山楂叶螨抗药性机制的初步研究

采用玻片浸渍法测定了山西省忻州、晋中和运城地区山楂叶螨(Tetranychus viennensisZacher)种群对水胺硫磷和甲氰菊酯的抗药性,并通过增效剂增效作用和生化测定,初步探索了山楂叶螨对水胺硫磷和甲氰菊酯的抗性机制.研究表明忻州、晋中和运城地区山楂叶螨种群对水胺硫磷分别表现为低、中和高水平抗性,忻州和晋中地区种群对甲氰菊酯表现中水平抗性,运城地区种群对甲氰菊酯产生了高水平抗性;山楂叶螨对水胺硫磷抗性的形成与乙酰胆碱酯酶敏感度降低有关,对甲氰菊酯抗性的形成与表皮穿透能力降低有关,另外,谷胱甘肽     

少年儿童游泳技术训练的重要性及方法

竞技游泳是一项非常独特的运动,因为运动员是悬浮在液体环境中游进的,他们前进时推动的是水,而不是固体物质。与陆地上的运动相比,运动员推动固体物体时所得到的反作用力要小;另一方面,因为水的密度比空气大1000倍左右,水对运动员前进造成的阻力远远大于空气。因此,提高技术效率带来的直接作用是使运动员前进阻力减小,推进力增大。     

外加剂对混凝土耐久性的影响

就传统萘系减水剂(polynaphthaene sulphonate type water-reducer,PSWR)和新型聚羧酸系减水剂(polycarboxylic acid type water-reducer,PAWR)对混凝土内部孔结构、内部缺陷及抵抗外部环境作用力的影响等进行了较全面的对比分析研究,揭示了PAWR对提高混凝土耐久性的作用.试验结果表明:与PSWR相比,PAWR能改善混凝土浆体内部孔结构及孔径分布,提高混凝土的密实性;能降低混凝土的绝热温升,优化水泥水化放热曲线,减少混凝土收缩变形,提高混凝土抗裂性能和体积稳定性,减少混凝土内部缺陷;同时,还可不同程度地提高混凝土抗碳化、抗冻性能、抗氯离子侵蚀能力和钢筋保护能力,增强混凝土对外部环境的抵抗力,从而极大地提高混凝土的耐久性.     

蛋白质分子中多紧密接触对的几率特征

利用无规飞行高斯模型，研究四个分离的紧密接触对的分子链构象，推导了四紧密接触对的12种不同拓扑构象的几率分布理论表达式，计算了相应的几率分布的相关函数。这为理论上研究生物高分子结构特征和动力特征提供一种非常有效的方法。     

新型铅钙合金在硫酸介质中的耐腐蚀性能研究

应用阳极极化曲线法、阴极极化曲线法、室温析气实验及阳极恒流腐蚀,分别对Pb-Ca-Sn合金和Pb-Ca-Sn-Ce合金在1 28g/cm3硫酸介质中的耐腐蚀性能进行了测试,并对合金在硫酸中所形成的钝化膜进行了表面X射线衍射分析.实验结果表明:加入稀土Ce能使Pb-Ca-Sn合金在很宽的电位范围内均处于钝化状态,显著改善合金的耐腐蚀性能,提高合金的析氢过电位,而且还能阻止阳极二价铅膜的生长,从而改善阳极钝化膜的性能,提高电池的深循环性能.     

水泥基材料损伤自诊断机理声发射研究

采用声发射与电阻技术对碳纤维混水泥基材料土在单轴受压和三点弯曲负荷下内部损伤进行了监测 .研究表明 ,在三点弯曲负荷下 ,碳纤维混凝土的荷载 -挠度曲线与试件的电阻和声发射事件数存在良好的对应关系 .对于碳纤维水泥基复合材料 ,其导电率主要依赖分散于水泥基体中相互搭接的碳纤维的渗流网络 .材料内部的损伤引起相互搭接的渗流网络破坏 ,而致使材料电阻增大 .因此 ,在整个加载过程中 ,体系的电阻反映了材料内部的损伤 .另一方面 ,通过声发射信号的分析 ,可以鉴定材料内部损伤的机理 .     

牵引逆变器散热系统的分析与设计

提出一种用于分析牵引逆变器散热系统的实用方法 .通过分析 2种强制风冷散热系统的散热器温度试验数据 ,确定散热器作为一个均质发热体在典型工况下的温升时间常数和冷却时间常数 ,给出计算散热器动态温度变化的实用公式 .通过比较额定工况的试验曲线与相应的计算曲线 ,验证了该设计方法的合理性     

链形电阻电路的计算

链形电路的电阻，一般都先计算电压、电流。然后计算电阻．而用差分方程来直接计算链形电路的电阻。比较简单．     

X65管线钢焊接接头抗开裂性能及止裂性能

为了研究X65管线钢焊接接头的抗开裂性能和母材的止裂性能，对接头的金相组织进行了观察，并且进行了接头各区域裂纹尖端张开位移(CTOD)试验和母材的落锤撕裂试验(DWTT)。试验结果表明：X65钢焊接接头焊缝和母材相比，组织粗大且不均匀，其冲击韧度和断裂韧度值均明显低于母材；X65钢管材对应剪切面积为40％的温度约为 -35℃，X65钢母材的抗开裂性能明显优于焊缝，且具有良好的止裂性能。     

Au/Au-Be与GaP欧姆接触的表面分析

用表面方法(SEM,SAM,XPS)研究了在不同温度热处理后Au/Au Be与GaP接触的特性.结果显示,Au Be与GaP接触的界面特性强烈地依赖于热处理温度.经550℃热处理过的界面均匀、平整,其I V特性斜率大,接触电阻小;经较高温度(580℃)热处理过的表面有结晶团状物产生,晶粒变粗,接触电阻增大.AES和XPS分析表明,经540～550℃温度热处理后,界面生成Au Ga P化合物;Be原子由表面向界面扩散,在界面处出现最大值.