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21.
魏芹芹 《山东理工大学学报:自然科学版》2006,20(5):68-71
用阳极电流腐蚀法制备多孔硅(PS),并将其分散到无水乙醇中形成溶胶.用荧光光谱仪测定了多孔硅溶胶的荧光强度与浓度的关系,研究了不同表面活性剂的掺入对溶胶体系的稳定性及其荧光强度的影响.进行了多孔硅溶胶的电迁移实验,并发现不同的表面活性剂的加入可使多孔硅溶胶带不同电荷,从而使多孔硅溶胶的电迁移变的可控.用扫描电镜(SEM)和X光电子能谱(XPS)对多孔硅溶胶电迁移沉积层进行了对比分析.研究表明,溶胶体系中表面活性剂的加入对沉积层的成分没有影响,可以用这种方法实现多孔硅纳米粒子的可控组装. 相似文献
22.
难浸金矿扩大试验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对黔西南州高砷高硫难浸金矿进行二段焙烧预处理,采用氧化剂强化氰金进行扩大试验研究。结果表明:该工艺使金的浸出率达到85%以上,该工艺投资省,无环境污染。 相似文献
23.
针对硅基RF-MEMS带通滤波器制备过程中金层电镀沉积工艺,基于亚硫酸金盐无氰电镀液,并结合脉冲电镀技术,通过对电流密度、占空比、正负脉冲时间比、脉冲频率、温度、搅拌速率等相关工艺参数进行优化组合,实现了所设计的硅基双层自屏蔽式RF-MEMS带通滤波器制备与测试,也为相关RF-MEMS器件制备提供了工艺指导. 相似文献
24.
25.
在表面活性剂PVP的辅助下,利用高温溶剂热法,合成了星形、盾形和多边形等新型Au纳米薄片.对其结构分析表明,Au纳米薄片均为单晶,边长为数微米,厚度约40 nm.这些新型的Au纳米片的形成可以理解为(111)面沿着〈211〉和其他高指数面的生长.不同晶面表面能的理论模拟可以很好解释(111)晶面沿高指数方向生长的可能性.利用堆垛层错引导晶体生长可以很好地解释选区电子衍射中的分数衍射及晶面间距. 相似文献
26.
以罗丹明6G为探针分子,结合紫外-可见吸收光谱,优化了两种还原剂:抗坏血酸和盐酸羟胺的加入体积,确定了金纳米花的最佳合成条件.以制备的金纳米花为增强试剂,结合便携式拉曼光谱仪,建立了可用于三聚氰胺检测的分析方法.以679 cm-1处特征峰为定量依据,确定该方法线性检测范围为5~100μmol/L,标准偏差R2=0.9875,检测限达到1μmol/L,远低于国家标准(19.8μmol/L). 相似文献
27.
质酸金的合成及性质研究 总被引:1,自引:1,他引:0
为获得透明质酸新的功能,对其进行结构修饰.以氯金酸、透明质酸钠为原料合成质酸金.通过元素分析、冷场扫描电子显微镜、傅里叶变换红外光谱和核磁共振分析对其结构进行了表征,对肺癌细胞A549、肝癌细胞BEL7402增殖影响进行了研究.结果表明,在高剂量下对肝癌细胞BEL7402的增殖有明显的抑制活性,对肺癌细胞A549的增殖有边缘抑制活性. 相似文献
28.
制备特定尺寸的纳米金颗粒方法及性能表征 总被引:1,自引:0,他引:1
通过化学还原法制备出不同粒径的纳米金颗粒。利用紫外可见分光光度计和透射电子显微镜对纳米金颗粒的形貌及尺寸进行表征。讨论了还原剂种类、还原剂用量、试剂加入顺序、反应温度等因素对纳米金颗粒稳定性、粒径、形貌和分散性的影响。结果表明:Na3C6H5O7为还原剂制得纳米金颗粒粒径在15-20 nm之间,NaBH4为还原剂制得的... 相似文献
29.
溅射金膜对氧化铝陶瓷纳秒脉冲真空沿面闪络的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了溅射金膜对氧化铝陶瓷在真空环境中、纳秒脉冲高电压作用下沿面闪络特性的影响规律.通过对氧化铝陶瓷表面粗糙度、电极接触形式的研究,并结合表面态陷阱、界面能带结构、电荷注入过程的分析,探究了影响氧化铝陶瓷溅射金膜后沿面闪络电压的主要原因.在50 ns/1.2μs脉冲下、电极间距10 mm时,测量各试样的闪络电压60次,取后30次平均值作为稳定的闪络电压.研究结果发现,氧化铝陶瓷在溅射金膜电极试样的闪络电压比直接压接电极试样的闪络电压低,这是因为在不同电极接触方式下,氧化铝陶瓷材料的表面态对真空中的电子发射和材料表层的电荷注入的影响不同所致. 相似文献
30.
贵州天柱坑头金矿构造变形特征探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
天柱坑头金矿床主要受层间构造控制,金矿体主要富集在层间滑动构造带.在纵弯褶皱作用过程中,由于顺层差异性滑动,形成一系列的层间滑动构造.通过对坑头金矿控矿构造中变形岩石及石英脉体的宏观变形特征分析,初步得出研究区控制金矿的层间滑动变形带以脆韧性变形为主. 相似文献