水稻雄性不育细胞组织学的研究

水稻雄性不育系的花粉败育一般可分为无花粉型、单核败育型、双核败育型和三核败育型等四种。个别不育系花粉败育方式较特殊。野败不育系的花丝和药隔维管束退化最严重,花药开裂结构的异常主要表现在裂口、裂腔分化发育异常。     

Shallow Impurity States in Ternary Mixed Crystals

利用微扰－变分法研究了极性三元混晶中束缚在浅库仑杂质中心的极化子．采用改进的无序元胞独立位移模型和有效声子模近似，计及电子和两支光学声子的相互作用，导出了极化子基态能量和束缚能量随组分变化的解析解，分析了声子屏蔽、质量重整化和自陷效应．对若干三元混晶的数值计算结果表明：声子屏蔽效应占主要作用；电子声子的相互作用减小了束缚极化子的束缚能．发现声子对束缚能的贡献随组分的变化是非单调的．讨论了有效声子模方法的有效性和适用范围     

超硬膜β-C_3N_4的研究进展

理论分析认为β－Ｃ３Ｎ４可能是一种比金刚石还要硬的材料，它的研究成为当今材料科学的一个热点。文章论述了β－Ｃ３Ｎ４问题的由来和研究进展，以及今后的研究趋势。     

Sm2Fe17化合物中Ga替代效应的理论分析

用单离子模型计算了Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＧａｘ中的晶场，给出了晶场系数随Ｇａ含量的变化关系。在晶场和交换作用近似下，计算了体系的自由能随Ｇａ含量和温度的变化关系，用最小二乘法拟合自由能给出各向异性常数Ｋ，Ｋ２从而得到各向异性场Ｂａ。计算结果与实验中的规律基本符合。     

分子晶体环上的椭圆函数波

得到了环上的有色散项的分子晶体模型的椭圆函数波解．当环的周长趋于无穷大时，模型的椭圆函数波解回复于一维链的改进光学极化子解．计算了模型中自陷态的晶格位移和电子的自陷阱．     

形变参数对中碳铬镍钼钒钢奥氏体晶粒的影响

该文就采用Ｇｌｅｅｂｌｅ－１５００热／力学模拟实验机对研究钢进行的压缩试验，探讨了形变速率和形变温度对其热变形奥氏体晶粒特征的影响。结果表明，适当降低形变温度或提高形变速率可以细化晶粒。其研究结果对了解高温变形条件下中碳铬镍钼钒钢的高温组织变化规律，制定合理的热加工工艺，有效地控制产品的组织性能，提高产品质量，提供了实践依据。     

一步法合成Cs2REI5（RE=Ce,Pr）

用一步法合成了2个新化合物Cs2CeI5和Cs2PrI5，测试了这2个化合物的荧光性质，初步确定了Cs2CeI5和Cs2PrI5的结构，它们都属于四方晶系，是同型物（晶胞参数Cs2CeI5:a=1．0566nm，c=0.8729nm；Cs2PrI5:a=1.0543nm，c=0．8704nm）．并且还用XANES法测定了Cs2PrI5中Pr的价态．     

液晶光阀的电光频率特性

测量并分析了TB3639型液晶光阀的电光特性曲线,讨论了频率变化对液晶显示器显示稳定性的影响.结果表明:阈值电压和饱和电压都随频率的增大而逐渐增大,尤其是阈值电压受频率影响更大,频率对陡度也有较大的影响.而阈值电压的变化与陡度的变化会影响LCD显示的稳定性,阈值电压升高,显示对比度会下降,阈值电压降低,易产生交叉串扰现象.经分析得出:在60～100 Hz区间,所测试的液晶光阀陡度随频率变化相对较小,显示特性较稳定.这为设计液晶显示器件,提高其显示稳定性提供了依据.     

基于同步辐射白光形貌术和X射线迹线法的6H-SiC单晶结构缺陷研究

[目的]SiC材料结构缺陷的检测和控制是实现材料应用的关键环节,因此本文对6H-SiC单晶中的结构缺陷进行研究。[方法]采用同步辐射白光形貌术观察6H-SiC单晶中的基本螺位错和基平面弯曲,并利用X射线迹线法模拟基本螺位错的形貌和基平面弯曲后衍射斑点的形状。[结果]6H-SiC单晶中的典型结构缺陷之一为基本螺位错,它的形貌特征为白色的圆斑;由于热弹应力的存在,6H-SiC单晶在生长过程中容易发生基平面弯曲,结果导致衍射斑点的形状发生改变。[结论]同步辐射白光形貌术和X射线迹线法可以用于检测6H-SiC单晶结构缺陷;样品的基本螺位错密度为1.56×10~4/cm~2,基平面弯曲半径近似为1m。