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81.
硅上液晶微型显示器发展史综述 总被引:1,自引:0,他引:1
分析集成硅上液晶(LCoS)模型显示器的两门先进技术,即半导体技术和LCD技术的发展历史。认为LCoS是集半导体技术和LCD技术而成的高新技术。LCoS的出现有赖于这两项技术的发展。反过来LCoS又促进这两项技术的发展,LCoS在微显示器系统中有巨大的应用前景,具有相当大的潜在市场。 相似文献
82.
生物液晶对CaCO3结构影响的超声效应 总被引:1,自引:0,他引:1
应用D/max-ⅢC型全自动X射线衍射仪对常温下几种化学合成的CaCO3结构进行了研究.结果表明,一般化学法合成的CaCO3以方解石结构存在;在液晶相中合成的CaCO3以霰石结构存在;而在用超声处理过的液晶相中合成的CaCO3既有方解石结构存在,又有霰石结构存在 相似文献
83.
海底管线涡激振动响应动力特性 总被引:3,自引:0,他引:3
海底管线管跨段的涡激振动,尤其是管跨在涡激振动下的频率锁定现象,是引发海底管线断裂失效的主要因素之一.通过对不同尺寸管道在不同流速条件下的漩涡发放频率、结构自振频率以及振幅的测量实验,找出了圆形管道在稳定流中涡激振动的规律,提出了由约化速度来控制涡激振动的方法为了将模型实验结果与理论计算结果进行比较,建立经验参数与不同实验条件下的物理参数之间的关系,利用尾流振子模型方法计算模型的涡激振动动力响应.通过模型实验说明尾流振子模型方法求解管道涡激振动的可行性,计算结果与实验结果吻合较好. 相似文献
84.
合成了8-氨基喹啉Schiff碱乙酸锰配合物,并解析了单晶结构。晶体属单斜晶系,空间点群为P2(1)/n。晶胞参数:a=8.379 7(10),b=20.941 0(3),c=11.178 1(2),β=104.286 0(10),°V=1 900.87(5)3,Z=4。 相似文献
85.
利用Gleeble-3500热模拟试验机、扫描电镜、透射电镜、电子背散射衍射技术等手段研究V对700 MPa级高强度汽车大梁钢组织细化的影响.在冷却速度2~7℃·s-1时,显微组织为针状铁素体+粒状贝氏体组织.V添加提高粒状贝氏体体积分数,细化粒状贝氏体组织,并明显降低粒状贝氏体中M/A岛的尺寸.与无V钢相比,含V钢中大角度晶界比例提高18.2%,对提高钢的韧性有利.由于C含量过低,在实验钢中未观察到单独的VC析出,由此推测V主要固溶在基体中,以合金化方式促进钢的贝氏体相变,使组织得到有效细化. 相似文献
86.
以光子晶体光纤(PCF)为研究对象,以提高气体测量灵敏度为研究目标,提出一种反射式的光纤气体传感技术.首先,利用宽谱光源谐波检测技术,并结合实际应用需求,设计了基于空芯PCF的反射式气体传感系统,并详细分析了系统的工作原理.然后,针对空芯PCF与单模光纤耦合困难、气体填充时间长的问题,设计了集密封、固定及连接于一体的机械耦合装置作为测量气室.最后,以乙炔气体为例,测试了该系统的传感特性,体积分数分辨力可达0.02%,最大相对误差为1.39%.该技术将进一步推动PCF在气体传感中的应用,并为其在实际气体浓度测量中的应用提供了理论和实验基础. 相似文献
87.
立方氮化硼横向电光调制半波电压的测量 总被引:1,自引:0,他引:1
宽禁带半导体材料立方氮化硼(cBN)具有闪锌矿结构和43m点群对称性,因此cBN晶体也是电光晶体。用cBN晶体进行了横向电光调制,首次观察到cBN的电光效应,并且测得了样品的半波电压. 相似文献
88.
基于一维光子晶体超晶格的多通道滤波器 总被引:1,自引:0,他引:1
利用传输矩阵方法,研究了由两种具有特定散射关系的一维光子晶体交替排列所形成的一维光子晶体超晶格的光学特性,讨论了势垒宽度,势阱宽度及势阱数目对其的影响.计算结果表明,通过改变超晶格的结构,可以调节在光子禁带中透射带的数目、透射带中透射峰的数目,并且这些透射峰都具有很高的品质因子.这种光子晶体超晶格结构有望作为多通道滤波器在密集波分复用系统及集成光学系统中获得应用. 相似文献
89.
The additional 1.5 wt% Mo was added in a Ni-base single crystal(SC) alloy with the composition of Ni–6.5Al–8.0Mo–2.4Cr–6.2Ta–4.9Co–1.5Re–(0.01–0.05)Y(wt%) to study the effect of Mo content on the microstructure and stress-rupture properties. The creep and stress-rupture tests under the conditions of 850 °C/500 MPa and 1100 °C/130 MPa were conducted, and the microstructure of as-cast, heat treated and stress ruptured specimens were analyzed. It was found that the 1.5 wt% Mo addition enhanced the stress-rupture lives at both intermediate(850 °C) and high(1100 °C)temperatures. The microstructure analysis showed that adding 1.5 wt% Mo in the basic alloy affected the microstructure dramatically, i.e., the Mo-rich phases formed in the specimens of as-cast and stress-ruptured specimens. It is considered that the improvement of the stress-rupture lives is duo to the strengthening effect of Mo to both γ and γ'phases and the decrease of stacking fault energy, diffusion constant and dislocation spacing. The Mo-rich phases precipitated under condition of 1100 °C/130 MPa did not affect the creep and stress-rupture properties obviously in the present study. 相似文献
90.
研究了萘并15冠5与CdCl2·2.5H2O,KSCN的反应,得到标题配合物[K(N15C5)2]2[Cd(SCN)4]CH2Cl2,并通过元素分析、红外光谱、X-射线单晶衍射对配合物进行了表征.配合物为单斜晶系,空间群P^-1,晶体学数据:a=15.521(2)A、b=15.617(3)A、c=20.582(3)A,α=73.528(3)°、β=80.355(3)°、γ-61.295(2)°,V=4193.6(12)A3,Z=4,Dcaled=1.411Mg/m3,F(000)=1848,R1=0.0579,wR2=0.1227,R1=0.1757,wR2=0.1708.标题配合物由两个[K(N15C5)2]+配阳离子和一个[Cd(SCN)4]2-配阴离子组成.两个N15C5分子和钾离子通过10个K—O键形成夹心式配位结构,[Cd(sCN)4]2-中的Cd2+与四个NCS基团中的四个N配位,形成变形四面体结构.配阳离子子[K(N15C5)2]+与配阴离子[Cd(SCN)4]2-通过静电作用形成中性配合物. 相似文献