Approximate Degree Reduction of Triangular Bezier Surfaces

ＡｐｐｒｏｘｉｍａｔｅＤｅｇｒｅｅＲｅｄｕｃｔｉｏｎｏｆＴｒｉａｎｇｕｌａｒＢｅｚｉｅｒＳｕｒｆａｃｅｓ＊ＨｕＳｈｉｍｉｎ（胡事民）,ＺｕｏＺｈｅｎｇ（左征）,ＳｕｎＪｉａｇｕａｎｇ（孙家广）ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＣｏｍｐｕｔｅｒＳｃｉｅｎｃｅａｎ...     

蜗杆式振动珩齿珩磨啮合纹路研究

研究和分析了蜗杆式振动珩齿时,被珩齿轮齿面上的珩磨啮合轨迹,以及在不同珩磨运动参数下,齿面上珩磨啮合纹路的形式。     

用光反射测试方法检测的硅抛光片和外延片表面的图谱

利用检测半导体硅抛光片及硅外延片表面缺陷的光反射法（魔镜法）［1］,观测到了二十余种硅抛光片及硅外延片表面缺陷的图样．本文报道了部份图样．     

超大比表面石油沥青基碳纤维微电极研究

作者研制了一种以石油沥青基碳纤维为电极材料的微电极,基于此种材料的特殊性能,经氧化处理后可获得较一般微电极为大的比表面积,因而其电流响应亦较一般微电极为大。且由于其表面在一定条件下可生成大量的碳氧基团,故其电极电位会随溶液ｐＨ值而线性变化,以至该电极亦可用作测量ｐＨ值的微电极。     

一种复杂平衡体系的微机处理系统—CES软件

设计了用以解决ＭｍＬｌＨｈ型配合物溶液的复杂平衡体系中粒子模型选择及其热力学常数测定的ＣＥＳ程序。通过ｐＨ－电位法,并由此程序计算出了四氮杂大环配体的四个加质子平衡常数及其钴配合物的稳定常数。     

粘胶基碳布电化学氧化表面处理的研究

本文用电化学氧化方法对粘胶基碳布进行表面处理。采用电位滴定法分析测定了氧化处理前后碳纤维表面酸性官能团含量的变化,用水滴铺展方法分析了处理前后碳布润湿性能的变化情况,探讨了酸性官能团含量、织物强力与复合材料层间剪切强度的关系,找出了以Ｈ３ＰＯ４为电解质的最佳电化学氧化表面处理工艺。     

化学法清洗硅片过程中清除颗粒的机理(英文)

对化学法清洗硅片过程中消除颗粒的机理作了定量的探讨。颗粒的清除是由于化学蚀刻和颗粒与表面排斥力共同作用的结果。首次提出了最浅蚀刻深度和最小蚀刻速度的概念。最浅蚀刻深度可通过颗粒与表面间作用能的关系进行计算。是小蚀刻速度则可通过蚀刻侧形进行计算。研究结果对于优化化学法清洗过程和设计高性能清洗液都具有重要意义。     

算子表示的矩形域Bernstein-Bézier曲面

通过引入3个算子:移位算子、向前差分算子和恒等算子,将矩形域上Bernstein-Bézier曲面(B-B曲面)表示为更简洁直观的算子表示形式,并讨论了用算子表示的B-B曲面的各种性质,给出了相关的证明.结果表明,算子表示形式从另一角度揭示了矩形域B-B曲面的基本几何性质,也大大简化了相关结论的推导过程.     

用遗传算法模拟复杂最优网络的自然涌现过程

为了模拟复杂最优网络从树演化到完备图的整个过程，解决现有邻接节点编码方法只适用于低密度网络，而传统的交叉变异方法又有大量不可行解的问题，提出了基于三角阵的变长基因编码方法和段间交叉、段内变异平衡的交叉变异方法．该编码方法只记录对称邻接矩阵中三角阵的信息，反映了无向网络的所有可能变化，因而编码串长度适中，网络边数不需限制，可以模拟网络从树到完备图的整个演化过程．段间交叉只交换节点一级近邻的连接方式，段内变异平衡对边进行重绕，这既符合遗传算法的要求，又保证了网络的连通性．模拟结果表明，与邻接节点编码和传统交叉变异方法相比，所提方法适用范围更广，收敛速度较快．     

南极冰表面上ClONO2与Cl-的反应机理研究

 采用密度泛函理论计算方法B3LYP和基组6-31G(d,p),对ClONO₂+Cl-(H₂O)_n^→Cl₂+NO₃^-(H₂O)_n(n=0,1,2)的反应机理进行了理论计算研究.研究发现,随着参与反应的水分子数n的增加,反应活化能垒降低.计算结果表明,在冰表面上,水一方面通过氢键的参与形成环形团簇复合物降低活化能;另一方面,水分子作为桥,辅助分子间质子发生迁移,加快反应进程,对反应起到一定的催化作用.这与实验观察到的结果相一致.