三-8-羟基喹啉合钴(Ⅲ)的合成及晶体结构

在甲醇溶剂中合成了标题配合物[Co(C9H6NO3)3]·CH3OH,测定了其晶体结构,晶体属单斜晶系,P2(1)/n空间群.晶胞参数a=1.0872(1),b=1.3122(2),c=1.6681(2)nm;β=97.661(1)°,V=2.3585(5)nm3,Z=4,F(000)=1080,Dc=1.474g/cm3,μ=0.769mm-1,S=1.023.配合物中Co( )离子是六配位变形八面体结构.     

精密相干检测法研究

研究了精密相干检测法的原理,即采用共时钟方案,使与发送机有关的参考信号同接收机接收到的待测信号精密相干,同时精确检测出复合波信号中各主要谐波的振幅和相位.应用结果表明:该方法克服了微弱复合波信号的锁相放大、数据采集、叠加平均和获取多参数时遇到的困难,提高了观测系统的灵敏度、测量精度、抗干扰能力、探测分辨率和探测深度;精密相干检测法原理同样适用于其他观测系统和对其他类型信号的检测.     

非致冷红外焦平面阵列驱动电路优化设计

提出了基于复杂可编程逻辑器件 (CPLD)及低压差 (LDO)线性稳压器实现 3 2 0× 2 40长波红外非致冷焦平面阵列 (UFPA)驱动电路优化设计的方法 .选用Altera公司的MAX70 0 0AE系列CPLD作为硬件设计平台 ,运用VHDL语言对驱动时序进行硬件描述 ;选用TI公司的LDO线性稳压器及 14bit视频A/D转换器THS14 0 8实现UFPA偏置电路及视频输出信号的模数转换电路的设计 .测量与仿真结果证明是可行的 .     

纵向剪切下螺型位错和圆形夹杂界面裂纹的干涉作用

研究了无穷远纵向剪切下圆形弹性夹杂界面裂纹与基体中任意位置螺型位错的相互干涉问题。运用复变函数的解析延拓技术与奇性主部分析方法，获得了该问题的一般解答，作为算例，求出了含一条界面裂纹时基体和夹杂区域应力函数的封闭形式解，导出了位错在基体中任意位置时位错力的计算公式，数值结果表明，界面裂纹对位错与夹杂的干涉作用具有强烈的扰动效应，当界面裂纹达到一定弧度时，可以将硬夹杂对位错的排斥作用改变为吸引。     

[Co(phen)(H2O)4](SO4).(H2O)2的合成和晶体结构

标题化合物[Co(phen)(H2O)4](SO4).(H2O)2(phen=1,10-邻菲咯啉）在70％叔丁基过氧化氢水溶液中制备，X—射线单晶结构分析表明，该化合物的一个分子由一个四水合邻菲咯啉二价正离子、两个未配位的水分子和一个硫酸根离子构成。其晶体为正交晶系，空间群Pbca，相关参数为a轴8.856(1)，b轴18.318(3)，c轴21．918(5)A，V(体积)3555．6(11)A^3.Co^2 呈现稍微扭曲的八面体配位环境。     

Keggin结构过氧钛钨硅杂多配合物~(183)WNMR谱的研究

合成了Keggin结构一，三取代过氧铁钨硅杂多配合物，这两种化合物是：α－K6［SiW11（Tio2）O39］·12H2O和α－K9H［SiW9（TiO2）O39］·12H2O，并对183WNMR谱进行了指认，从而确定了2种过氧杂多配合物的基本结构．     

激光辐照SnO2超微粒薄膜的AES,热电动势率及阻抗谱

研究ＹＡＧ脉冲激光辐照对ＳｎＯ２超微业薄膜的改性作用，由ＡＥＳ分析表明，在大气环境中激光束的轰击可使薄膜表面碳吸量明显减少，并有一定的氧化作用。在３００－６００Ｋ范围内测量激光辐照前后样品的热电动热率（ＴＥＰ），发现激光辐照后ＴＥＰ值明显减小，薄膜发生晶化。激光辐照对超微粒薄膜的电学性质、晶界效应也有影响，表明激光束作用使薄膜粒间效应减弱     

弹性横梁支承的可倾瓦推力轴承的静态分析

对推力轴承的周向负荷分配规律及推力瓦的静态工作点进行了研究．建立起系统的平衡方程式，计入了推力盘倾斜及推力瓦支承弹性横梁的影响．定义了可倾瓦的刚度系数，找到了可倾瓦与固定瓦油膜厚度之间的对应关系，从而利用固定瓦的计算结果来求得可倾瓦的静态特性及刚度系数．在Ｎｅｗｔｏｎ迭代法的基础，利用可倾瓦的刚度系数，在Ｎｅｗｔｏｎ迭代法的基础上，利用可倾瓦的刚度系数，求解非线性方程组．结果表明，推力盘的静态倾斜将引起各推力瓦负荷及静态工作点的很大变化．文中的工作可作为推力轴承广义热弹流分析及推力轴承－转子系统动力学研究的参考．     

配离子与表面增强拉曼散射

分析了银－分子系统的活位和配离子的性质．结果表明，配离子的性质对表面增强拉曼散射具有重要影响．即给银－碱性分子系统或银－酸性分子系统加入Ｃｌ－，Ｂｒ－，Ｉ－等负离子时，ＳＥＲＳ信号分别增强或减弱．     

新型乙醇气敏半导体材料CdFe_2O_4

采用化学共沉淀和固相反应相结合的方法制备出单相ＣｄＦｅ２Ｏ４，实验表明，ＣｄＦｅ２Ｏ４作为一种尖晶石型结构的复合氧化物，是电子导电型半导体，具有良好的酒敏性能．且有较好的化学稳定性和气敏稳定性