新型大功率氧化物导电陶瓷

介绍一种新型大功率氧化物导电陶瓷．该陶瓷是以六角密堆（ＨＣＰ）结构的ＺｎＯ为主要原料，添加少量杂质，采用电子陶瓷工艺研制而成．研究了陶瓷材料的差热分析（ＤＴＡ）及扫描电子显微结构．测量了瓷体的电阻率．     

中频磁控溅射法制备氧化锌钇薄膜及其性能研究(英文)

利用中频磁控溅射法,溅射氧化锌钇(ZYO)陶瓷靶材,在玻璃基底上制备ZYO透明导电薄膜。研究了氧化钇掺杂量和基底温度对薄膜的结构、电学性能和光学性能的影响。结果表明,ZYO薄膜为钎锌矿型结构,呈c轴择优取向,平均可见光透过率(400～800nm)达到80%以上。制备的ZYO薄膜具有的最低电阻率为1.18×10-3Ωcm。     

STM和AFM的原理及出现异常情况的处理方法

简单介绍了扫描隧道显微镜（STM）和原子力显微镜（AFM）的工作原理，并详细阐述了实验过程中有时会遇到的异常情况及其处理方法，以便获得最佳的样品图像。     

Preparation of Electrically Conductive Filler for Anisotropic Conductive Adhesive

Introduction As a competitive substitute of lead-containedsolder,ACAs appear a promising future due totheir numerous advantages,such as low-tempera-ture compatible assembly,higher packaging densi-ty,environmental friendliness,low-stress on thesubstrates.T…     

激光复合微纳探针近场光强影响因素仿真分析

通过建立镀膜光纤探针仿真模型,模拟锥形镀膜光纤探针针尖处剖面状态,实现对纳米微粒的非接触操作,以空气为操作环境,分析光纤探针镀膜厚度和光纤探针出射孔径的逐渐变化,找出其对近场光强的影响.同时对光纤探针发射激光照射AFM探针的角度变化、光纤探针与AFM探针之间距离的改变以及两者对AFM探针尖端场增强的影响规律做出了定量分析,通过仿真实验分析,进一步发现最大场增强因子,为完成纳米级物体操纵实验提供了参考.     

溅射功率对 ZnO ∶Mn 薄膜结构、应力和光电性能的影响

利用直流磁控溅射法,在玻璃衬底上制备掺锰氧化锌（ZnO ∶Mn）透明导电薄膜．研究了溅射功率对薄膜结构、力学性能和光电性能的影响．功率对薄膜应力影响不是很大,且应力均为负值,表现为压应力．溅射功率通过改变晶粒尺寸和结晶程度而影响薄膜的导电性能：当溅射功率为135 W 时,薄膜的电阻率具有最小值为1．10×10－2Ω·cm．实验表明,功率是影响 ZnO ∶Mn 薄膜性能的一个重要参量．     

磁控溅射镀铜芳纶织物的制备及其性能研究

芳纶纤维具有优异的力学性能和加工性能,还具有极好的耐热和耐化学药品性能、尺寸稳定性、耐疲劳性及耐腐蚀性等。磁控溅射镀膜法是一种高效的薄膜沉积工艺,具有装置性能稳定、操作控制方便、无环境污染等优势。采用磁控溅射法在芳纶织物表面镀覆纳米铜薄膜,使纺织品表面金属化。镀铜芳纶织物采用XRD与扫描电镜进行表征,且评价镀铜织物的抗静电性、导电性及拒水性。结果表明,溅射镀膜50 min的镀铜纤维表面致密地沉积纳米铜;XRD图显示铜的结晶存在。溅射镀膜50 min的镀铜芳纶织物接触角高达132.5°,表面电阻为129Ω/sq,抗静电半衰期为0.4 s。表明其具有良好的拒水、导电及抗静电性。     

甚低频电磁波穿透地层无线通信系统若干问题的探讨

从电磁波的经典理论Maxwell方程出发，根据甚低频电磁波在地层中的传播特点，提出实现甚低频电磁波穿透地层无线电通信系统模式，并对其中的若干重要问题进行分析探讨。     

人工滑液在材料表面成膜的AFM图像分析

用原子力显微技术(AFM)观测复合人工滑液在材料表面形成的吸附膜的表面形貌图像,吸附膜上清晰地显示有大量的椭球形分子.该吸附膜的形成可能是复合人工滑液对人工关节材料润滑性能显著提高的一个重要因素.     

纳米级xSb2O3·(1-x)SnO2导电颜料的制备及烧结动力学

高分子绝缘材料的广泛运用给工业生产和人们生活带来了极大的方便,其静电效应也带来了严重的危害.纳米级xSb2O3·(1-x)SnO2导电颜料属于半导体材料,作为一种颜料添加于涂料中,涂覆于绝缘制品表面,使其具有导电、抗静电和屏蔽电磁波等功能.以尿素为沉淀剂,利用均匀沉淀法制备出纳米级xSb2O3·(1-x)SnO2导电颜料,粒径约为10nm左右,电阻率为36.70Ω·cm;研究了沉淀剂、反应温度、Sn4 /Sb3 摩尔比等最佳工艺参数选择;SO42-离子引入对掺锑SnO2(ATO)电性能、粒径大小及形貌的影响;建立了ATO前驱体烧结过程的反应动力学模型,进而估算烧结反应的活化能为67.793kJ/mol.