畴,易轴随机取向。对包含hcp结构、直径为3nm的Co颗粒的Co-C膜给出了湿度从3K到300K的磁滞回线,超顺磁驰豫的截止温度约20K;对包含fct结构CoPt的CoPt-C膜给出了300K时平均颗粒尺寸从4nm到6nm,对应于不同尺寸分布下的磁滞回线。模拟显示,由于fct结构CoPt-C有特大的各向异性,因而具备超高的矫顽力,可以满足超高密度磁记录的需要。以上模拟的结果与Co-C颗粒膜和CoPt-C颗粒膜的实验结果一致。 相似文献
882.
针对决策信息为区间数形式的不确定多属性决策问题,将密度中间算子由精确值形式拓展到区间数形式.通过引入"区间隶属度"的概念对区间数进行聚类,并给出一种通过规划模型确定密度加权向量的方法;在此基础上,对区间数密度中间算子及其合成算子进行了界定.最后,通过一个算例对区间数密度算子的应用进行了说明.该方法结合区间数的特征,进一步拓展了密度算子的理论体系和实际应用范围. 相似文献
883.
综述了蚀刻加工的工艺特点以及用于蚀刻型铜合金带材的特殊技术要求,分析了国内蚀刻型高密度引线框架铜带的研制进展及存在的问题。蚀刻型引线框架带材的产品质量与国外还存在一定差距,全蚀刻产品已实现国产化,产品质量有待提高;半蚀刻产品还处于研制阶段;板形控制、残余应力消减及均匀分布等核心技术有待突破;残余应力检测方法及检验标准有待建立。 相似文献
884.
利用幂级数和和高阶累计量的统计方法,估计出基于IS-95模型CDMA(码分多址)信号前向链路通过弱非线性RF功率放大器产生的频谱增生和邻道功率比的严谨表达式,由此获得了经该放大器特征模型变换的输出信号自相关函数的解析表达式。用三阶截断点IP3表征了包含带内和带外电抗的记忆效应三阶非线性。估计方法是基于CDMA信号前向链路时域模型,其信号的功率谱密度和其他统计特性均由该模型导出。频谱增生和邻道功率比的估计结果可直接用于工程设计,这对于确定射频功率放大器最佳的工作条件有其重要参考价值。 相似文献
885.
886.
在气液两相段塞流理论基础上,通过大量实验,利用LabVIEW平台进行数据采集和处理,并引进数字信号理论和统计学分析方法,得出了段塞流在不同时期、不同形态的概率密度函数(PDF)特征和功率谱密度函数(PSD)特征.段塞流的压力概率密度函数呈现单峰、双峰、多峰分布,尤以双峰分布最为普遍;段塞流的压差概率密度函数分布符合正态分布,呈现单峰分布;段塞流的功率谱在整个频率范围内随着频率增大而缓慢下降,频率范围内出现两个幅度比较明显的特征峰.利用PSD和PDF特征分析可以进行气液两相流的流型识别,为研究流型和管道系统设计提供帮助. 相似文献
887.
电刺激小脑顶核促脑缺血后血管内皮生长因子表达的意义 总被引:6,自引:0,他引:6
探讨电刺激小脑顶核(FNS)对局部脑缺血后血管内皮生长因子(VEGF)表达和毛细血管新生的影响.以线栓法制成大鼠右侧大脑中动脉梗塞模型(MCAO),大鼠随机分为假手术对照组、MCAO组、电刺激小脑顶(MCAO FNS)干预组,以免疫组织化学法检测VEGF、内皮细胞阳性表达及毛细血管记数,大脑中动脉梗塞后,缺血区神经元变性、坏死,VEGF、内皮细胞在半暗带有少量表达,毛细血管数较对照组增加,经电刺激小脑顶核干预后,VEGF、内皮细胞大量表达,毛细血管数目明显增加,有统计学差异.电刺激小脑顶核可通过促VEGF表达、内皮细胞增殖,从而促进毛细血管新生。 相似文献
888.
基于1991—2011年湖北统计年鉴及第六次人口普查数据,分析武汉城市圈9个城市人口密度分布.分析结果显示:圈内人口密度呈逐年增长趋势,各地区增长不平衡,且存在空间集聚现象,人口主要聚集于城市中心;远离核心城市武汉市的地区,人口密度较小,人口密度的空间分布不均匀且随时间变化;圈内人口密度总体呈现中部密集两侧稀疏,西部密集东部稀疏的特征. 相似文献
889.
颗粒级配对水泥基材料有害孔隙率的影响 总被引:10,自引:1,他引:10
水泥基材料的硬化浆体中含有大量的孔隙 ,其中的有害孔隙直接影响到耐久性 .依据所建立的微粒级配模型 ,采用粉煤灰、硅灰等球形颗粒掺合料及纳米纤维红粉 (NR)掺合料 ,设计球形颗粒紧密堆积体系与纳米纤维增强紧密堆积体系 ,讨论 2种混合体系内部的总孔隙率与有害孔隙率之间的关系 ,确定活性NR粉在水泥基材料中的作用 .研究表明 ,NR粉能够增加体系密实度 ,水泥混合体系硬化后期的总孔隙率与有害孔隙率之间服从对数关系 ,通过微粒级配模型可预知体系有害孔隙率及颗粒级配的合理性 . 相似文献
890.
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势的方法,研究了纯锐钛矿相TiO2、Cr、Mn单掺杂TiO2的能带结构、电荷布居、态密度和光学性质.对电子性质分析发现:Mn掺杂引起杂质能带位于禁带中央,杂质能带最高点与导带相距大约0.6 eV,而最低点与价带相距大约0.65 eV,其中杂质能带主要由O原子的2p轨道和Mn原子的3d轨... 相似文献