山区公路排水急流槽冲刷试验

对急流槽出口衔接后冲刷坑最大冲深影响因素进行了分析。运用水力学基本原理建立急流槽出口衔接后最大冲深计算公式，试验得出按泥沙临界起动条件计算时的不同急流槽消能设计冲坑底紊动影响系数。结果表明：相同水力条件下，跌坎急流槽直接铺砌最大冲深大于斜插急流槽直接铺砌最大冲深；跌坎急流槽双消力池出口护坦衔接最大冲深大于跌坎急流槽单消力池出口护坦衔接最大冲深；跌坎急流槽单消力池出口护坦衔接最大冲深最小。     

圆柱形反应器鞘区离子平均动能的径向分布

针对鞘层结构,建立了鞘层模型和离子速度分布函数,导出了离子平均动能的积分表达式并得出数值积分的结果.用级数的两项拟合平均动能积分表达式的对数项,积分得到解析结果和简化结果.应用积分表达式、解析式及简化式进行计算,得出了圆柱形鞘层内不同位置(半径)处的粒子平均动能.结果表明鞘层越厚、粒子平均自由路程越小,则它们的差别越小.它们可有效地应用于散布在反应室各处粉体的刻蚀和纯化.     

社会主义核心价值体系与新能源工业基地建设

社会主义核心价值体系建设,是社会主义精神文明建设的主体工程,是构建社会主义和谐社会的重要任务,也是发展社会主义先进文化、建设和谐文化的核心内容.社会主义核心价值体系,是我们党在思想上精神上指引中国特色社会主义道路,落实科学发展观,构建社会主义和谐社会,推动经济社会全面、协调、可持续发展的科学价值观.在山西新型能源和工业基地建设中,社会主义核心价值具有重要的价值导向作用.     

第二类InAs／GaSb（001）半导体超晶格能带边结构的赝势计算

采用一种新的赝势方法计算了第二类ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ超晶格能带边结构随着ＩｎＡｓ和ＧａＳｂ层厚变化的规律．计算结果显示，随着ＩｎＡｓ和ＧａＳｂ层厚的变化，超晶格中杂质将经历不同的深—浅杂质转变过程．同时，我们还得到超晶格发生半导体—半金属转变的区域     

稀土单硫代二苯甲酰甲烷配合物的XPS研究

测定并研究了单硫代二苯甲酰甲烷（ＨＴＤＢＭ）及其稀土配合物Ｌｎ（ＴＤＢＭ）４［（Ｃ２Ｈ５）２ＮＨ］Ｈ（Ｌｎ＝除Ｃｅ、Ｔｍ外的Ｌａ－Ｌｕ）的光电子能谱（ＸＰＳ）。结果表明：Ｌｎ３＋离子通过Ｏ原子和Ｓ原子配位形成螫合物，Ｌｎ—Ｏ键和Ｌｎ—Ｓ键均具有一定程度的共价性；从Ｌａ到Ｌｕ，配位键的离子性逐渐增强；观察到Ｌａ３＋配合物３ｄ５／２具有伴峰现象。     

苯丙氨酸分子的手性对映体转变机理及水分子（簇）的催化作用

在MP2/6 311++G(3-df,2pd-)//WB97X-D/6-311++G(-d,p-)双水平研究苯丙氨酸(Phe)分子的手性对映体转变机理, 并用分子中的原子理论(AIM)分析驻点的成键特征. 结果表明： 经过羧羟基旋转、 质子迁移、 碳 碳键旋转和氨基翻转的一系列过渡态, Phe分子在质子以氨基氮为桥梁迁移的通道a和以羰基氧与氨基氮顺次为桥梁迁移的通道b内, 实现了手性对映体转变; 当2个水分子簇作为质子迁移媒介时, 在通道b中增加了质子仅以羰基氧为桥梁迁移的反应路径； 通道a具有优势, 速控步骤的内禀能垒为25971 kJ/mol, 反应的表观能垒为27026 kJ/mol； 2个水分子簇催化使速控步骤的内禀能垒降至126.47 kJ/mol, 反应的表观能垒降至80.80 kJ/mol; 考虑零点振动能后, 质子从氨基氮向羰基氧迁移的能垒消失. 即水分子（簇）催化可使Phe分子实现手性对映体转变.     

现代技术中的微量级热现象

近年来，在制造具有新颖结构的微型器件和材料（例如微电子器件、微机电系统和各种先进材料）方面取得了巨大的进展。这种发展使得热科学领域中的热现象。从发生在大量级结构中转移到发生在级结构中。对于更好地理解和控制能量传递而言，这种转移既提出了挑战又提供了机遇。本文从微尺寸、微结构和微时间三方面说明了上述微量级热现象。     

光栅能量分布测试系统的研究

基于衍射光栅的特点，采用面阵CCD进行数据采集，利用计算机进行编程处理，研制了一种光栅能量分布测试系统，实现了光栅能量分布的定量测试。     

基于能量加权的子带杂交法在掌纹识别中的应用

在掌纹采集过程中,由于受光照噪声的影响,以及手掌的弓形常常给掌纹采集带来噪声.基于此,提出小波变换子带杂交的一种新颖掌纹识别算法.该算法综合考虑小波同层各子带及相邻层子带分解系数的噪声特点,采用基于掌纹图像空间能量加权,再由二维主元分析（Two-di mensional Principle component Analysis,2DPCA）算法降维、去相关,最终由最小距离分类器完成掌纹识别.基于香港理工大学公布的PolyU掌纹数据库的实验,此算法正确识别率达到100%.同2DPCA算法相比,提出的算法不仅正确识别率较高,识别效率也较高.     

分数阶Klein-Gordon-Schrödinger方程的保能量方法

该文先将分数阶Klein-Gordon-Schrödinger方程转化成辛结构的哈密尔顿系统,利用傅里叶拟谱方法对Riesz空间分数阶导数进行近似离散,得到分数阶Klein-Gordon-Schrödinger方程有限维哈密尔顿系统; 再利用2阶平均向量场方法对有限维哈密尔顿系统离散,得到分数阶Klein-Gordon-Schrödinger方程新的保能量格式; 最后利用新的保能量格式数值模拟方程孤立波的演化行为,并分析新格式的保能量守恒特性.