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51.
利用自制的钨/氧化钨为p H指示电极,以Ag/Ag Cl电极为参比电极,组装于不锈钢针头内,制成针型钨/氧化钨微型p H复合传感器.该复合p H电极对H+的响应范围为p H=2.0~11.0,能斯特响应斜率为-53.83 m V/p H,响应时间小于1 min.该电极具有机械强度高、响应快、重现性好、制作简单等优点,并已应用于水果原位微区测量,具有较好的效果.  相似文献   
52.
Tin oxide (SnO2) nanoparticles were cost-effectively synthesized using nontoxic chemicals and green tea (Camellia sinensis) extract via a green synthesis method.The structural properties of the obtained nanoparticles were studied using X-ray diffraction,which indicated that the crystallite size was less than 20 nm.The particle size and morphology of the nanoparticles were analyzed using scanning electron microscopy and transmission electron microscopy.The morphological analysis revealed agglomerated spherical nanoparticles with sizes varying from 5 to 30 nm.The optical properties of the nanoparticles' band gap were characterized using diffuse reflectance spectroscopy.The band gap was found to decrease with increasing annealing temperature.The O vacancy defects were analyzed using photoluminescence spectroscopy.The increase in the crystallite size,decreasing band gap,and the increasing intensities of the UV and visible emission peaks indicated that the green-synthesized SnO2 may play future important roles in catalysis and optoelectronic devices.  相似文献   
53.
为了探索碳纳米材料氧化石墨烯(GO)和全氟辛烷磺酸类物质(PFOS)在淡水底栖贝类体内的联合毒性效应, 以河蚬为研究对象, 考察 1 mg/L GO和500 ng/L PFOS单独及联合暴露28天后对河蚬体长、体重、滤食率、活性氧水平、抗氧化系统酶活性和丙二醛含量的影响, 并采用优化的综合生物标志物响应指数(EIBR)进行整体评估。结果表明, 暴露结束后, 河蚬的体长和体重没有明显的变化。与空白对照组和溶剂对照组相比, GO和PFOS的单独暴露组及联合暴露组的滤食率均显著下降。在河蚬的鳃和内脏团中, GO和PFOS的胁迫都会引起抗氧化系统酶活性响应的显著变化, 且两器官中变化趋势一致。EIBR结果表明, 鳃和内脏团中联合暴露组的毒性比 PFOS或GO单独暴露组的毒性更强。  相似文献   
54.
模板的制备和选择在纳米压印技术中非常重要. 采用廉价的光盘为模板, 利用聚二甲基硅氧烷(PDMS)浇铸到光盘表面, 分离后复制得到光盘的负形结构. 采用纳米压印技术, 以PDMS 软模板作为印章对氧化锌纳米溶胶进行直接压印, 实现了氧化锌薄膜的表面图案化, 经煅烧后得到晶态氧化锌薄膜.  相似文献   
55.
采用水热法系统研究了基底预处理(基底铺膜、不铺膜吹氮气处理和盐酸浸泡处理等)方式对于制备ZnO微/纳米管阵列的影响;结合ZnO晶体的微观结构,探讨了基底特征与ZnO微/纳米管阵列生长的内在联系.结果表明,采用高纯氮气和盐酸浸泡预处理基底均能制备得到ZnO微/纳米管阵列,并且这两种预处理方法制备出的纳米管在尺寸、形貌和分布上有所不同.ZnO微/纳米管成管机理研究表明,ZnO顶部锌终端对于生长微/纳米管起着决定性作用.  相似文献   
56.
在700℃炉冷、870℃空冷和炉冷三种热处理条件下,制备了氧化铱pH微电极,并对比了微电极的线性范围及响应时间.结果表明:热处理条件对Ir氧化物膜的均匀性有很大影响,进而影响其开路电位的稳定性及响应速度.700℃炉冷和870℃空冷制得的电极氧化膜表面粗糙,孔隙率不均匀并伴随有裂纹;而870℃炉冷条件下制得的电极具有表面氧化膜均匀、响应时间短以及线性好等优点.铱氧化物的形成机理是Ir丝被空气中的O2氧化,而高温Li2CO3起到一种溶剂的作用.铱氧化物电极的H+响应是由于电极表面水合氧化铱与溶液中H+发生化学反应,反应为Ir4+与Ir3+之间的转变.  相似文献   
57.
为了揭示ZnO/p-Si异质结的导电机理,基于p-n结扩散模型和Anderson扩散模型推导了ZnO/p-Si异质结在理想情况下的伏安特性,并分析了掺杂浓度、工作温度以及能带补偿的影响.结果表明:当正向偏压超过势垒高度时,界面两边多数载流子由耗尽变为堆积,形成反向势垒,对异质结的正向电流起阻碍作用;当外加正向电压等于内...  相似文献   
58.
针对非晶硅和有机薄膜晶体管的低迁移率问题,以高纯Zn为靶材,反应磁控溅射沉积、且在不同温度下退火的ZnO薄膜作为半导体活性层,成功地制备出基于ZnO材料的薄膜晶体管(ZnO-TFT),研究了退火温度对ZnO -TFT电特性的影响.结果表明:ZnO- TFT的载流子迁移率随退火温度的升高而明显增大,700℃退火的样品迁移...  相似文献   
59.
采用固相反应法制备了La0.67Ca0.33Mn0.9A0.1O3(其中A为Cr、Co、Fe、Al、Cu)系列Mn位替代的氧化物样品;利用正电子湮没对该系列样品的结构缺陷进行了分析,结果表明:τ1的变化范围不大,表明样品主要受大尺寸点缺陷的影响,τ2的变化比较明显,说明样品内存在一定数量的空洞及微空洞等缺陷.类比合金中正电子长寿命与缺陷簇之间的关系,估算了元素替代后样品的缺陷半径大小,可能大的空位团簇、位错和晶界在样品中起着重要作用.按Cr、Co、Fe、Al、Cu的掺杂顺序,平均寿命τavg逐渐增加,而电子密度ne则逐渐减小.说明元素掺杂引起锰离子局域环境的改变,样品中的铁磁与反铁磁作用的相互竞争及样品内部电子局域化所形成的极化行为等因素的影响,导致了正电子寿命各参数的变化.  相似文献   
60.
针对氧化石墨(GO)用化学方法还原为石墨烯纳米片(GN)后极易再配列为类似石墨结构层状物的问题,本工作在GO还原过程中用聚苯胺(PANI)修饰石墨烯纳米片(P-GN),发现即使干燥后,P-GN仍可在N,N-二甲基甲酰胺(DMF)中呈分散状态稳定存在.  相似文献   
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