首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1959篇
  免费   65篇
  国内免费   83篇
系统科学   45篇
丛书文集   41篇
教育与普及   5篇
理论与方法论   5篇
现状及发展   21篇
综合类   1821篇
自然研究   169篇
  2024年   9篇
  2023年   18篇
  2022年   28篇
  2021年   20篇
  2020年   31篇
  2019年   30篇
  2018年   36篇
  2017年   52篇
  2016年   45篇
  2015年   46篇
  2014年   77篇
  2013年   68篇
  2012年   226篇
  2011年   100篇
  2010年   94篇
  2009年   108篇
  2008年   81篇
  2007年   137篇
  2006年   116篇
  2005年   103篇
  2004年   90篇
  2003年   80篇
  2002年   63篇
  2001年   56篇
  2000年   47篇
  1999年   40篇
  1998年   36篇
  1997年   37篇
  1996年   28篇
  1995年   22篇
  1994年   31篇
  1993年   23篇
  1992年   29篇
  1991年   26篇
  1990年   18篇
  1989年   23篇
  1988年   16篇
  1987年   5篇
  1986年   6篇
  1985年   4篇
  1984年   1篇
  1955年   1篇
排序方式: 共有2107条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
酸压裂缝生产一段时间后导流能力会逐渐降低,常采用闭合酸化来提高已酸压裂缝的导流能力,闭合酸化模拟对闭合酸化设计意义重大,因此,针对该问题进行闭合酸化建模及数值模拟。首先,基于达西定理、物质平衡原理、酸岩反应动力学建立闭合酸化数学模型;然后通过地质统计学中的序贯高斯模拟算法生成具有非均质性和空间关联性的初始裂缝宽度空间分布和裂缝表面基质渗透率分布;利用有限体积法对模型进行数值求解,用C++编制模拟计算程序;最后基于该模型进行广泛的数值模拟研究,分析酸液分布规律、裂缝表面溶蚀规律、酸液作用距离的影响因素及规律,并形成各种条件下的酸液作用距离图版。研究表明,初始裂缝宽度和裂缝表面粗糙度对裂缝表面溶蚀形态起主导作用,裂缝面溶蚀形态有均匀推进、指进溶蚀和沟槽溶蚀;裂缝宽度越小、粗糙度越大,裂缝表面溶蚀竞争越强烈,越容易形成沟槽,酸液作用距离越远;排量、注酸量正相关于活酸作用距离,酸液传质系数负相关于活酸作用距离;典型的施工排量、酸液用量、常用的酸液类型下,闭合酸化中酸液作用距离为20~60 m。此模型可以预测不同条件下酸液作用距离和酸蚀裂缝表面溶蚀形态,优化闭合酸化参数,为现场闭合酸化施工设计提...  相似文献   
62.
本文根据青石斑鱼仔、稚鱼形态变化划分为前仔鱼期、后仔鱼期、稚鱼期、幼鱼期。背、腹棘的显著伸长是石斑鱼形态发育过程中的一个典型特征。背棘、腹棘长短与仔鱼全长有明显关系。背棘和腹棘比值近似1:1。仔稚鱼全长和体重两者呈幂函数相关。在整个仔、稚、幼鱼日龄生长中可分为三个阶段,第一阶段为15日龄前的仔鱼阶段,第二阶段为40日龄前的仔稚鱼阶段,第三阶段为60日龄前的稚幼鱼阶段。各生长阶段均伴随着一个危险期。导致各危险期的主要原因是(1)饵料,(2)变态,(3)自残。对策是(1)确保适时、适口饵料供应,(2)防止水质恶化和饵料营养缺乏,(3)勤分苗和充分投饵。在生长发育中,石斑鱼个体大小差异显著,导致此现象出现是因先天性和后天性二个方面造成。  相似文献   
63.
采用γ单相区和γ+α双相区轧制并淬火工艺以及双相区再加热-淬火-碳配分( IQ&P)工艺,研究预处理组织对低碳钢室温状态多相组织特征及力学性能的影响规律. 实验用低碳钢经两种工艺轧制并淬火处理,获得马氏体和马氏体+铁素体的预处理组织,再经双相区IQ&P工艺处理后均获得多相组织. 马氏体预处理钢的室温组织由板条状亚温铁素体、块状回火马氏体以及一定比例的针状未回火马氏体和8. 2%的针状残余奥氏体组成;马氏体+铁素体预处理钢由板条状亚温铁素体、块状和针状未回火马氏体以及14. 3%的短针状或块状残余奥氏体组成. 在相同的双相区IQ&P工艺参数下,预处理组织为马氏体的钢抗拉强度为770 MPa,伸长率为28%,其强塑积为21560 MPa·%;而预处理组织为马氏体+铁素体的钢抗拉强度为834 MPa,伸长率增大到36. 2%,强塑积达到30190 MPa·%,获得强度与塑性的优良结合.  相似文献   
64.
掺钨氧化铟(In2O3:W,IWO)薄膜是一种新型的透明导电氧化物(TCO)薄膜,其中W与In之间存在着较高的价态差,使得IWO薄膜与其他TCO薄膜相比,在相同的电阻率条件下具有载流子浓度低、迁移率高和近红外区透射率高的特点.利用直流磁控溅射法制备了IWO薄膜,利用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应及分光光度计表征了薄膜的表面形貌及光电性能.在工作压力1 Pa、氧分压为2.4×10-1Pa的条件下,实验中制备的IWO薄膜最佳电阻率为6.3×10-4Ω.cm,最高载流子迁移率为34 cm2V-1s-1,载流子浓度达到2.9×1020cm-3,可见光平均透射率约为85%,近红外平均透射率大于80%.  相似文献   
65.
鱼类松果体是传达外界信息到体内的主要传感器之一,其分泌的褪黑激素与鱼类生殖活动密切相关.为了阐明大弹涂鱼松果体形态结构与其功能的关系,运用组织细胞学方法研究了大弹涂鱼松果体的形态结构.结果表明,大弹涂鱼松果体位于端脑和中脑之间,由松果体柄和终囊两部分组成,具有背囊结构.松果体柄细长,细胞排列紧密,柄中有空腔,开口与第三脑室相通;松果体终囊膨大成梨形,且有空腔,腔内有皱褶,终囊顶部表面有黑色素细胞;背囊位于终囊下方,形状不规则,其囊壁向囊腔内反复折叠,形成许多复杂、盘旋曲折的内褶,背囊内部可见血细胞.研究结果为将来揭示大弹涂鱼半月周期产卵的机制提供了基础资料.  相似文献   
66.
青钱柳雌、雄花芽分化进程的形态解剖特征观察   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过物候学观察结合石蜡切片技术,研究了青钱柳雌先型植株雌雄花芽分化过程中外部形态的变化和内部解剖结构的对应关系。研究表明:雄花发育可分为花药及花药壁的发育、小孢子发育和雄配子体发育3个阶段,与之对应的形态变化表现为花序伸长和小花膨大、苞片开裂至花药变黄色;雌花发育可分为雌蕊分化期、胚珠发育、大孢子发育及雌配子体发育,相应的形态变化表现为小花原始体出现和膨大、露出柱头、花柱伸长和变成深绿色。由此可见雌、雄花芽的外部形态指标变化可以直观反映出内部结构的变化,并可用来判断花芽分化的各个时期。另外,还探讨了影响青钱柳结实的可能原因是雌雄异熟性、结实母树群体大小及群体中雌先型植株和雄先型植株的比例。  相似文献   
67.
日本有机薄膜太阳能电池研究进展   总被引:1,自引:1,他引:0  
通过调查近两年的最新文献资料,综述了有机太阳能电池的优劣和国际研究现状.从多个侧面阐述了日本有机太阳能研究现状,并探讨了今后有机薄膜器件研究的发展趋势和走向.  相似文献   
68.
用磁控溅射法在加热到400℃的MgO(001)单晶基片上沉积了总厚度为25 nm 的[Fe(0.6 nm)/Fe30.5Pt69.5(1.9 nm)]10 多层连续薄膜, 总成分配比为Fe50Pt50. 然后对其在[500, 900]℃温度范围进行真空热处理, 分析了热处理温度对薄膜表面形貌、晶体结构以及磁特性的影响. 结果表明, 在加热基片上生长的FePt 薄膜, 层间已经发生扩散, 形成无序的A1 相. 经过700℃以上的高温热处理, 薄膜转变为具有(001)织构的L10相FePt 合金, 易磁化轴沿垂直于膜面的方向, 有序度大于0.85, 单轴磁晶各向异性能约2.7×107 erg/cc. 利用扩散后残存的周期性微弱成分起伏, 可以使薄膜在800℃以下保持形貌连续. 用原子力显微镜对薄膜表面进行观察证实, 在780℃进行热处理, 薄膜的表面最平整. 这种优质的连续薄膜可以应用于微加工制作超高密度垂直磁记录阵列介质.  相似文献   
69.
跳频通信的应用大大提高了军事装备的抗干扰和抗截获能力,使得跳频对抗技术面临严峻的挑战。为解决传统形态学跳频信号参数估计方法中结构元素选择困难问题并提高估计精度,提出了一种基于自适应形态学的跳频信号参数联合盲估计方法。首先,对跳频信号进行短时傅里叶变换获取谱图。然后,从其时间轴投影中获取结构元素尺寸的知识, 设计自适应形态学滤波器抑制谱图噪声, 提取跳频图案初步估计跳频参数。最后, 引入最小二乘估计方法, 对跳频周期和跳变时刻进行精估计。仿真结果表明,此方法能够同时估计出跳频频率、跳频周期和跳变时刻, 不需要其中某一种参数作为先验条件, 在复杂的通信环境也能够保持良好的估计性能。  相似文献   
70.
通过FT-IR和DSC等研究了L iC l对脂肪族聚氨酯脲溶液粘度以及聚氨酯脲膜的结构和性能的影响。研究结果表明:L iC l的加入使聚氨酯脲溶液的初期粘度降低,后期粘度升高;含L iC l的聚氨酯脲的Tg和氨酯羰基的氢键化程度提高,但脲羰基的氢键化程度降低;L iC l的加入使聚氨酯脲的拉伸模量、硬度、撕裂强度和吸水率显著升高。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号