双核铜(Ⅱ)与N,N,N′,N′-四(2-苯并咪唑基甲基)(o,m,p)苯二甲酰胺的配合物的合成、表征及电化学研究

合成了标题所示的双核铜配合物,并以红外光谱,电子光谱,电导和元素分析进行了表征,9种化合物的ESR谱表明g_∥>g_⊥,故均为典型的Cu(Ⅱ)四方配位,配体σ-BMPD的配合物[Cu_2(σ-BMPD)X_m]·X_n·xH_2O(X表示NO_3~-,Cl~-,ClO_4~-;m=1,2,4,n=0,2,3;x=0,5,6)的ESR在g_∥区域有7重峰的超精细结构。[Cu_2(p-BMPD)(ClO_4)_2](ClO_4)_2则在g_⊥区域有窄的超精细分裂,表明配体的氮存在。在DMF溶液中,用环伏安法研究了配合物的电化学性质,9种配合物均为准可逆电子转移过程,并测定了它们的氧化还原电势。σ-BMPD配合物为2步1电子转移过程,而m-BMPD和p-BMPD配合物则表现为2个连续1电子转移过程在同一电位。     

用坑道废水加细菌堆浸采场废矿和选厂尾矿中铜的研究

用坑道废水加入5%—10%人工培养细菌液、堆浸某矿采场废矿、再用堆浸液搅拌浸出选厂含铜尾矿.浸出液用铁屑置换,生产海绵铜.废矿堆浸60—120d,铜浸出率达60%—88%;尾矿搅拌浸出15—30min,铜浸出率达73.83%,海绵铜品位为60%—81%.     

排针-辊式放电电流分布特性

为提高高压静电分选效率,须对排针型电极放电特性进行探究。采用自制排针-辊式高压放电装置,通过改变电晕电压、排针与辊面间距、排针与辊面夹角及排针数,测试了各因素对放电电流的影响,分析了1/4辊面电流的分布特性。在MATLAB平台上,利用电磁场理论,实现了对排针型电极的空间电场分布仿真模拟。实验结果表明:1其他条件一定,单排针与辊面间距越小,放电电流越大。排针-辊间距为80、100、120 mm时,辊面分电流极大值分别为6.78、5.3、3.34μA。2采用双排针结构,有效放电区域增大,辊面分电流有两个极大值,电晕电压23 k V时,双排针和单排针总电流相等,24~33 k V时,双排针总电流大于单排针。3采用三排针结构,辊面分电流有三个极大值。两侧两排针对中间一排针有排斥作用,三排针与水平方向夹角分别为30°、45°、60°和15°、45°、75°时,两侧电流极大值约为中间电流极大值的3倍和4倍。实验结果与仿真模拟一致,印证了辊面电流分布特性,为排针-辊式高压静电分选机优化设计提供了依据。     

氨基酸侧基对Cu(Ⅱ)-L-氨基酸配合物结构特征的影响

以L－缬氨酸和L－谷氨酸作为配体与Cu(Ⅱ）配位络合形成二－L－缬氨酸－水合铜（Ⅱ）（1）和聚－L－谷氨酸－水合铜（Ⅱ）（2）两个配合物。在配合物（1）的结构中，两个L－缬氨酸分子中的氨基氮原子和羧基氧原子以顺位方式与Cu(Ⅱ)形成螯合的五元环，形成的配合物分子间通过氢键构建成右螺旋链状和三维的超分子结构。在配合物中（2），L－谷氨酸分子以羧基氧原子和氨基氮原子与Cu(Ⅱ)形成螯合五元环，并通过α－羧基氧原子的μ2－桥连形成一维右旋链状结构，通过ω－羧基氧原子的桥连形成三维结构的高聚物。讨论了氨基酸侧基的空间效应和配位能力对配合物结构的影响。     

CdTe量子点荧光猝灭法测定铜离子的研究

以巯基乙酸为稳定剂,在水溶液中一步合成了CdTe量子点.以该量子点为荧光探针,基于荧光猝灭法对Cu2+离子进行了定量检测.考察了缓冲体系、缓冲液浓度、缓冲液pH值、反应时间、量子点浓度等多种因素的影响,在0.033mol/L、pH值为5.91的磷酸二氢钾磷酸氢二钠缓冲液中,当量子点浓度为3.8×10-4mol/L、反应时间为30min时,该方法的线性区间为2～200μg/L,检测下限为0.29μg/L.具体解释了量子点荧光猝灭,是由于价带电子激发到导带以后被表面结合的Cu2+离子捕获而产生的结果,并利用光解实验进一步验证了这一机理.     

酒石酸钾钠和EDTA·2Na盐化学镀铜体系

研究了酒石酸钾钠(TART)和EDTA·2Na盐双络合化学镀铜体系中各因素对沉铜速度稳定性及镀层附着力的影响. 实验结果表明: 化学镀铜速度随着络合剂酒石酸钾钠和EDTA·2Na盐浓度以及施镀时间的增加而减小, 随着硫酸铜浓度、甲醛浓度、溶液pH值和反应温度的增加而增加;添加剂α, α'-联吡啶、亚铁氰化钾和PEG-1000对镀铜速度的影响较小, 但对铜镀层外观质量影响较大. 其化学镀铜最佳条件为: CuSO4·5H2O质量浓度为16 g/L, EDTA·2Na盐为21 g/L, 酒石酸钾钠为16 g/L, 甲醛为5.0 g/L, 亚铁氰化钾为70 mg/L, α, α'-联吡啶为8 mg/L, PEG-1000为1 g/L, pH值为12.75, 镀液温度为50 ℃. 在最佳条件下, 化学镀铜30 min后所得镀层附着力良好、外观红亮且镀速达到3.4 μm/h. 由扫描电镜照片可见: 镀层表面平整、光滑、晶粒细致.     

(NH4)2SO4-NH3-H2O体系浸出高碱性脉石低品位氧化铜矿

以高碱性脉石低品位氧化铜矿为研究对象,针对该矿样钙镁含量高的特点,采用氨水-硫酸铵浸出体系进行了常温常压浸出实验.针对该矿样的主要含铜矿物孔雀石(Cu₂(OH)₂CO₃),基于质量和电荷的双守恒的条件下构建的浸出体系中建立Cu₂(OH)₂CO₃-(NH₄)₂SO₄-NH₃-H₂O的热力学模型,采用Matlab的拟合功能与diff和solve函数算出不同硫酸铵浓度时氨浸出孔雀石的最佳氨浓度和总铜离子浓度.实验考察了浸出氨水浓度、氨铵比、液固比对铜浸出率的影响.实验结果表明,高碱性脉石氧化铜矿石适宜浸出条件为氨水浓度1.2mol/L,氨铵比2∶1,液固比3∶1,该条件下铜浸出率较高,达到约70%.实验结果与热力学计算结果基本吻合.     

木炭还原氧化铜实验研究

介绍了一种新的木炭还原氧化铜实验方法     

4,5-二氨基-2-硫脲嘧啶膜氯化钠溶液中对铜缓蚀性能的研究

通过自组装方法将4,5-二氨基-2-硫脲嘧啶(MPD)分子吸附在铜(Cu)表面,应用电化学极化、电化学阻抗谱(EIS)和拉曼光谱方法,研究其在质量分数为3.5%的氯化钠(NaCl)溶液中的缓蚀能力.在最佳装配条件下,MPD膜的最大缓蚀效率达到98.1%.拉曼光谱研究表明:MPD分子通过N_9-H_(10)和S_7-H_8吸附在Cu表面上.     

纯铜表面纳米化的微观结构演化及其力学性能研究

利用表面机械滚压处理（surface mechanical rolling treatment,SMRT）工艺在纯铜表面制备出梯度纳米结构层,获得了最表层为取向随机的纳米晶粒、亚表层的晶粒尺寸在厚度方向上呈梯度分布的结构层。采用光学显微镜、扫描电子显微镜、透射电子显微镜对微观组织进行表征,研究了晶界、位错、孪晶界等微观结构的演化。通过改变SMART工艺参数,在纯铜表面制备出不同厚度的梯度纳米结构层,对比分析了梯度纳米结构层厚度对纯铜力学性能的影响。结果表明：经SMRT后,试样距表面大约5 μm处的显微硬度高达1.56 GPa,其横截面的硬度随着距表面深度增加呈递减趋势;相比于粗晶铜,SMRT后纯铜的屈服强度提高了2倍多,而塑性损失很少,并且SMRT后纯铜的屈服强度随着梯度纳米结构层厚度的增加而提高。