NiSiF_6·6H_2O的光学吸收谱和EPR

应用三角晶场中ｄ２（ｄ８）电子组态的强场能量矩阵元，采用完全对角化方法，建立了精确计算零场分裂Ｄ值和ｇ因子的一套方法。以此计算了ＮｉＳｉＦ６６Ｈ２Ｏ的光谱和ＥＰＲ，结果与实验符合得很好     

混晶体CsMg_(1-x)Fe_xCl_3中Fe~(2+)离子光谱分析

本文用d~6电子系D_(3d)旋轨直积群的不可约表示对应的能量矩阵计算了混晶体CsMg_(1-x)Fe_xCl_3中Fe~(2+)的电子光谱。其理论计算与观测一致,同时,确定了混晶体中Fe~(2+)离子属D_(3d)配位态。     

GH169高温合金中γ＂相粗化的行为

利用透射电子显微镜，研究了ＧＨ１６９合金中γ＂相的粗化长大行为，并用体扩散控制长大的ＬＳＷ理论进行对比分析。结果表明，γ＂相的粗化行为符合ＬＳＷ理论，ＬＳＷ理论可用来解释γ＂相扩散控制的长大过程；然而高密度弥散析出有较大错配度的γ＂相所具有的特殊性又决定了其颗粒大小的分布偏离了ＬＳＷ理论。     

阳离子的电荷和半径对充满型钨青铜结构铌酸盐单晶生长和某些性质的影响

以碱金属,碱土金属,第一过渡族金属和稀土金属离子混合填无钨青铜铌酸盐的 A 位,使之构成 A 位充满型结构。用 Czochralski 法生长晶体。讨论了不同电荷及半径的离子对晶体生长习性,介电特性及居里点等的影响,比较不同的离子对晶体极化的稳定作用.     

制备ZnO荧光体物理过程的研究

本文对硫法制备氧化锌,荧光体的物理过程,进行了理论上的探讨,从而了解制备过程晶体中微观运动的基本轮廓。文中讨论了Frankel缺陷、超量Zn在晶体中的护散、晶体的延生、高溫淬火和球磨等过程对发光中心形成的作用与影响,並且认为,是某种填隙方式Zn原子形成受主能级,构成发光中心,还提出了相应的发光中心能带模型,通过分析,对制备过程各环节提出了原则性建议。     

Synthesis and structure determination of ruthenium and osmium complexes with 2,6-bis-(diphenylphosphinomethyl) pyridine

2,6-Bis (diphenylphosphinomethyl) pyridine (PNP) reaction with Na₂OsCl₆ · 6H₂O to give the five coordinated, sixteen-electron complex Os (PNP)Cl₂. In the presence of formaldehyde, the reaction between Na₂OsCl₆· 6H₂O and PNP proceeds rapidly in boiling ethanol to give the coordinately saturated Os(PNP)Cl₂(CO). The IR spectrum of Os(PNP)Cl₂(CO) shows a strong absorption band at 1 970 cm⁻¹ assignable tov _∞ stretch. PNP reacts with RuCl₂(PPh₃)₃ and RuCl₂(DMSO)₄ (DMSO=dimethyl sulfoxide) to give Ru(PNP)Cl₂ (PPh₃) and Ru(PNP)Cl₂ (DMSO) respectively. The average Ru−Cl, Ru−P and Ru−N bond distance in Ru(PNP)Cl₂(PPh₃) determineby X-ray crystallography are 0.242, 0.236 and 0.216 nm, respectively. Li Zhaoying: born in July 1949, associate professor     

芳-脂族共聚酯酰胺热致液晶的合成和表征

利用芳－脂复合二酰氯和四种芳族二元胺合成了３个系列含有两种芳香二胺结 构单元的无规芳－脂共聚酯酰胺，其对数比浓粘度为 １．３０～２．１８ ｄＬ／ｇ。用偏光显微镜、 Ｘ光衍射和ＤＳＣ对聚合物的液晶行为进行了研究。     

掺钽LN单晶生长及其含钽量测定

本文研究并确定了掺钽LN单晶的生长条件。介绍了“此重法”的原理和操作,并首次用这种不损坏晶体样品的方法测定了生长出的一系列掺钽LN 晶体中的含钽量。     

聚1,4-苯二氧乙酸-1,8-二氧代辛撐基二苯酚酯的结构和液晶行为的研究

用界面聚合方法制备了芳香族聚酯——聚1,4-苯二氧乙酸-1,8-二氧代辛撐基二苯酚酯?镁埘ナ怯珊交返母招粤唇诹友羌谆嵝约涓舳?利用元素分析、红外光谱分析、热台偏光显微镜观察、照相、差示扫描量热法(DSC)、X-射线衍射及小角激光光散射等技术,对该聚合物的结构和性能进行了研究。结果表明,该聚合物为热致液晶,能够呈现近晶相和向列相织构。它的热行为受其热史影响很大。DSC冷却曲线上液晶转变峰大于结晶峰,可认为是由于急冷而使分子链不及排成三维有序晶态所致。聚合物的清亮点转变呈现平衡转变的特征,清亮点转变熵似可用来表征系统介晶态的有序度。     

压电晶体最大特征系数切向判定方法

利用特征系数最大的压电晶体切型，可以获得较强的压电效应．给出了一种利用最优化方法确定特征系数最大的压电晶体切向的计算方法．压电晶体各系数矩阵的矩阵元随不同的旋转切割方向而变化，对二次旋转切割，它们是两个旋转角的连续函数．以压电系数为例，给出了二次旋转后各矩阵元的表达式和部分矩阵元随两个旋转角变化的三维曲面．各矩阵元的绝对值均存在一个最大值，有些最大值比原始坐标系中的最大值要大．针对LiNbO3晶体的压电系数矩阵，利用所给出的方法计算了每一矩阵元的最大值和相应的切割方法(2个旋转切角)．