带耗散项欧拉方程的轨道吸引子

对于无单值可解性的带耗散项欧拉方程建立了由Chepyzhov V．V，Vishik M．I提出的轨道吸引子．     

一类拟线性椭圆方程的Dirichlet问题（Ⅰ）

设ΩＣＲＮ（Ｎ≥３）是单位球，本文考虑如下问题：径向对称解的存在性，在不同的条件下，证明了两种存在性结果．这些结果的建立基于本文给出的Ｓｏｂｏｌｅｖ空间的一种加权紧嵌入定理．     

带临界指数的蜕化p-Laplace方程解的存在性

在含有临界指数的p-Laplace方程，由于嵌入Hp^1.p（Ω）→L^p＊b（Ω，｜x｜^-α）不紧，如果直接运用标准变分方法去讨论其临界点的存在是比较困难的．为此，采用集中紧原理，证明了方程的非平凡解的存在性．     

Liapunov函数与概周期解

本文利用Ｌｉａｐｕｎｏｖ函数讨论了非线性概周期系统的概周期解的存在性，所得结果推广了文（３）和（４）的一些著名结果。     

可逼近紧空间

引入了可逼近紧空间的概念，给出了它的刻画定理，讨论了它所具有的性质，证明了每一个具有紧邻域扩充性质的可逼近紧空间是绝对邻域收缩核。     

局部紧致拓扑群中的共轭比序列

弱内自可靠群或［ＩＡ］群是一类重要的局部紧致拓扑群，是包含可靠群（当然也包含交换群，紧致群）在内的一大类拓外群。［ＩＡ］群上的调和分析已有许多进展，［ＩＡ］群的刻划，判别已成为极其重要的问题。作者曾用组合方法与集合论方法，提出共轭比序列的概念，并证明了判别［ＩＡ］群的一系列充分必要条件。在此基础上对共轭比序列的一致收敛性进行更进一步的研究，从而又获得一个［ＩＡ］群的充分条件。     

与紧算子U-交换算子的不变子空间

设A∈L(H),K为非零紧算子,U∈{A}′,KA=UAU,为幂有界,则A有非平凡不变子空间。     

新型可用于移动手持设备的小型三频天线

基于多频通信终端设备对天线工作频段和尺寸的要求，提出了一种新型的三频段(GSM／DcS／ISM)小型平面倒F天线，并制作了实物模型．通过测量，得到的3个频段的相对带宽分别为3.4％0，10.3％和2.1％o.分析了在有塑料外壳和手持时对该天线特性的影响，并给出了在自由空间测量得到的方向图和增益．实验结果表明，该天线完全适用于多频无线通信系统．     

Comparison and analysis of dislocation density, morphology and evolution in microstructure of low-carbon steel produced using different technologies

Three kinds of specimens were produced from hot strips of similar composition and same thickness （nominal gauge 4.0 mm） but produced using different technologies, and the dislocation density of these strips was quantitatively measured by positron annihilation technique test. The dislocation morphology and evolution in microstructure of each pass for producing the 1.9 mm hot strip using CSP （compact strip production） technology were observed under an H-800 transmission electron microscope; its density was also quantitatively measured using the positron annihilation technique test, and the factors influencing the dislocation density during the production process were analyzed. The experimental results show that the dislocation density in the microstructure produced using CSP technology is higher than that in the microstructure produced using conventional technology. This result was discussed and confirmed on the basis of the finite element simulation and the theory relevant to dislocations.