关于非晶态离子导体Ag_5I_2PO_4的研究 (Ⅱ)晶化过程中内部结构变化模型与导电机理探讨

本文报导了Ag_5I_2PO_4样品从非晶态向晶态转化时的内部结构变化模型;描述了部分晶化过程中离子传输的微观机制;根据弥散系(超微不均匀系)的特点,给出了相界面处高导电层存在的必然性与普遍性。     

超导体的导畴模型

本文提出超导体的导畴模型。在一些金属和化合物中存在着电子对波相位相干的小区域,即导畴。当温度低于超导转变温度时,这些小区域连接起来,形成超导体。超导电子对是电磁相互作用形成的部分束缚对,它们能随导畴的振动而振动。产生导畴内部电子耐波的相位相干由相干性引出孤波和约瑟夫森效应,证明理想导电性和迈斯纳效应的存在。本文还较好地解释了晶格振动对低温超导体和高温超导体的不同影响。     

AVCO SiC(SCS-6)纤维的热分析和氧化研究

本文研究了AVCO碳化硅(SCS-6)单丝纤维的热性能、热暴露后的表面形态和氧化现象以及断口形貌,并对SiC的主动氧化和被动氧化进行了分析,得出了纤维的力学性能与其氧化现象的必然联系。     

挤出过程中NR／SBR胶料壁滑移行为的研究──Ⅰ．压力波动现象

应用Ｍｏｎｓａｎｔｏ加工性能试验机（ＭＰＴ）及一组直径和长径比不同的毛细管，考察了天然橡胶／丁苯橡胶（ＮＲ／ＳＢＲ）胶料挤出流动中的壁滑移行为及其产生机理。试验发现，在一定的温度下，当表观剪切速率达到某一值时，总压力降急剧下降。而临界的表观剪切速率则随着口型直径的增加而减小；壁滑移发生在口型出口附近．这种压力波动现象主要归因于试样的壁滑移行为。     

Ti注入硅合成硅化物层精细结构分析

Ｔｉ离子注入硅化物已能得到特性优良的硅化物薄层，采用了深度分辨率高的掠角背散射和沟道技术发现注入层是３层结构，表面～１２０ｎｍ为合成的连续硅化钛多晶薄层，在该层中晶格无程度达到４０％～５０％，中间层厚度约为２００ｎｍ的高密度的晶格损伤区，晶格损伤率在硅与硅钛界面处最高，其值可达到７７％，并且随深度的增加而下降；第３层则是低密度晶格损伤层，束流密度的变化对晶格损伤率有一定的影响。     

氢化纳米硅薄膜的光声光谱研究

分析了纳米硅薄膜材料从可见光到近红外范围的光声光谱，并与微晶硅和非晶硅材料进行了对比．纳米硅的光吸收系数比后两者都高（特别是在１．４～１．９ｅＶ之间，高出近一个数量级），其原因是纳米硅薄膜中大量晶粒对光子的散射、晶粒界面缺陷的吸收及载流子吸收的影响，此外，纳米硅光声谱中Ｕｒｂａｃｈ边宽且缓，反映出这种材料很高的无序程度．     

硅橡胶涂层憎水性迁移的研究

硅橡胶涂层具有优异耐污闪能力的主要原因在于它的憎水性迁移特性。论文研究了环境温度、硅像胶的分子量、交联程度、老化时间等因素对憎水迁移特性的影响，用电子扫描电镜观察到伴随憎水性的出现污层表面形貌发生了很大变化。气相色谱、裂解色谱以及红外谱图的分析结果不支持小分子硅氧烷迁移的假说，文后对憎水性迁移的机理问题进行了讨论。     

制备活性二氧化硅实验的设计

本文介绍的活性二氧化硅的制备及性质实验是为化学专业无机化学实验课而设计的一个综合性实验。本实验具有综合性强,制备条件温和,时间短,实验耗费低及原料易得等优点。     

温场对CZ硅单晶氧含量和径向扩展电阻均匀性的影响

利用测量熔体温度、液流模拟、红外吸收和扩展电阻探针研究了温场对硅单晶的氧含量和径向扩展电阻均匀性的影响。高温场中整个熔体的温度梯度与重力方向一致,矮温场中只有上部熔体的温度梯度与重力方向一致,而下部熔体的温度梯度与重力方向相反。高温场中整个熔体有热对流,矮温场中只有上部熔体有热对流。高温场中生长的单晶的氧含量明显高于矮温场中生长的单晶。高温场中生长的硅片,径向扩展电阻分布有中央平坦部分、剧烈起伏部分和边缘波纹起伏部分,矮温场中生长的硅片无剧烈起伏部分。这一部分可能是熔体中泰勒柱与热对流区之间的切变层是高氧熔体造成的。     

A_r~+激光诱导氯气刻蚀硅

本文通过被局域刻蚀硅表面形貌的精确测量,考察了刻蚀速率对于激光功率、波长、反应室气压的依赖关系,讨论了在不同光斑尺寸和刻蚀深度下反应机理的变化,给出了衬底晶向和表面氧化层对刻蚀效果影响的一些新的结果。