乘法带半环与分配格

研究了含有幺元素的乘法带半环;从格与分配格的代数性质出发,得到了含幺乘法带半环的若干性质;证明了若S为含幺半环,则S是乘法带半环当且仅当S是分配格,从而获得了分配格的一个表示定理。     

图K（r，2m）的邻点可区别全染色

在等完全r-部图全染色的研究中,首先确定了每部有2个点的完全r-部图的全色数;然后利用已得到的结果进一步研究每部有n个点的完全r-部图的全色数．采用上述思路研究了等完全卜部图的邻点可区别全染色,利用图分解的方法给出了每部有2个点的完全r-部图的邻点可区别全色数;并给出了每部有偶数个点的等完全r-部图的邻点可区别全色数．     

拟阵的确定

本文定义了拟阵的差导算子,证明了对每个给定的有限集X,可以给加（X）（即X上拟阵差导算子的全体）上赋予适当的序≤使得（DD（X）,≤）与（CL（X）,≤）（即X上拟阵闭包算子的全体）,（F（X）,≤）（即X上拟阵闭集族的全体）之间是完备格同构的．     

p型Banach空间B值随机排列元的矩完全收敛性

在随机排列元有界于某非负随机变量的条件下,研究了p型Banach空间B值随机排列元的矩完全收敛性。     

格上保并映射的若干特征定理

在一般完备格L中引入(L)集族的概念,利用完备格上的“”关系、(L)集族及其完备格之间的一映射作为工具,对完备格及其分子格上的保并映射进行了研究,得到了保并映射的若干新的特征定理.证明了完备格之间的一个映射是保并映射当且仅当它是—映射;完备格L到平凡格{0,1}上的全体保并映射之集是一个分子格当且仅当L是分子格;一个强分子格到另一个强分子格土的保并映射之集构成一个新的强分子格.     

Ni在Ni(100)面的薄膜生长的蒙特卡罗模拟

采用晶格动力学蒙特卡罗(KLMC)方法模拟Ni在Ni(100)面的薄膜生长,对原子的沉积、吸附、扩散、成核、生长等微观过程采用了合理的模型,研究基板温度和沉积速率对薄膜的生长形貌和表面粗糙度的影响.模拟结果表明:沉积在基板上的原子逐步由各个离散型变成紧致型的近四方形的岛,并由二维向三维岛转变,最后连接成膜;基板温度越高,沉积速率越低,生成的薄膜越平整,粗糙度越小;沉积速率一定,表面粗糙度随着基板温度的增加而减小,当基板温度达到一定值时粗糙度降为零.     

有限集合上的拟一致结构与拓扑

证明了对每个给定的有限集合x,（Qu（x）,∈）与（r（x）,∈）完备格同构,其中QU（X）是x上的全体拟一致结构,T（x）是X的全体拓扑,∈均为集合意义下的包含序。     

NAB和NYAB晶体晶格振动模的喇曼─红外光谱研究

本文分析讨论了ＮＡＢ和ＮＹＡＢ激光晶体晶格振动模及对发光离子Ｎｄ３＋多声子无辐射跃迁的可能影响。     

完全图Kn的{ P4, S4,C4 }-分解

讨论完全图Kn分解成4个顶点的路、星和圈的存在性．给出完全图Kn存在{C4,S4},{P4,C4),{P4,S4},{P4,S4,C4}-分解以及强制分解的充要条件．     

R(L)的截空间表现定理

利用连续格理论获得 LF 实直线 R(L)的截空间的一个表现定理.同时得到 R(L)是:(i)连通的;(ii)非强仿紧的(L≠{0,1});(iii)R(L)的底空间是平庸空间(L≠{0,1});(iV)R(L)的截空间是分明 T_2空间.