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11.
蔡海榕 《杭州师范学院学报(社会科学版)》2003,1(3):70-74
当代西方学者正在深入讨论现代性给知识分子生活带来的深刻变化。在现代性危机状态下,反思批判性知识分子的历史使命,这对中国知识分子在现代化进程中如何履行应有的职责,不乏启发意义。 相似文献
12.
13.
李学敏 《山东师范大学学报(自然科学版)》1994,9(1):6-10
讨论了第一临界情形下的平面三次系统高次奇点的局部拓朴结构,并给出利用多项式系数的判断准则。 相似文献
14.
This article presents a case example involving the renaming of an organizational change process from BPR to outsourcing. The paper discusses the important ramifications of such a name change in that the recognition of outsourcing allowed an organizational commitment to counseling and termination advice. The paper discusses two ways of looking at the name change, one from a critical theory perspective and one from a realist perspective. It demonstrates how theory can provide useful yet markedly different interpretations of such organizational events. Critical theory operates from within what can be termed the transitive epistemological dimension, whereas critical realism tends to emphasize the importance of ontological issues. Each has important things to say about the situation and improves our understanding overall. 相似文献
15.
16.
芦根玲 《科技情报开发与经济》2004,14(4):212-214
通过工业锅炉试验,分析研究了锅炉燃烧方式、煤种、锅炉负荷、过剩空气系数及运行操作等几种对工业锅炉初始排尘浓度有重要影响的因素,并有针对性地提出了一些能有效降低工业锅炉初始排尘浓度的方法和措施。 相似文献
17.
18.
19.
针对临近空间单粒子效应进行了数值模型仿真和特征尺寸为0.1 μm的反相器电路的脉冲注入模拟研究。数值仿真结果表明器件临界电荷随着工作电压的降低而减小,敏感横截面随着临界电荷的降低而逐渐增大。临近空间微电子器件的单粒子翻转概率随敏感横截面增大而上升,但其又随临近空间高度的增加而下降。此外,利用SPICE软件脉冲注入模拟观察到了反相器电路的单粒子翻转现象。所得结论有助于深入研究临近空间的单粒子效应并为器件抗辐射加固提供了理论依据。 相似文献
20.
《科学通报(英文版)》2007,(16)
The photoluminescence quenching behaviors of 5D3-7FJ and 5D4-7FJ (J = 0―6) transitions of Tb3 in YBO3:Tb under 130―290 nm excitation were systematically investigated. The results revealed that the quenching concentrations of both 5D3-7FJ and 5D4-7FJ transitions of Tb3 in YBO3:Tb were mainly de-pendent on excitation wavelength. Particularly,the quenching concentrations of 5D4-7FJ transitions of Tb3 under 130―290 nm excitation were correlated with excitation bands of YBO3:Tb. The quenching concentrations of 5D3-7FJ transitions remained at low concentration (2%) under 186―290 nm excitation and then increased gradually with energy of incoming excitation photon when excited at 130―186 nm. This dependence should be involved in their excitation mechanisms and quenching pathway in particular excitation region. 相似文献