宇宙中物质的压力对宇宙年龄的影响

在标准宇宙学模型中,非相对论性物质(以下简称为物质)被视为无压的尘埃粒子[1],然而其合理性并未定量地证实过.Peebles[2]也曾提到过考虑宇宙中物质压力的必要性.目前的研究表明,在冷暗物质宇宙学模型基础上,宇宙中大尺度结构形成的高精度计算机数值模拟和理论分析都预言,在星系和星系团的中心应该有一个致密的核;然而这与目前的观测如星系团的引力透镜观测等相矛盾.最近Spergel等[3]假定冷暗物质之间存在着相互作用力,即存在着热压力,并对其做了深入研究,但也并未涉及其对宇宙年龄的影响.     

暗物质研究的进展兼谈科学中的整体统一方法

本文介绍了关于暗物质的基本知识和近年来的研究进展,包括暗物质的证据,冷暗物质模型, 弱相互作用暗物质的探测,关于暗物质晕的研究,其它天体物理限制等。当前暗物质的研究方法与传统的分析、还原方法有所不同,或可作为所谓“整体统一”研究方法的一个例子,这对其它领域的研究也有一定的借鉴价值。     

暗物质暗能量的性质与相互关联

最近英国学者据帕拉纳尔天文台的观测数据分析,对宇宙暗物质暗能量研究取得了一些进展．若认为宇宙暗物质是费米型中微子ｖ０ｅＦ及其超对称伴子中性微子Ｕ－０ｅＢ组成,则据天体演化的2类自由流阻尼标度给出的质量、半径计算式,总结出暗物质特性,结果与观测基本相符,支持热暗物质说,同时也讨论了暗物质与暗能量的相互关联．     

饥饿补偿对日本沼虾生长及生化组成的影响

在(25.0±1) ℃范围条件下,对日本沼虾进行了不同时间的饥饿处理后再投饵的恢复生长实验.饥饿过程中,虾体水分、灰分含量略有上升,蛋白质和脂肪含量以及RNA/DNA值有不同程度下降.分别给饥饿处理0(对照),2,4,8 d的日本沼虾投饵,在恢复生长结束后,各饥饿处理组的虾体生化组成均接近并恢复到对照组水平.饥饿处理组在恢复生长中的特殊生长率、摄食率和食物转化率显著高于对照组,实验结果表明,日本沼虾继饥饿后再恢复喂食不仅食欲增加,而且摄食水平和食物转化率均有所提高,出现完全或部分补偿生长效应.     

暗孤子稳定传输的一种有效方法

通过数值模拟方法证明,采用三阶色散正负交替变化的光纤化替单一极性的常规光纤,可有效抑制三阶色散的影响,使基本暗孤子达到稳定传输。     

六辊UC轧机混沌动力学模型的暗线方程与MSS序列分析

对东北大学轧制技术与连轧自动化国家重点实验室六辊UC轧机动力学模型的混沌特性进行深入研究,针对模型的混沌特性,应用符号动力学对模型的相图、分叉图、暗线方程以及MSS序列进行了分析,给出该模型不稳定轨道和混沌参数区间的确定方法,解决了该模型混沌OGY控制的2个基本问题·     

降低人体摄入砖茶氟含量的技术措施

茶叶是一种聚氟的植物,新梢成熟度越老,氟含量越高,由于砖茶的原料相对来说比较老,所以氟的含量比一般的茶含量高许多．本文从降低砖茶的氟含量的技术措施和改良饮用砖茶习惯两大方面论述了怎样降低人体摄入砖茶氟含量．     

不同日龄的桔小实蝇成虫饥渴耐受能力的初步研究

通过不同给食、给水的处理方式对桔小实蝇Bactrocera dorsalis（Hendel）不同日龄的雌雄成虫进行了饥渴耐受能力的测定。以平均存活时间作为桔小实蝇饥渴耐受能力的指标。结果表明：在给水缺食的情况下，25℃时，桔小实蝇不同日龄成虫的平均存活时间介于2．2～3．9d，15℃时，介于6．2—9．4d；在给食缺水情况下，25℃时，不同日龄成虫平均存活时间介于3．1—5．3d，而15℃时，介于5．8～10．7d；在缺食缺水情况下，25℃和15℃时，其平均存活时间分别介于2．0～3．6d和5．3—8．0d。在25℃条件下，各日龄的桔小实蝇雌、雄成虫耐渴的能力要强于耐饥能力，且食物的存在能显著延长桔小实蝇的平均存活时间；在15℃条件下，除了10日龄和15日龄的雄虫外，其他日龄雌（或雄）虫的耐饥能力与耐渴能力间并无差异，而水或食物哪样更能显著延缓桔小实蝇成虫的死亡，还与成虫日龄和性别有关；25℃时，15日龄雌雄成虫间以及15℃时，5日龄及10日龄的雌雄成虫问的平均存活时间均在给食缺水时出现显著差异；在相同的处理方式下，15℃时成虫的饥渴耐受能力比25℃时的强。     

一种改进的雾化图像快速复原算法

基于暗通道理论,提出一种改进的单幅图像去雾算法,对雾化图像快速去雾.改进算法采用自适应中值滤波与双边滤波相结合的方法,计算边缘细致清晰的暗通道,根据雾天成像的物理模型估算透射图.与传统算法相比,估算出的透射图细致清晰,无需优化,克服了传统算法用大量时间优化透射图的缺点,大幅降低了算法的复杂度.试验结果表明,该算法可以实现对单幅图像的高质量快速去雾.     

离子注入减小条形射线探测器表面漏电的研究

选择高阻N型〈10 0〉单晶硅材料 ,X射线探测器为PIN管结构 .为了减少器件表面缺陷对暗电流的影响 ,在器件P区的两侧使用离子注入形成浅层低浓度N区 ,以减小器件的暗电流 .通过对比实验发现 ,当N区的注量增大时 ,在相同反向偏压条件下 ,器件的暗电流密度随之减小 ,同时击穿电压也相应减小 .为了减小器件的工作电压并进一步减小工作时的暗电流密度 ,还将器件的背面进行厚度减薄、抛光和AuSb/Au合金形成欧姆接触 .对减薄后的器件进行I V特性测量 ,由于工作电压大幅降低 ,器件正常工作时的暗电流密度大幅度减小 .同时在实验中发现温度对暗电流的影响非常大 ,将器件温度降低到 - 15℃时 ,暗电流密度可降低到 1nA·mm- 2 以下 .