支承松动故障转子系统共振区动态特性分析

根据工程实际,建立了松动故障转子系统的非线性动力学模型,利用KBM法对模型进行分析,得到故障转子在共振区的动力学行为特征如共振区提前且持续区间较长,二倍频、三倍频等高次谐波明显以及故障转子系统具有"软式"非线性特性等;分析了支承刚度、转轴刚度等系统参数对松动故障转子系统非线性特性的影响·与已有文献的实验结果比较,结论与实验结果比较吻合·结果可为该类故障转子系统的监测和故障诊断提供参考·     

复合非光滑最优化线搜索方法的全局收敛性

考虑复合非光滑最优化问题minh(f(x))，其中f是一个局部Lipschitzian函数，h是一个连续可微凸函数。本文给出了复合非光滑最优化问题的一个线搜索算法，并且在一定条件下证明了该算法的全局收敛性。     

储层岩石速敏伤害机理研究

储层速敏伤害存在于油气田开发和生产中，其伤害机理为微粒运移，从力学理论上分析，当作用在微粒上的水动力大于范德华力与双电层力之和时，就会使微粒脱离、释放、运移，对储层造成伤害。水动力大小与流速成正比，临界流速是速敏性伤害的一个标志。因此储层中可运移的微粒不仅仅是粘土矿物微粒，还包括石英、长石等非粘土矿物微粒。速敏性造成的伤害是不可恢复的。     

电流互感器二次绕组多个抽头技术性能分析

介绍了电流互感器的二次绕组带抽头实现多变比的应用，对电流互感器二次绕组多抽头进行理论分析，举出了应用实例。     

一种电流求和型的低功耗Bandgap电压基准源

为满足标准P阱CMOS工艺要求 ,设计了一种新的电流求和型Bandgap电压基准电路 ,实现了相对于地的稳定电压输出 ,并且能提供多电压基准输出 .电路采用 0 6μmUMCP阱CMOS工艺验证 ,HSPICE模拟结果表明 :电路输出基准电压为 80 0mV ;在 - 40～ 85℃的温度变化范围内 ,电路温度系数仅为 1 4× 1 0 -6/℃ ;电源电压为 3 5V时 ,电路功耗低 ,消耗电流仅为 1 5 μA .该电路不需改变现有工艺 ,输出灵活 ,有望在多基准电压的低功耗系统中获得较广泛的应用     

CdS／CdTe异质结太阳电池极限效率的计算

讨论了Cds／CdTe异质结的电流电压特性，研究了Cds／CdTe太阳电池在AMl．5太阳光谱辐射下的转换效率，给出了不计所有损失的理想极限情况下，其电池转换效率可达27％。同时讨论了考虑部分材料参数影响的条件下，实际CdS／CdTe太阳电池的转换效率，在所选定的参数下为23％，从近期实际制备的CdS／CdTe太阳电池的进展，以及较为合理的理论推论和分析来看，此效率将有可能达到。     

脉冲电化学光整加工实验研究

用中性电解液进行脉冲电化学表面光整加工可获得良好的表面质量．着重研究了加工的电流密度及电解液浓度对加工表面质量的影响规律，找出了最佳电解液浓度及电流密度．研究表明，脉冲电化学光整加工技术有望在很多关键零件表面光整加工中发挥重要作用。     

利用单片机实现直流他激电机的无触点无级调速系统

以比例式零压法为基础 ,提出了直流他激电机的无触点无级调速控制方案和对低压电机用场效应管替代晶闸管的办法 .利用单片机直接控制晶闸管 ,解决了触点寿命问题 .通过单片机的计数口检测电机轴脉冲轮的脉冲信号可实现电机的速度控制和位置控制 .检测和控制都避开了 A/D和 D/A转换 ,具有一定的实用价值 .     

HV/CVD Grown Relaxed SiGe Buffer Layers for SiGe HMOSFETs

High-vacuum/chemical-vapor deposition (HV/CVD) system was used to grow relaxed SiGe buffer layers on Si substrates. Several methods were then used to analyze the quality of the SiGe films. X-ray diffraction and Raman spectroscopy showed that the upper layer was almost fully relaxed. Second ion mass spectroscopy showed that the Ge compositions were step-graded. Transmission electron microscopy showed that the misfit dislocations were restrained to the graded SiGe layers. Tests of the electrical properties of tensile-strained Si on relaxed SiGe buffer layers showed that their transconductances were higher than that of Si devices. These results verify the high quality of the relaxed SiGe buffer layer. The calculated critical layer thicknesses of the graded Si1-xGex layer on Si substrate and a Si layer on the relaxed SiGe buffer layer agree well with experimental results.     

Research on Precision Assembly Robot''''s Joint Torque Control Based on Current Measurement

A set of new current sensing device is used to realize joint torque control based on current measurement in a precision assembly robot's third joint. The output torque's model of the joint's brushless DC motor is founded. Disturbance factors and the compensated effect of the torque's closed loop based on current measurement are analyzed. Related simulations and experiments show that the system has good current tracking and anti-disturbances performance, which improve the force control performance of the robot in assembly.