当代散文的根本缺陷

９０年代中国散文繁荣的背后，存在着以下三个方面的根本缺陷：一、当代散文未能以现代哲学的眼光，对世界，对社会、对人生作整体意义的把握；二、当代散文未能充分显示出作家独特的思想个性和审美个性；三、当代散文尚未建立起自觉的语言赏玩意识。中国当代散文只有在克服以上三个方面的缺陷之后，才能真正跃上一个新的台阶。     

慢正电子技术研究ZrO2(Y2O3)薄膜的温度效应

用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压 ,纯 Ar气氛 ,基片分别为加热 3 0 0℃和不加热的情况下制备的 No.2系列和 No.7系列的用 Y2 O3稳定的 Zr O2 薄膜 (简称 YSZ膜 ) .研究发现 :YSZ膜心部区 S参数随退火温度升高而降低 ;YSZ膜的过渡区宽度随退火温度升高而变窄 ;基片加热 ,有助于获得稳定、均匀、致密的薄膜组织     

用前沿基础研究中的重大成就振兴老工业基地--论发展化学化工数据应用软件产业的可行性

阐明了当前国际科技界化学化工物性数据软件普遍存在的理论基础贫乏导致估算公式的计算质量低下.文中以氩模型微分方程和气体不平衡状态理论方程及有机分子的半金属结构理论为指导,以已经创立的10个价值重大的工程物性理论方程为基础进一步开拓,创立高精度,普适性优异,有很强的国际竞争力的新型化学化工数据软件商品体系,逐步形成规模经济.     

非掺杂半绝缘态InP中补偿缺陷正电子寿命谱的研究

作者利用正电子湮灭寿命谱(PAL)、光激电流瞬态谱(PICTS)及Hall效应,研究了非掺杂半绝缘(SI)InP中补偿缺陷的形成,即在磷化铁(IP)及纯磷(PP)气氛下不同退火条件时其缺陷的发展变化,从而探讨原生非掺InP形成SI态的机制.实验的原始材料都是用液封直拉法(LEC)生长的n型非掺InP.对原生InP,铟空位VIn及与之相关的缺陷是主要的正电子捕获陷阱,VInH4复合体是使材料成为n型材料的原因.在IP SI-InP的形成中,Fe原子扩散进入VIn,可产生替位的补偿缺陷FeIn,Fe的扩散压制     

我国工程完工后质量责任阶段重构及期限确定

基于对国内外有关完工后质量责任的法律和工程合同的对比研究，以及对国内外房屋质量缺陷数据的定性定量分析，指出了我国目前质量责任期不明晰、保修期过长等问题．提出了我国工程完工后质量责任阶段的重构方案，以及适合我国的工程质量保证期和工程质量保险期限，为工程质量保险的开展提供了理论和实证依据．同时，在质量责任阶段重构的基础上，为当前亟待解决的保修金拖欠、农民工工资拖欠等问题，提供了解决的理论依据和途径．     

剑杆织机边部织疵形成原因及消除方法

分析了剑杆织机边部织疵产生的主要原因,并提出了消除边部织疵的具体方法。     

冷轧钢带表面缺陷在线检测及系统的计算机接口

讨论了一种冷轧钢带表面缺陷在线检测系统的基本组成和原理，该系统能测量钢带的宽度，检测边裂、孔洞和重皮等缺陷。研究了采用存储器地址映像技术和双体ＲＡＭ总线切换技术设计的计算机接口，该接口能使数据的计算机输入和处理并行工作，省去了数据输入占用ＣＰＵ的时间，解决了实时检测系统高速数据的计算机输入和处理存在的时间冲突的难题。     

多晶TiO2氧敏特性及其机制的研究

研究了多晶金红石ＴｉＯ２氧敏半导体材料的氧敏特性及其机制。结果表明，表征ＴｉＯ２导电机制的特性参数ｍ并非常数，它与杂质浓度、温度、氧分压等多种因素有关，本文认为，ＴｉＯ２的主要眯缺陷由不同电离状态的氧空位所构成，该模型可以解释有关的实验结果。     

对含缺陷高分子材料破坏理论未来研究方向与应用前景的思考

在含缺陷分子材料破坏过程中多场耦合跨物质层次分析成果的基础上，以裂尖过程区为重点，以能量耗散机制为主线，对含缺陷高分子材料破坏理论的未来研究方向与应用前景进行了概括性探讨。     

大学英语教学与CET测试策略

从全国大学英语四、六级统一考试(CET)的特点、题型、考试的弊端和实施过程中的潜在问题出发,对CET的积极作用以及CET的改革等五个方面进行较为系统的阐述,并提出了具体的建议.根据大学英语教学大纲的要求,教学结束时应按要求组织考试.考试的形式可以是学校自行命题考试,试题库测试或全国统一考试.其中全国大学英语四·六级统一考试(CET)是建国以来我国高等教育课程建设与评估中前所未有的.本文从CET的特点、题型、考试的弊端和实施过程中的潜在问题出发,对CET的积极作用以及CET的改革等五个方面进行了较为系统的阐述,并提出了具体的改进策略.