新历史主义的文学批评观

新历史主义的文学批评观念建立在对历史本身的反思之上。与传统历史主义不同，新历史主义从历史叙述的本文性质出发，深入讨论了制约文学批评的划界问题及批评语境问题。新历史主义文学观从一个新的角度揭示了批评的意识形态性质。     

二维渗流临界状态连接函数的幂估计

本文对二维边渗流模型给出了临界状态时连接函数τＰｃ（ｏ，ｖ）的幂估计，即存在常数ａ＞０，Ｃ１＞０，Ｃ２＞０使得Ｃ１｜ｖ｜＾－１≤τｐｃ（ｏ，ｖ）≤Ｃ２｜Ｖ｜＾－ａ，这里ｏ＝（０，０），ｖ＝（ｖ１，ｖ２）∈Ｚ＾２，｜ｖ｜＝｜ｖ１｜＋｜ｖ２｜．     

带裂缝水箱承重墙的弹塑性分析

应用弹塑性理论分析屋面水箱的含裂缝承重墙体,得到临界荷载的计算公式,计算出的临界荷载远此砖砌体的局部抗压强度低。建议提高砂浆强度等级在砖砌体局部加强强度。     

一种在实空间重整化群中处理大Kadanoff原胞的方法

通过考虑晶格对称性，提出了一种便于在实空间重整化群中处理大Ｋａｄａｎｏｆｆ原胞的方法，在此方法中，对构形求和转化为对基本图形求和，利用此方法计算出了二级简平方晶格的临界指数。     

非牛顿多方渗流方程解的有界性估计

首先利用对数索伯列夫不等式,经过较为复杂的运算,构造了一个特殊的一阶常微分方程,然后利用一阶常微分方程解对初值的依赖性,对具有Lr初值的非牛顿多方渗流方程的齐边值问题给出了解的有界性估计.     

一类椭圆型方程组非平凡解的存在性讨论

讨论了一类可变分的椭圆型方程组，通过构造特殊的环绕定理得出此类方程组至少有3个非平凡解。     

Effect of Nano-SiC and Nano-Si Doping on Critical Current Density of MgB_2

The discovery of superconductivity in magnesium diboride (MgB2) has opened up a new field in materials science research. It offers a possibility of a new class of high performance superconducting materials for practical applications because of the relatively low cost of fabrication, high critical current densities (Jc) and fields, large coherence length, absence of weak links, higher Tc(TC = 39K) compared with Nb3Sn and Nb-Ti alloys (two or four times that of Nb,,Sn and Nb-Ti alloys). However, the weak flux pinning in the magnetic field remains a major challenge. This paper reports the most interesting results on nanomaterial (SiC and Si) doping in magnesium diboride. The high density of nano-scale defects introduced by doping is responsible for the enhanced pinning. The fabrication method, critical current density, microstructures, flux pinning and cost for magnesium diboride bulks, wires and tapes are also discussed. It is believed that high performance SiC doped MgB2 will have a great potential for m     

一类离散混沌方程的数值分析

借助计算机软件对一维离散混沌方程进行了数值模拟计算,得到了它们的多个高次幂方程的分岔图和李氏指数谱,最后从分岔图和李氏指数谱分析了离散混沌的规律.     

系统方法论研究的现状分析与展望

对目前系统方法论的研究进行分类：硬系统方法论、软系统方法论和批评性系统方法论，分析了不同系统方法的哲学思想、方法步骤及其局限性，探讨了未来系统方法论发展的形式。     

利用托马斯—费米方程对晶体平面沟道场的研究

根据同一晶向的晶面具有平移周期对称性，将托马斯－费米方程引入晶体的平面沟道中求解Si(110）平面沟道内的电场；然后把求得的结果用于计算平面沟道临界角。结果表明：用托马斯－费米方程求得的平面沟道场能较好地描述Si（110）平面沟道内的电场特征。