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51.
本文研讨了Al_2O_3和B_4C粉末的粒度、烧结温度以及成型压力对Al_2O_3-B_4C芯块烧结密度的影响。芯块烧结的行为主要由Al_2O_3粉末的性能所决定,而B_4C则阻碍这一烧结的进行。当Al_2O_3粉末粒径大于6μm后,用烧结很难获得高于90%的密度。烧结温度高于1600℃后,含B_4C芯块和纯Al_2O_3压坯都发生急剧收缩。高于1750℃后,主要由Al_2O_3发生热解、失氧并挥发严重,导致芯块产生微量膨胀,开孔增加而密度下降和纯Al_2O_3压坯收缩减慢。 相似文献
52.
在浓硫酸中,硼与胭脂红生成蓝色络合物。本文在此显色基础上,依据主次双波长光度理论,研究了环境水体中微量硼测定的新方法。该方法提高了分析精密度及灵敏度,且计算曲线稳定性好。在对环境水体的测定中,方法的检出限为0.3mg/L,相对标准偏差RSD≤2.2%,回收率96.2~103.0%。 相似文献
53.
54.
彭木彰 《清华大学学报(自然科学版)》1994,(6)
重力注硼系统不仅设备简单、经济,而且具有固有安全的特点。本文采用一组双组分两相流体五方程式描述系统的物理过程,分析影响注硼速度的因素。分析结果说明:在所关心的范围内,反应堆压力容器内不凝结气体的分压力和注硼管直径的影响最大。 相似文献
55.
56.
等离子体增强CVD氧化硅和氮化硅 总被引:3,自引:0,他引:3
利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氮化硅薄膜的成分和结构进行了研究。采用高频C-V测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氮化硅及其复合膜的界面特性,结果表明PECVDSiO2-SiN双层结构的复合膜对半导体器件表面有良好的钝化效果。 相似文献
57.
高宏卿 《河南师范大学学报(自然科学版)》1995,23(4):76-79
本文根据神经网络函数学习模型,提出了平面三次多项式曲线一种近似等距线算法。该算法计算简单,近似精度高,且近似等距线也为三次多项式曲线,有利于计算机存贮管理,可为数控机床加工三次曲线提供刀具中心运动轨迹的计算工具。 相似文献
58.
研究了几个工艺因素对添加Y_2O_3,Al_2O_3的氮化硅陶瓷的烧结致密化的影响。结果表明:添加有少量硅粉的压块较不添加硅粉的同成分陶瓷易实现其致密化;烧结升温速度;α-Si_3N_4→β-Si_3N_4相变温度对致密化无明显影响;含有5%BN粉末的烧结填料能使陶瓷获得最高的致密度。制得了接近热压陶瓷密度的烧结陶瓷。 相似文献
59.
本文报导了使用触媒Mg-Mg_3N_2和少量添加剂,在压力4.5~6.5 GPa,温度1300~1700℃条件下,用4~6 mim合成出桔黄色、半透明的CBN单晶,最大晶面直径为0.62 mm。 相似文献
60.